SiP41101

新产品

Vishay Siliconix公司

半桥式N沟道MOSFET驱动器与断裂前先

特点

D

D

D

D

D

D

D

5 -V门极驱动

欠压锁定

子1 -W栅极驱动器

内置自举二极管

驱动MOSFET在4.5 30 -V系统

开关频率： 250 kHz至1 MHz的

同步启用/禁用选项

应用

D

D

D

D

D

D

多相直流/直流

高电流同步降压转换器

高频同步降压转换器

异步到同步改编

手机电脑DC / DC转换器

台式电脑的DC / DC转换器

描述

该SiP41101是高速半桥式驱动器，以

先接后断，在高频率使用，大电流

多相直流到直流电源对电源电压为

高达30 V.它的设计频率高达运营

1兆赫。高侧驱动器的自举，以允许驱动

n沟道高边MOSFET 。自举二极管内部。

输出驱动器提供电流高达4A，允许使用

低R

DS （ ON）

功率MOSFET。

该SiP41101带有内部断裂前先

电路，以防止直通电流在外部

的MOSFET。在SD控制销被设置，以使

驱动程序。一个同步启动控制引脚提供

禁用低边或同步MOSFET来

最大限度地提高低输出电流条件下的效率。

该SiP41101可在一个16引脚TSSOP封装的

工作在-40至+85 C的工业温度范围。

典型应用图

+5 V至30 V

+5 V

V

DD

BOOT

OUT

H

IN

调节器

SYNC_EN

SD

SiP41101

S

H

V

OUT

OUT

L

GND

S

L

GND

GND

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

www.vishay.com

1

SiP41101

Vishay Siliconix公司

新产品

绝对最大额定值（参考GND = 0 V所有电压）

V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

V

IN

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

V

SH

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V

V

BOOT

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V

SH

+ 7 V

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40至150_C

工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125_C

功耗

a

TSSOP -16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 925毫瓦

热阻抗（Q

JA

)

a

TSSOP -16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135_C / W

笔记

一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的操作范围（参考GND = 0 V所有电压）

V

DD

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5 V至5.5 V

V

BOOT

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5 V至30 V

C

BOOT

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 nF的1

mF

工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40至+85 C

特定网络阳离子

a

测试条件除非指定

p

参数

电源

电源电压

电源电流

静态电流

V

DD

I

DD

I

DDQ

f

IN

= 300千赫， SD = H ， Sync_en = H

见图1

IN = L， SD = H ， Sync_en = H ，空载

4.5

25

1.4

5.5

40

2.5

V

mA

mA

范围

民

a

典型值

b

最大

a

单位

符号

V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

BOOT

= 4.5 V至30 V ，T

A

= -40 85 ℃下

参考电压

突破前先

V

BBM

V

DD

= 5.5 V

2.5

V

逻辑输入 - IN，同步恩， SD

输入高

输入低

V

IH

V

IL

2.5

1.0

V

欠压锁定

V

DD

欠压

欠压滞后

V

UVL

V

HYST

V

DD

升起

2.5

3.6

400

4.4

V

mV

自举二极管

正向电压

V

F

I

F

= 10毫安

0.65

V

MOSFET驱动器

高边

高侧驱动电流

c

低端

低端驱动电流

c

高边

高侧驱动器阻抗

低端

低端驱动器阻抗

I

PKH （源）

I

PKH （汇）

I

PKL （源）

I

PKL （汇）

R

DH （源）

R

DH （汇）

R

DL （ SOURCE ）

R

DL （ SINK ）

V

BOOT

- V

SH

= 4.5 V, V

OUTH

-V

SA

=2 25V

45V

V =2.25V

V

DD

= 4.5 V, V

OUTL

=2 25V

45V

=2.25V

V

DD

= 4.5 V ，S

H

= GND

45V

V

DD

= 4 5 V

4.5

3.0

3.0

4.1

4.1

0.75

0.75

0.55

0.55

1.3

1.3

1.1

1.1

W

A

www.vishay.com

2

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

SiP41101

新产品

特定网络阳离子

a

测试条件除非指定

参数

MOSFET驱动器

高边上升时间

c

高端下降时间

c

高边

高端传播延迟

c

低端上升时间

c

低端下降时间

c

低端

低端传播延迟

c

t

rH

t

fH

t

D（关闭）H-

DTH -L

Vishay Siliconix公司

范围

民

a

典型值

b

15

15

25

5

25

15

10

25

ns

符号

V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

BOOT

= 4.5 V至30 V ，T

A

= -40 85 ℃下

最大

a

单位

10% - 90%

90% - 10%

50% - 50%

10% - 90%

90% - 10%

50% - 50%

t

rL

t

fL

t

D（ OFF ）长

DTL -H

笔记

一。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值（ -40_到85_C ） 。

B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。通过设计保证。

时序波形

IN

OUT

H

OUT

L

t

D（关闭）H-

Dt

H-L

t

D（ OFF ）长

Dt

L-H

测试设置

V

DD

V

DD

BOOT

OUT

H

1

W

2 nF的

IN

V

DD

SYNC_EN

SD

OUT

L

S

H

1.5 W

5 nF的

GND

GND

S

L

图1 。

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

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3

SiP41101

Vishay Siliconix公司

新产品

引脚配置，订购信息以及真值表

SiP41101 （ TSSOP -16 ）

IN

GND

SYNC_EN

SD

S

L

OUT

L

NC

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

V

DD

NC

V

DD

NC

BOOT

NC

OUT

H

S

H

订购信息

产品型号

SiP41101DQ-T1

温度范围

-40到85°C

记号

41101

EVAL KIT

SiP41101DB

温度范围

-40到85°C

真值表

SD

H

H

H

H

L

SYNC_EN

H

H

L

L

X

IN

L

H

L

H

X

OUT

H

L

H

L

H

L

OUT

L

H

L

L

L

L

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7, 8, 11, 13, 15

9

10

12

14, 16

名字

IN

GND

SYNC_EN

SD

S

L

OUT

L

NC

S

H

OUT

H

BOOT

V

DD

地

功能

输入信号到MOSFET驱动器

同步MOSFET启用

关闭

连接至低边MOSFET的源极

同步或低侧MOSFET栅极驱动器

无连接

连接到高侧MOSFET的源极

控制或高侧MOSFET栅极驱动器

连接自举电容

+ 5V电源

www.vishay.com

4

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

SiP41101

新产品

功能框图

V

DD

BOOT

Vishay Siliconix公司

Levelshift

OUT

H

S

H

SD

欠压

+

-

V

DD

V

BBM

IN

SYNC EN

GND

OUT

L

S

L

图2中。

具体操作

先开后合式功能

该SiP41101具有内部断裂前先功能

确保两个高侧和低侧MOSFET是不

导通的同时。高侧驱动器（输出

H

）不会

打开直到低侧栅极驱动电压（在所测量的

OUT

L

销）小于V

BBM

，从而确保了低侧

MOSFET被关断。低侧驱动器（输出

L

）不会打开

上，直到在MOSFET的半桥输出电压

（在S测定

L

销）小于V

BBM

，从而确保

高边MOSFET导通

欠压锁定功能

该SiP41101具有一个内部欠压闭锁功能

防止驱动MOSFET的栅极，当供电电压（在

V

DD

）低于欠压锁定规范

(V

UVL

） 。这可以防止输出MOSFET被开启

在没有足够的栅极电压，以确保它们是完全的。

有滞后包括在此功能可以防止锁定

从循环开启和关闭。

典型特征（ 25_C除非另有说明）

100

I

DD

电源电流与频率的关系

50

上升和下降时间对丙

负载

40

上升和下降时间（ NS ）

50

电流（mA ）

t

R（ OUTL ）

30

t

R（ OUTH ）

20

20

10

t

F（ OUTL ）

t

F（ OUTH ）

10

100

200

频率（kHz ）

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

500

1000

0

0.3

1

3

10

负载电容（ NF）

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5

SiP41101

新产品

Vishay Siliconix公司

半桥式N沟道MOSFET驱动器与断裂前先

特点

D

D

D

D

D

D

D

5 -V门极驱动

欠压锁定

子1 -W栅极驱动器

内置自举二极管

驱动MOSFET在4.5 30 -V系统

开关频率： 250 kHz至1 MHz的

同步启用/禁用选项

应用

D

D

D

D

D

D

多相直流/直流

高电流同步降压转换器

高频同步降压转换器

异步到同步改编

手机电脑DC / DC转换器

台式电脑的DC / DC转换器

描述

该SiP41101是高速半桥式驱动器，以

先接后断，在高频率使用，大电流

多相直流到直流电源对电源电压为

高达30 V.它的设计频率高达运营

1兆赫。高侧驱动器的自举，以允许驱动

n沟道高边MOSFET 。自举二极管内部。

输出驱动器提供电流高达4A，允许使用

低R

DS （ ON）

功率MOSFET。

该SiP41101带有内部断裂前先

电路，以防止直通电流在外部

的MOSFET。在SD控制销被设置，以使

驱动程序。一个同步启动控制引脚提供

禁用低边或同步MOSFET来

最大限度地提高低输出电流条件下的效率。

该SiP41101可在一个16引脚TSSOP封装的

工作在-40至+85 C的工业温度范围。

典型应用图

+5 V至30 V

+5 V

V

DD

BOOT

OUT

H

IN

调节器

SYNC_EN

SD

SiP41101

S

H

V

OUT

OUT

L

GND

S

L

GND

GND

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

www.vishay.com

1

SiP41101

Vishay Siliconix公司

新产品

绝对最大额定值（参考GND = 0 V所有电压）

V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

V

IN

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

V

SH

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V

V

BOOT

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V

SH

+ 7 V

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40至150_C

工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125_C

功耗

a

TSSOP -16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 925毫瓦

热阻抗（Q

JA

)

a

TSSOP -16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135_C / W

笔记

一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的操作范围（参考GND = 0 V所有电压）

V

DD

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5 V至5.5 V

V

BOOT

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5 V至30 V

C

BOOT

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 nF的1

mF

工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40至+85 C

特定网络阳离子

a

测试条件除非指定

p

参数

电源

电源电压

电源电流

静态电流

V

DD

I

DD

I

DDQ

f

IN

= 300千赫， SD = H ， Sync_en = H

见图1

IN = L， SD = H ， Sync_en = H ，空载

4.5

25

1.4

5.5

40

2.5

V

mA

mA

范围

民

a

典型值

b

最大

a

单位

符号

V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

BOOT

= 4.5 V至30 V ，T

A

= -40 85 ℃下

参考电压

突破前先

V

BBM

V

DD

= 5.5 V

2.5

V

逻辑输入 - IN，同步恩， SD

输入高

输入低

V

IH

V

IL

2.5

1.0

V

欠压锁定

V

DD

欠压

欠压滞后

V

UVL

V

HYST

V

DD

升起

2.5

3.6

400

4.4

V

mV

自举二极管

正向电压

V

F

I

F

= 10毫安

0.65

V

MOSFET驱动器

高边

高侧驱动电流

c

低端

低端驱动电流

c

高边

高侧驱动器阻抗

低端

低端驱动器阻抗

I

PKH （源）

I

PKH （汇）

I

PKL （源）

I

PKL （汇）

R

DH （源）

R

DH （汇）

R

DL （ SOURCE ）

R

DL （ SINK ）

V

BOOT

- V

SH

= 4.5 V, V

OUTH

-V

SA

=2 25V

45V

V =2.25V

V

DD

= 4.5 V, V

OUTL

=2 25V

45V

=2.25V

V

DD

= 4.5 V ，S

H

= GND

45V

V

DD

= 4 5 V

4.5

3.0

3.0

4.1

4.1

0.75

0.75

0.55

0.55

1.3

1.3

1.1

1.1

W

A

www.vishay.com

2

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

SiP41101

新产品

特定网络阳离子

a

测试条件除非指定

参数

MOSFET驱动器

高边上升时间

c

高端下降时间

c

高边

高端传播延迟

c

低端上升时间

c

低端下降时间

c

低端

低端传播延迟

c

t

rH

t

fH

t

D（关闭）H-

DTH -L

Vishay Siliconix公司

范围

民

a

典型值

b

15

15

25

5

25

15

10

25

ns

符号

V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

BOOT

= 4.5 V至30 V ，T

A

= -40 85 ℃下

最大

a

单位

10% - 90%

90% - 10%

50% - 50%

10% - 90%

90% - 10%

50% - 50%

t

rL

t

fL

t

D（ OFF ）长

DTL -H

笔记

一。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值（ -40_到85_C ） 。

B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。通过设计保证。

时序波形

IN

OUT

H

OUT

L

t

D（关闭）H-

Dt

H-L

t

D（ OFF ）长

Dt

L-H

测试设置

V

DD

V

DD

BOOT

OUT

H

1

W

2 nF的

IN

V

DD

SYNC_EN

SD

OUT

L

S

H

1.5 W

5 nF的

GND

GND

S

L

图1 。

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

www.vishay.com

3

SiP41101

Vishay Siliconix公司

新产品

引脚配置，订购信息以及真值表

SiP41101 （ TSSOP -16 ）

IN

GND

SYNC_EN

SD

S

L

OUT

L

NC

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

V

DD

NC

V

DD

NC

BOOT

NC

OUT

H

S

H

订购信息

产品型号

SiP41101DQ-T1

温度范围

-40到85°C

记号

41101

EVAL KIT

SiP41101DB

温度范围

-40到85°C

真值表

SD

H

H

H

H

L

SYNC_EN

H

H

L

L

X

IN

L

H

L

H

X

OUT

H

L

H

L

H

L

OUT

L

H

L

L

L

L

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7, 8, 11, 13, 15

9

10

12

14, 16

名字

IN

GND

SYNC_EN

SD

S

L

OUT

L

NC

S

H

OUT

H

BOOT

V

DD

地

功能

输入信号到MOSFET驱动器

同步MOSFET启用

关闭

连接至低边MOSFET的源极

同步或低侧MOSFET栅极驱动器

无连接

连接到高侧MOSFET的源极

控制或高侧MOSFET栅极驱动器

连接自举电容

+ 5V电源

www.vishay.com

4

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

SiP41101

新产品

功能框图

V

DD

BOOT

Vishay Siliconix公司

Levelshift

OUT

H

S

H

SD

欠压

+

-

V

DD

V

BBM

IN

SYNC EN

GND

OUT

L

S

L

图2中。

具体操作

先开后合式功能

该SiP41101具有内部断裂前先功能

确保两个高侧和低侧MOSFET是不

导通的同时。高侧驱动器（输出

H

）不会

打开直到低侧栅极驱动电压（在所测量的

OUT

L

销）小于V

BBM

，从而确保了低侧

MOSFET被关断。低侧驱动器（输出

L

）不会打开

上，直到在MOSFET的半桥输出电压

（在S测定

L

销）小于V

BBM

，从而确保

高边MOSFET导通

欠压锁定功能

该SiP41101具有一个内部欠压闭锁功能

防止驱动MOSFET的栅极，当供电电压（在

V

DD

）低于欠压锁定规范

(V

UVL

） 。这可以防止输出MOSFET被开启

在没有足够的栅极电压，以确保它们是完全的。

有滞后包括在此功能可以防止锁定

从循环开启和关闭。

典型特征（ 25_C除非另有说明）

100

I

DD

电源电流与频率的关系

50

上升和下降时间对丙

负载

40

上升和下降时间（ NS ）

50

电流（mA ）

t

R（ OUTL ）

30

t

R（ OUTH ）

20

20

10

t

F（ OUTL ）

t

F（ OUTH ）

10

100

200

频率（kHz ）

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

500

1000

0

0.3

1

3

10

负载电容（ NF）

www.vishay.com

5

SiP41101

新产品

Vishay Siliconix公司

半桥式N沟道MOSFET驱动器与断裂前先

特点

D

D

D

D

D

D

D

5 -V门极驱动

欠压锁定

子1 -W栅极驱动器

内置自举二极管

驱动MOSFET在4.5 30 -V系统

开关频率： 250 kHz至1 MHz的

同步启用/禁用选项

应用

D

D

D

D

D

D

多相直流/直流

高电流同步降压转换器

高频同步降压转换器

异步到同步改编

手机电脑DC / DC转换器

台式电脑的DC / DC转换器

描述

该SiP41101是高速半桥式驱动器，以

先接后断，在高频率使用，大电流

多相直流到直流电源对电源电压为

高达30 V.它的设计频率高达运营

1兆赫。高侧驱动器的自举，以允许驱动

n沟道高边MOSFET 。自举二极管内部。

输出驱动器提供电流高达4A，允许使用

低R

DS （ ON）

功率MOSFET。

该SiP41101带有内部断裂前先

电路，以防止直通电流在外部

的MOSFET。在SD控制销被设置，以使

驱动程序。一个同步启动控制引脚提供

禁用低边或同步MOSFET来

最大限度地提高低输出电流条件下的效率。

该SiP41101可在一个16引脚TSSOP封装的

工作在-40至+85 C的工业温度范围。

典型应用图

+5 V至30 V

+5 V

V

DD

BOOT

OUT

H

IN

调节器

SYNC_EN

SD

SiP41101

S

H

V

OUT

OUT

L

GND

S

L

GND

GND

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

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1

SiP41101

Vishay Siliconix公司

新产品

绝对最大额定值（参考GND = 0 V所有电压）

V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

V

IN

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

V

SH

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V

V

BOOT

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V

SH

+ 7 V

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40至150_C

工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125_C

功耗

a

TSSOP -16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 925毫瓦

热阻抗（Q

JA

)

a

TSSOP -16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135_C / W

笔记

一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的操作范围（参考GND = 0 V所有电压）

V

DD

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5 V至5.5 V

V

BOOT

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5 V至30 V

C

BOOT

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 nF的1

mF

工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40至+85 C

特定网络阳离子

a

测试条件除非指定

p

参数

电源

电源电压

电源电流

静态电流

V

DD

I

DD

I

DDQ

f

IN

= 300千赫， SD = H ， Sync_en = H

见图1

IN = L， SD = H ， Sync_en = H ，空载

4.5

25

1.4

5.5

40

2.5

V

mA

mA

范围

民

a

典型值

b

最大

a

单位

符号

V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

BOOT

= 4.5 V至30 V ，T

A

= -40 85 ℃下

参考电压

突破前先

V

BBM

V

DD

= 5.5 V

2.5

V

逻辑输入 - IN，同步恩， SD

输入高

输入低

V

IH

V

IL

2.5

1.0

V

欠压锁定

V

DD

欠压

欠压滞后

V

UVL

V

HYST

V

DD

升起

2.5

3.6

400

4.4

V

mV

自举二极管

正向电压

V

F

I

F

= 10毫安

0.65

V

MOSFET驱动器

高边

高侧驱动电流

c

低端

低端驱动电流

c

高边

高侧驱动器阻抗

低端

低端驱动器阻抗

I

PKH （源）

I

PKH （汇）

I

PKL （源）

I

PKL （汇）

R

DH （源）

R

DH （汇）

R

DL （ SOURCE ）

R

DL （ SINK ）

V

BOOT

- V

SH

= 4.5 V, V

OUTH

-V

SA

=2 25V

45V

V =2.25V

V

DD

= 4.5 V, V

OUTL

=2 25V

45V

=2.25V

V

DD

= 4.5 V ，S

H

= GND

45V

V

DD

= 4 5 V

4.5

3.0

3.0

4.1

4.1

0.75

0.75

0.55

0.55

1.3

1.3

1.1

1.1

W

A

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2

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

SiP41101

新产品

特定网络阳离子

a

测试条件除非指定

参数

MOSFET驱动器

高边上升时间

c

高端下降时间

c

高边

高端传播延迟

c

低端上升时间

c

低端下降时间

c

低端

低端传播延迟

c

t

rH

t

fH

t

D（关闭）H-

DTH -L

Vishay Siliconix公司

范围

民

a

典型值

b

15

15

25

5

25

15

10

25

ns

符号

V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

BOOT

= 4.5 V至30 V ，T

A

= -40 85 ℃下

最大

a

单位

10% - 90%

90% - 10%

50% - 50%

10% - 90%

90% - 10%

50% - 50%

t

rL

t

fL

t

D（ OFF ）长

DTL -H

笔记

一。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值（ -40_到85_C ） 。

B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。通过设计保证。

时序波形

IN

OUT

H

OUT

L

t

D（关闭）H-

Dt

H-L

t

D（ OFF ）长

Dt

L-H

测试设置

V

DD

V

DD

BOOT

OUT

H

1

W

2 nF的

IN

V

DD

SYNC_EN

SD

OUT

L

S

H

1.5 W

5 nF的

GND

GND

S

L

图1 。

文档编号： 72377

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3

SiP41101

Vishay Siliconix公司

新产品

引脚配置，订购信息以及真值表

SiP41101 （ TSSOP -16 ）

IN

GND

SYNC_EN

SD

S

L

OUT

L

NC

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

V

DD

NC

V

DD

NC

BOOT

NC

OUT

H

S

H

订购信息

产品型号

SiP41101DQ-T1

温度范围

-40到85°C

记号

41101

EVAL KIT

SiP41101DB

温度范围

-40到85°C

真值表

SD

H

H

H

H

L

SYNC_EN

H

H

L

L

X

IN

L

H

L

H

X

OUT

H

L

H

L

H

L

OUT

L

H

L

L

L

L

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7, 8, 11, 13, 15

9

10

12

14, 16

名字

IN

GND

SYNC_EN

SD

S

L

OUT

L

NC

S

H

OUT

H

BOOT

V

DD

地

功能

输入信号到MOSFET驱动器

同步MOSFET启用

关闭

连接至低边MOSFET的源极

同步或低侧MOSFET栅极驱动器

无连接

连接到高侧MOSFET的源极

控制或高侧MOSFET栅极驱动器

连接自举电容

+ 5V电源

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文档编号： 72377

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SiP41101

新产品

功能框图

V

DD

BOOT

Vishay Siliconix公司

Levelshift

OUT

H

S

H

SD

欠压

+

-

V

DD

V

BBM

IN

SYNC EN

GND

OUT

L

S

L

图2中。

具体操作

先开后合式功能

该SiP41101具有内部断裂前先功能

确保两个高侧和低侧MOSFET是不

导通的同时。高侧驱动器（输出

H

）不会

打开直到低侧栅极驱动电压（在所测量的

OUT

L

销）小于V

BBM

，从而确保了低侧

MOSFET被关断。低侧驱动器（输出

L

）不会打开

上，直到在MOSFET的半桥输出电压

（在S测定

L

销）小于V

BBM

，从而确保

高边MOSFET导通

欠压锁定功能

该SiP41101具有一个内部欠压闭锁功能

防止驱动MOSFET的栅极，当供电电压（在

V

DD

）低于欠压锁定规范

(V

UVL

） 。这可以防止输出MOSFET被开启

在没有足够的栅极电压，以确保它们是完全的。

有滞后包括在此功能可以防止锁定

从循环开启和关闭。

典型特征（ 25_C除非另有说明）

100

I

DD

电源电流与频率的关系

50

上升和下降时间对丙

负载

40

上升和下降时间（ NS ）

50

电流（mA ）

t

R（ OUTL ）

30

t

R（ OUTH ）

20

20

10

t

F（ OUTL ）

t

F（ OUTH ）

10

100

200

频率（kHz ）

文档编号： 72377

S- 31578 -REV 。 A， 11 - 8 - 03

500

1000

0

0.3

1

3

10

负载电容（ NF）

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5