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SK25GB063
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITOP
1
IGBT模块
逆二极管
续流二极管
SK25GB063
SK25GAL063
SK25GAR063
初步数据
模块
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
GB
GAL
GAR
1
05-04-2007 SCT
由赛米控
SK25GB063
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITOP
1
IGBT模块
SK25GB063
SK25GAL063
SK25GAR063
初步数据
续流二极管
特点
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
典型应用
GB
GAL
GAR
2
05-04-2007 SCT
由赛米控
SK25GB063
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 6典型。栅极电荷特性
3
05-04-2007 SCT
由赛米控
SK25GB063
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 10 CAL二极管的正向特性
FWD及APD正向特性
4
05-04-2007 SCT
由赛米控
SK25GB063
UL认可文件
没有。 ê 63 532
5
05-04-2007 SCT
由赛米控
SK 25 GB 063
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
逆/续流二极管华航
SEMITOP
1
IGBT模块
SK 25 GB 063
SK 25 GAL 063
SK 25 GAR 063
初步数据
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
特点
逆/续流二极管华航
典型应用
机械数据
GB
GAL
GAR
1
2005年11月4日RAM
由赛米控
SK 25 GB 063
图5典型。输出特性，叔
p
= 80微秒，25°C
图6典型。输出特性，叔
p
= 80微秒， 125°C
图7导通/断电能量= F（我
C
)
图8的导通/断电能量= F （r
G
)
图9典型。栅极电荷特性
图10典型。电容与V
CE
2
2005年11月4日RAM
由赛米控
SK 25 GB 063
图11典型。开关时间与我
C
图12典型。开关时间与栅极电阻R
G
每个脉冲图13二极管关断能量耗散
3
2005年11月4日RAM
由赛米控
SK 25 GB 063
UL认可
文件没有。 ê 63532
尺寸（mm）
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。
4
2005年11月4日RAM
由赛米控
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