新产品
SiR814DP
Vishay Siliconix公司
N沟道40 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
40
R
DS （ ON）
()
0.0021在V
GS
= 10 V
0.0029在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
60
60
Q
g
（典型值）。
27 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
100 ％ UIS测试
低Q
g
为高效率
符合RoHS指令2002/95 / EC
的PowerPAK
SO-8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
应用
同步整流
DC / DC转换器
POL
IBC
产业
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
订货信息：
SiR814DP -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = mH的0.1
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
符号
V
DS
V
GS
极限
40
± 20
60
a
60
a
40.6
B，C
32.5
B，C
100
60
a
5.6
B，C
40
80
104
66.6
6.25
B，C
4.0
B，C
- 55 150
260
单位
V
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
A
mJ
P
D
W
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，F
符号
t
10 s
稳定状态
R
thJA
R
thJC
典型
15
0.9
最大
20
1.2
单位
° C / W
最大结至外壳（漏）
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出铜
（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不
需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为54 ° C / W 。
文档编号： 67191
S11-0244 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
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1
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SiR814DP
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 5 A
0.71
68
65
28
40
T
C
= 25 °C
60
100
1.1
135
130
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 20 V ，R
L
= 2
I
D
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
V
DD
= 20 V ，R
L
= 2
I
D
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
0.4
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 20 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
3800
3800
260
57
27
9
6.6
1.2
18
11
40
10
47
82
47
25
2.2
35
20
80
20
90
160
90
50
ns
86
41
nC
pF
V
DS
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
5
V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
30
0.0017
0.0024
84
0.0021
0.0029
1.0
40
- 5.2
2.3
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 67191
S11-0244 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
新产品
SiR814DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
80
V
GS
= 10 V直通4 V
64
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
10
V
GS
= 3 V
8
48
6
32
4
T
C
= 25 °C
2
T
C
= 125 °C
16
V
GS
= 2 V
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
T
C
= - 55 °C
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.0030
8000
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.0026
- 电容（pF ）
6400
V
GS
= 4.5 V
C
OSS
4800
C
国际空间站
3200
0.0022
0.0018
V
GS
= 10 V
0.0014
1600
C
RSS
0.0010
0
16
32
48
64
80
0
0
8
16
24
32
40
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 20 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
电容
2.0
I
D
= 20 A
1.7
R
DS （ ON）
- 导通电阻
8
V
DS
= 20 V
6
V
DS
= 10 V
4
V
DS
= 30 V
V
GS
= 10 V
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5 V
1.1
2
0.8
0
0
12
24
36
48
60
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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新产品
SiR814DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.015
I
D
= 20 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
10
I
S
- 源电流（ A）
0.012
T
J
= 150 °C
1
0.009
0.1
T
J
= 25 °C
0.006
T
J
= 125 °C
0.01
0.003
T
J
= 25 °C
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.5
200
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
160
I
D
= 5毫安
- 0.4
I
D
= 250 μA
功率（W）的
- 0.1
120
80
- 0.7
40
- 1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
10
I
D
- 漏电流（ A）
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.01
DC
BVDSS有限公司
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 67191
S11-0244 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
新产品
SiR814DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
200
160
I
D
- 漏电流（ A）
120
80
包装有限公司
40
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
125
3.0
100
2.4
功率（W）的
50
功率（W）的
75
1.8
1.2
25
0.6
0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
动力方面，结至外壳
动力方面，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 67191
S11-0244 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
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