新产品
SiS780DN
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
()
0.0135在V
GS
= 10 V
0.0175在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
18
a
18
a
Q
g
（典型值）。
7.3 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
SkyFET
单片TrenchFET
第三代
功率MOSFET和肖特基二极管
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
的PowerPAK
1212-8
应用
3.30 mm
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
3.30 mm
笔记本电脑
- 系统电源，内存
降压转换器
同步整流开关
D
G
N沟道
MOSFET
S
肖特基
二极管
底部视图
订货信息：
SiS780DN -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = mH的0.1
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
30
± 20
18
a
18
a
12
B，C
9.5
B，C
50
18
a
2.9
B，C
15
11.25
27.7
17.7
3.5
B，C
2.2
B，C
- 55 150
260
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
最大
最大结至外壳（漏）
结到环境
B，F
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
29
3.6
最大
36
4.5
单位
° C / W
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为81 ° C / W 。
文档编号： 67941
S11-1178 -REV 。 A， 13军11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
SiS780DN
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 1 A
0.42
14.5
5
7.5
7
T
C
= 25 °C
18
50
0.53
29
10
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
I
D
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
I
D
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
0.3
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
722
194
64
16.3
7.3
2.2
2
1.1
9
18
10
10
7
11
14
9
2.2
18
35
20
20
14
22
28
18
ns
24.5
11
nC
pF
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100 °C
V
DS
5
V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
30
0.0110
0.0145
25
0.0135
0.0175
0.017
1
30
1
2.3
± 100
0.150
10
V
nA
mA
A
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 67941
S11-1178 -REV 。 A， 13军11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
SiS780DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
40
32
I
D
- 漏电流（ A）
24
16
包装有限公司
8
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
35
2.0
28
1.6
功率（W）的
功率（W）的
21
1.2
14
0.8
7
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度（ ° C）
动力方面，结至外壳
动力方面，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 67941
S11-1178 -REV 。 A， 13军11
www.vishay.com
5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2881677436 复制
