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> SK75GB066T
SK75GB066T
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITOP
3
逆二极管
IGBT模块
SK75GB066T
模块
目标数据
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用*
备注
GB -T
1
03-06-2009 DIL
由赛米控
SK75GB066T
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITOP
3
IGBT模块
SK75GB066T
温度传感器
目标数据
特点
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准
IEC 60747-1 ,第九章。
*我们的组件的规格可能不被视为保证
成分特点。组件已被用于各个测试
应用程序。的调整可能是必要的。在使用赛米控的产品
生命支持设备和系统需事先说明和书面
批准赛米控。因此,我们强烈建议事先咨询
我们的个人。
典型应用*
备注
GB -T
2
03-06-2009 DIL
由赛米控
SK75GB066T
图。 1典型值。输出特性,包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F(T
s
)
图。 3典型。导通/断电能量= F (Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F (r
G
)
图。 6典型。栅极电荷特性
3
03-06-2009 DIL
由赛米控
SK75GB066T
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 10 CAL二极管的正向特性
4
03-06-2009 DIL
由赛米控
SK75GB066T
UL认可
文件没有。 ê 63 532
5
03-06-2009 DIL
由赛米控
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SK75GB066T
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型号
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