SK 150 MHK 055牛逼
MOSFET晶体管
图。 3输出特性,T
p
= 80微秒,T
j
= 25 °C
图。 4典型。 PTC特性
图。 5击穿电压与温度
图。 6典型。 capacitancies与漏极 - 源极电压
图。 7栅极电荷特性
图。 8二极管正向特性,T
p
= 80 s
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2007年1月8日SCT
由赛米控
SK 150 MHK 055牛逼
MOSFET晶体管
尺寸(mm)
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准IEC 60747-1 ,第九章。
本技术信息指定半导体器件,但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付,性能或适用性。
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2007年1月8日SCT
由赛米控