SiP4610A/B
Vishay Siliconix公司
受保护的1 -A高端负载开关
应用
外围端口
热插拔
- 笔记本电脑
掌上电脑
特点
1连续输出电流
2.4 V至5.5 V电源电压范围
用户可设置电流限制水平
低静态电流
欠压锁定
热关断保护
兼容AAT4610A
4 kV的ESD额定值， HBM
RoHS指令
柔顺
描述
SiP4610A / B是一个受保护的高侧电源开关。这是
旨在从电压范围为2.4 V操作
5.5 V和处理1 A.用户A的连续电流
可设置电流限制保护，从输入电源电压
过大的负载电流可能导致系统故障。
SiP4610A / B为9 μA和低静态电流
关断电源电流降低至小于1微安。
除了电流限制，该SiP4610A / B是由保护
欠压锁定和热关断。
有两个版本的SiP4610的。该SiP4610A有
低电平有效使能输入端，而SiP4610B具有活动
高电平使能输入。
该SiP4610A / B可在无铅（Pb ） - 免费5引脚薄型
SOT- 23封装，工作在工业
温度范围 - 4085 ℃。
典型应用图
2.4至5.5 V
C
IN
启用
IN
OUT
C
OUT
负载
SiP4610A/B
ON / ON
GND
R
SET
SET
GND
GND
文档编号： 73233
S- 71061 -REV 。 ， 21日， 07
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1
SiP4610A/B
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绝对最大额定值
（所有电压参考GND = 0V）
参数
V
IN
, V
ON
, V
ON
I
最大
储存温度
工作结温
功耗
a
SOT- 23 5引脚
热阻抗（ θ
JA
)
b,
SOT - 23 5针
注意事项：
一。减免5.5毫瓦/ ° C以上牛逼
A
= 70 °C.
B 。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
极限
- 0.3-6
2
- 65 150
- 40150
305
180
单位
V
A
°C
°C
mW
° C / W
推荐工作范围
（所有电压参考GND = 0V）
参数
IN
工作温度范围
极限
2.4 5.5
- 40-85
单位
V
°C
特定网络阳离子
a
测试条件除非指定
参数
电源
电源电压
静态电流
关断电流
切断电流
使能输入
ON / ON高
ON / ON低
ON /泄漏电流
关闭时间
启动时间
产量
导通电阻
电流限制
最小电流限制
限流响应时间
欠压锁定
UVLO阈值
UVLO迟滞
热关断
热关断阈值
迟滞
T
T
HYST
20
165
°C
V
UVLO
V
HYST
上升沿
1.8
0.05
2.4
V
r
DS
I
L
I
L（ MIN）的
t
RESP
IN = 5 V
IN = 5 V ，T
A
= 25 °C
IN = 3 V ，T
A
= 25 °C
R
SET
= 6.8 kΩ
0.75
145
190
1
130
4
180
230
1.25
mΩ
A
mA
s
V
IH
V
IL
I
LH
t
关闭
t
ON
IN = 2.4 V至5.5 V
ON / ON = 5 V
IN = 5 V ，R
L
= 10
Ω
11
65
2.0
0.8
1
21
200
A
s
V
V
IN
I
Q
I
SD
I
S（ OFF）
IN = 5 V ，ON / ON =有效，L
OUT
= 0 A
IN = 5 V ，ON / ON =无效
IN = 5 V ，ON / ON =无效，V
OUT
= 0 V
2.4
9
5.5
25
1
1
A
V
符号
IN = 5 V ，T
A
= - 4085 ℃下
民
a
范围
典型值
b
最大
a
单位
注意事项：
一。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值（ - 4085 ℃）。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证。
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引脚配置，订购信息以及真值表
超薄SOT - 23 ， 5针
OUT
1
5
IN
GND
2
SET
3
4
ON / ON
顶视图
订购信息
参数
SiP4610ADT-T1-E3
SiP4610BDT-T1-E3
XX =批次编号
W =工作周典
EVAL KIT
SiP4610DT
记号
M1WXX
M2WXX
温度范围
- 4085 ℃下
包
薄型SOT23-5封装
温度范围
- 4085 ℃下
板类型
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
名字
OUT
GND
SET
ON / ON
IN
功能
开关量输出。
接地引脚。
电流限制级别设置引脚。该级别是由该引脚与GND之间连接一个电阻值determinied 。
关断引脚。 ON ，低电平有效的SiP4610A而上，在SiP4610B高电平有效。
输入电源的电压和开关量输入。
功能框图
纳瓦/ L
IN
_
+
OUT
的W / L
下
电压
封锁
热
关闭
+
_
ON （ SiP4610A ）
ON （ SiP4610B ）
参考
电压
SET
GND
图1. SiP4610框图
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详细说明
通过抽样合格的SiP4610限制负载电流
晶体管的电流和传递，通过外部
电阻R
SET
。 R两端的电压
SET
, V
SET
，然后
与内部基准电压，V相比
REF
。在
倘若负载电流超过设定的限制电流，V
SET
将超过V
REF
使传输晶体管的栅极电压，以
增加，从而降低栅极到源极的电压
PMOS开关和调节的电流回落到我
极限
.
V
IN
- V
OUT
将引起芯片消散更多的热量。该
功耗为SiP4610可以表示为
P = I
负载
X （V
IN
- V
OUT
)
一旦超过了最大功率耗散
包装，模具温度将升高。当模具
温度超过165℃的过热极限，
该SiP4610将关闭，直到它冷却到145
℃，再次启动之前。如在图中可以看出
下面， SiP4610将继续循环开启和关闭，直到
负载减小或者部分被关闭（参见图2）。
在任何应用程序的最大功耗为
依赖于最高结温，T
J（下最大）
=
125°C ，在该结点至环境热阻
SOT23-5封装，
θ
J- á
= 180 ℃/ W，与周围
温度T
A
，其可以通过公式表示为：
设置电流限制水平
设置电流限制水平上的SiP4610需要一些
护理，以确保负载所需的最大电流将
不触发限流电路。的最小电流
限制阈值应取最大值确定
当前所要求的负载时，我
负载
，并加入25％的
净空。该SiP4610具有电流限制公差
的25％ ，这在很大程度上是由部分的工艺变化的结果
向部分，并且还与温度和Ⅴ
IN
/V
OUT
差异。因此，
以确保实际电流限制是从不低于
所需的电流限制为1 / 0.75 = 1.33系数必须是
加入到计算中。知的最大载荷
的R的电流所需的值
SET
按如下方法计算。
R
SET
= R
SET
系数/ I
极限
在那里我
极限
= (I
负载
X 1.33 ）× 1.25和R
SET
系数
7100的1A电流限制。对于典型的
SET
系数
的值给出一个限制电流参考"Typical
Characteristics"部分。
T（最大） - T的
A
P（最大） =
J
θ
J =一
=
125 T
A
180
那么它遵循假定的环境温度下
70℃时，最大功耗将被限制在大约
305毫瓦。
反向电压
该SiP4610的目的是控制电流从IN到
OUT 。如果在输出电压比在当前提出的更高
将从OUT流向IN ，但电流限制功能将不
是可用的，如从框图中可以推断
图1中。因此，在应用程序中输出用于充电
IN，仔细的考虑必须采取限流
通过该装置，并保护其免受损伤。
工作在电流限制和热关断
倘若比我高负荷
极限
被要求的
SiP4610 ，负载电流将保持固定在所述电流限制
由R确定
SET
。然而，由于所需的电流是
未提供， OUT端的电压将下降。在增加
图2.电流过载条件。负荷开关接通0.1
Ω
负载在时间= 0毫秒。
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
20
16
静态电流（ μA ）
Q
u
ie
s
分
u
rrent （
A)
16
12
12
8
8
4
4
0
- 40
0
- 20
0
20
40
60
80
100
120
0
1
2
3
4
5
6
V
IN
=输入电压（ V）
温度（℃）
静态电流与温度的关系
1000
900
800
输出电流（A ）
700
r
D
S
（上）
(mΩ)
600
500
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
5
0
0
50
R
SET
= 16.2 kΩ
150
200
250
静态电流与输入电压
V
IN
=
3
V
V
IN
= 5 V
100
20
40
60
80
100
120
V
OUT
- 输出电压（V ）
温度（℃）
输出电流与V
OUT
1
10
1
0.1
关电源电流（ μA ）
关闭开关电流（ μA ）
0.1
r
DS （ ON）
与温度的关系
0.01
0.01
0.001
0.001
0.0001
0.0001
0.00001
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
120
0.00001
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
120
温度（℃）
温度（℃）
断电源电流与温度的关系
OFF开关电流与温度的关系
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