SiS776DN
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
()
0.0062在V
GS
= 10 V
0.0087在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
e
35
35
Q
g
（典型值）。
11.6 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
SkyFET单片TrenchFET
动力
MOSFET和肖特基二极管
低热阻的PowerPAK
与小尺寸和低1.07毫米资料包
100 % R
g
经过测试
100 ％ UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
的PowerPAK 1212-8
3.30 mm
S
1
2
3
S
S
3.30 mm
应用
系统电源
- 低端
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
N沟道
MOSFET
S
肖特基二极管
底部
意见
订货信息：
SiS776DN -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
C，D
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 20
35
e
35
e
18.3
A，B
14.5
A，B
60
35
e
5.4
A，B
20
20
52
33
3.8
A，B
2.4
A，B
- 50至150
260
°C
W
mJ
A
单位
V
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
。包装有限。
文档编号： 67012
S10-2251 -REV 。 A， 04 - OCT- 10
www.vishay.com
1
SiS776DN
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，B
最大结至外壳（漏）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。在稳态条件下最大为81 ° C / W 。
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
24
1.9
最大
33
2.4
单位
° C / W
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
I
D
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
I
D
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
0.4
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1360
340
117
24
11.6
3.5
3.6
1.5
18
11
20
10
11
10
20
8
3.0
35
22
40
20
22
20
40
16
ns
36
17.5
nC
pF
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100 °C
V
DS
5
V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 A
30
0.0050
0.0072
40
0.0062
0.0087
0.030
1.6
30
1.0
2.5
± 100
0.30
15
V
V
nA
mA
A
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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2
文档编号： 67012
S10-2251 -REV 。 A， 04 - OCT- 10
SiS776DN
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 3 A
0.49
19
8
8
11
测试条件
T
C
= 25 °C
分钟。
典型值。
马克斯。
35
60
0.65
35
15
单位
漏源体二极管特性
A
V
ns
nC
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 67012
S10-2251 -REV 。 A， 04 - OCT- 10
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3
SiS776DN
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
80
V
GS
= 10 V直通4 V
64
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
10
8
48
6
32
V
GS
= 3 V
16
4
T
C
= 25 °C
2
T
C
= 125 °C
0
0
0.5
1.0
1.5
V
GS
= 2 V
2.0
2.5
0
0
1
2
T
C
= - 55 °C
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.009
传输特性
1800
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.008
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.007
1440
C
国际空间站
1080
0.006
V
GS
= 10 V
0.005
720
C
OSS
360
C
RSS
0.004
0
12
24
36
48
60
0
0
5
10
15
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 10 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
电容
1.8
I
D
= 10 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.6
V
GS
= 10
V
V
DS
= 10 V
6
V
DS
= 15 V
4
V
DS
= 20 V
2
1.4
V
GS
= 4.5
V
1.2
1.0
0.8
0
0
5
10
15
20
25
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
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4
导通电阻与结温
文档编号： 67012
S10-2251 -REV 。 A， 04 - OCT- 10
SiS776DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.05
I
D
= 10 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.04
1
0.03
0.1
0.02
0.01
0.01
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
-1
150
导通电阻与栅极至源极电压
10
-2
120
I
R
- 反向（ A）
10
-3
10 V
功率（W）的
30 V
10
-4
20 V
30
90
60
10
-5
10
-6
10
-7
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
反向电流（肖特基）
100
限于由R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.01
DC
BVDSS有限公司
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 67012
S10-2251 -REV 。 A， 04 - OCT- 10
www.vishay.com
5
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