【新产品SiZ902DTVishay Siliconix公司双N沟道30 V （D -S ）的MOSF】,IC型号SIZ902DT,SIZ902DT PDF资料,SIZ902DT经销商,ic,电子元器件-51电子网

新产品

SiZ902DT

Vishay Siliconix公司

双N沟道30 V （D -S ）的MOSFET

特点

产品概述

V

DS

(V)

Channel-1

30

R

DS （ ON）

（）（最大）

0.0120在V

GS

= 10 V

0.0145在V

GS

= 4.5 V

0.0064在V

GS

= 10 V

0.0083在V

GS

= 4.5 V

I

D

(A)

16

a

16

a

16

a

16

a

Q

g

（典型值）。

6.8 NC

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

TrenchFET

功率MOSFET

100 % R

g

和UIS测试

符合RoHS指令2002/95 / EC

应用

21 NC

Channel-2

30

笔记本系统电源

POL

同步降压转换器

D

1

在PowerPAIR

6 x 5

销1

1

2

D

1

G

2

8

7

6

5

S

2

6 mm

S

1

/D

2

9针

3

4

G

1

D

1

5 mm

D

1

D

1

G

1

N沟道1

MOSFET

S

1

/D

2

G

2

N沟道2

MOSFET

订货信息：

SiZ902DT -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）

S

2

绝对最大额定值

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

T

C

= 25 °C

T

C

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

L = 0.1 mH的

T

C

= 25 °C

T

C

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

I

AS

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

Channel-1

30

± 20

16

a

16

a

14.3

B，C

11.4

B，C

50

16

a

3.4

B，C

18

16

29

18

4.2

B，C

2.7

B，C

- 55 150

260

16

a

16

a

16

A， B，C

16

A， B，C

80

16

a

4.1

B，C

30

45

66

42

5

B，C

3.2

B，C

Channel-2

单位

V

连续漏电流（T

J

= 150 °C)

漏电流脉冲（ T = 300微秒）

连续源漏电流二极管

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

A

mJ

最大功率耗散

W

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

D，E

°C

热电阻额定值

Channel-1

参数

B，F

Channel-2

典型值。

马克斯。

单位

t

10 s

24

30

20

25

最大结点到环境

° C / W

最大结至外壳（漏）

稳定状态

3.4

4.3

1.5

1.9

注意事项：

一。包装有限。

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

。 T = 10秒。

。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/doc?73257 ）。对在PowerPAIR是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未

镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，并且不要求

以确保足够的底侧的焊料互连。

。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。

F。在稳态条件下最大为65 ° C /通道- 1和W为通道2 57 ° C / W 。

文档编号： 63465

S11-2380版本B ， 28 - NOV- 11

www.vishay.com

1

符号

R

thJA

R

thJC

典型值。

马克斯。

本文如有更改，恕不另行通知。

本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述

www.vishay.com/doc?91000

新产品

SiZ902DT

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

(T

J

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

V

DS

温度COEF网络cient

V

GS （ TH）

温度COEF网络cient

栅极阈值电压

门源漏

V

DS

V

DS

/T

J

V

GS （ TH）

/T

J

V

GS （ TH）

I

GSS

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A

I

D

= 250 A

I

D

= 250 A

I

D

= 250 A

I

D

= 250 A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

V

DS

= 0 V, V

GS

= ± 20 V

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 55 °C

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 55 °C

通态漏电流

b

I

D（上）

V

DS

5

V, V

GS

= 10 V

V

DS

5

V, V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 13.8 A

漏源导通电阻

b

R

DS （ ON）

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 12.6 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 20 A

正向跨导

b

动态

a

输入电容

输出电容

反向传输电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Channel-2

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

V

DS

= 15 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 13.8 A

总栅极电荷

Q

g

V

DS

= 15 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

Channel-1

V

DS

= 15 V, V

GS

= 4.5 V，I

D

= 13.8 A

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电阻

Q

gs

Q

gd

R

g

Channel-2

V

DS

= 15 V, V

GS

= 4.5 V，I

D

= 20 A

F = 1 MHz的

Ch-1

Channel-1

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

0.4

0.3

790

2600

190

485

76

215

14

43

6.8

21

2.6

8.1

1.9

6.5

2

1.5

4

3

21

65

11

32

nC

pF

g

fs

V

DS

= 10 V，I

D

= 13.8 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 20 A

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

20

0.010

0.012

0.0053 0.0064

0.0120 0.0145

0.0068 0.0083

47

63

S

1

30

33

-5

- 4.6

2.2

± 100

1

5

A

V

nA

毫伏/°C的

V

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

注意事项：

一。通过设计保证，不受生产测试。

B 。脉冲测试;脉冲宽度

300微秒，占空比

2 %.

www.vishay.com

2

文档编号： 63465

S11-2380版本B ， 28 - NOV- 11

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新产品

SiZ902DT

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

(T

J

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

动态

a

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

漏源体二极管特性

连续源极 - 漏极二极管电流

脉冲二极管正向电流

体二极管电压

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷

反向恢复下降时间

反向恢复上升时间

a

符号

测试条件

Ch-1

Channel-1

V

DD

= 15 V ，R

L

= 1.5

I

D

10 A，V

根

= 4.5 V ，R

g

= 1

Channel-2

V

DD

= 15 V ，R

L

= 1.5

I

D

10 A，V

根

= 4.5 V ，R

g

= 1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Channel-1

V

DD

= 15 V ，R

L

= 1.5

I

D

10 A，V

根

= 10 V ，R

g

= 1

Channel-2

V

DD

= 15 V ，R

L

= 1.5

I

D

10 A，V

根

= 10 V ，R

g

= 1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

I

S

= 10 A，V

GS

= 0 V

I

S

= 10 A，V

GS

= 0 V

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Channel-1

I

F

= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T

J

= 25 °C

Channel-2

I

F

= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T

J

= 25 °C

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

Ch-1

Ch-2

分钟。

典型值。

15

23

12

20

35

10

22

12

10

20

35

10

马克斯。

30

50

20

40

70

20

25

20

40

70

20

16

50

80

单位

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

ns

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

a

t

b

T

C

= 25 °C

A

0.85

0.8

20

25

10

13

11

12

9

13

1.2

40

50

20

25

V

ns

nC

ns

注意事项：

一。通过设计保证，不受生产测试。

B 。脉冲测试;脉冲宽度

300微秒，占空比

2 %.

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

文档编号： 63465

S11-2380版本B ， 28 - NOV- 11

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3

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新产品

SiZ902DT

Vishay Siliconix公司

CHANNEL -1的典型特征

（25℃ ，除非另有说明）

60

V

GS

= 10

V

直通4

V

50

I

D

- 漏电流（ A）

I

D

- 漏电流（ A）

16

20

40

V

GS

= 3

V

30

12

T

C

= 25 °C

8

20

10

V

GS

= 2

V

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

4

T

C

= 125 °C

0

0.0

T

C

= - 55 °C

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

V

DS

- 漏 - 源

电压

(V)

V

GS

- 栅极 - 源极

电压

(V)

输出特性

0.014

1200

传输特性

1000

R

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

V

GS

= 4.5

V

- 电容（pF ）

0.012

C

国际空间站

800

0.010

V

GS

= 10

V

600

400

C

OSS

200

C

RSS

0.008

0.006

0

10

20

30

40

50

60

I

D

- 漏电流（ A）

0

5

10

15

20

25

V

DS

- 漏 - 源

电压

(V)

30

导通电阻与漏电流

10

R

DS （ ON）

- 导通电阻（标准化）

I

D

= 13.8 A

V

GS

- 栅极 - 源极

电压

(V)

8

V

DS

= 15

V

6

V

DS

= 7.5

V

4

V

DS

= 24

V

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

- 50

I

D

= 13.8 A

电容

V

GS

= 10

V;

4.5

V

2

0

3

6

9

12

Q

g

- 总栅极电荷（ NC）

15

-- 25

0

25

50

75

100

T

J

- 结温（ ° C）

125

150

栅极电荷

导通电阻与结温

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4

文档编号： 63465

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SiZ902DT

Vishay Siliconix公司

CHANNEL -1的典型特征

（25℃ ，除非另有说明）

100

0.030

I

D

= 13.8 A

0.025

R

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

I

S

- 源电流（ A）

10

0.020

T

J

= 125 °C

0.015

T

J

= 25 °C

0.010

T

J

= 150 °C

1

T

J

= 25 °C

0.005

0.1

0.0

0.000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0

V

SD

- 源极到漏极

电压

(V)

2

4

6

8

V

GS

- 栅极 - 源极

电压

(V)

10

源极 - 漏极二极管正向电压

1.9

1.8

1.7

1.6

1.5

V

GS （ TH）

(V)

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

10

40

导通电阻与栅极至源极电压

50

I

D

= 250

A

功率（W）的

30

20

0

0.001

0.01

0.1

T

J

- 温度（℃ ）

1

时间（s）

10

100

1000

阈值电压

100

单脉冲功率

限于由R

DS （ ON）

*

10

I

D

- 漏电流（ A）

100 μs

1毫秒

1

10毫秒

100毫秒

0.1

T

A

= 25

°C

BVDSS有限公司

0.01

0.1

1s

10 s

DC

1

10

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

* V

GS

>最小V

GS

在r

DS （ ON）

为特定网络版

100

安全工作区，结到环境

文档编号： 63465

S11-2380版本B ， 28 - NOV- 11

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5

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