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SK15GD12T4ET
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITOP
3
逆二极管
IGBT模块
SK15GD12T4ET
模块
目标数据
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用*
备注
GD -ET
1
27-05-2009 DIL
由赛米控
SK15GD12T4ET
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITOP
3
IGBT模块
SK15GD12T4ET
温度传感器
目标数据
特点
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
*我们的组件的规格可能不被视为保证
成分特点。组件已被用于各个测试
应用程序。的调整可能是必要的。在使用赛米控的产品
生命支持设备和系统需事先说明和书面
批准赛米控。因此，我们强烈建议事先咨询
我们的个人。
典型应用*
备注
GD -ET
2
27-05-2009 DIL
由赛米控
SK15GD12T4ET
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
s
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 6典型。栅极电荷特性
3
27-05-2009 DIL
由赛米控
SK15GD12T4ET
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 10 CAL二极管的正向特性
4
27-05-2009 DIL
由赛米控
SK15GD12T4ET
5
27-05-2009 DIL
由赛米控
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SBC4-102-291
SB1R5-125S
S29CD032G0PFAI003
SB1R5-12-5S
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单价/备注
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