SiP32452 ， SiP32453
Vishay Siliconix公司
1 V ，在微FOOT 55 m负载开关
描述
SiP32452和SiP32453为n沟道集成高边
该运营从0.9 V至2.5 V的输入电压负载开关
范围内。
SiP32452和SiP32453具有低输入逻辑控制阈值
可以与低电压控制的GPIO接口直接
无需额外的电平转换或驱动程序。有一个上拉下来，在这
EN逻辑控制引脚。
打开时间快，在不到25 μs的典型输入
电压为1.2伏或更高。 SiP32452具有快速关断延迟
不到1微秒的时间，而SiP32453有保证
关闭超过30微秒，一般为90微秒的延迟。
无论SiP32452和SiP32453在紧凑型可
晶圆级CSP封装， MICRO FOOT
4颠簸
0.8毫米×0.8毫米，间距为0.4mm 。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
低输入电压为0.9 V至2.5 V
低R
ON
55 m典型
在时间快速打开
低逻辑控制与迟滞
禁用时，反向电流阻断
集成了上拉下来EN引脚
4焊球micro FOOT
包
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
电池供电设备
智能手机
GPS和PMP
电脑
医疗保健设备
工业和仪器
蜂窝电话和便携式媒体播放器
游戏机
典型应用电路
V
IN
IN
OUT
V
OUT
SiP32452 ， SiP32453
C
IN
4.7
F
EN
EN
GND
C
OUT
0.1
F
GND
GND
图1 - SiP32452和SiP32453典型应用电路
文档编号： 63315
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订购信息
温度范围
- 40 ° C至85°C
包
MICRO FOOT
： 4颠簸
（2× 2 ，0.4 mm间距，
208微米的凸起高度）
记号
AB
AC
产品型号
SiP32452DB-T2-GE1
SiP32453DB-T2-GE1
注意：
GE1表示无卤素，符合RoHS规范
绝对最大额定值
参数
电源输入电压（V
IN
)
使能输入电压（V
EN
)
输出电压（V
OUT
)
最大连续开关电流（I
马克斯。
)
最大脉冲电流（I
DM
) V
IN
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
ESD额定值（ HBM ）
结温（T
J
)
热阻（ θ
JA
)
功耗（P
D
)
a
a
极限
- 0.3 2.75
- 0.3 2.75
- 0.3 2.75
1.2
2
4000
- 40 125
280
196
单位
V
A
V
°C
° C / W
mW
注意事项：
一。设备安装与所有导线和电源板焊或焊接到印刷电路板。
B 。减免3.6毫瓦/ ° C以上牛逼
A
= 70 °C.
超越那些在"Absolute最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
评价/长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
参数
输入电压范围（V
IN
)
工作温度范围
极限
0.9 2.5
- 40-85
单位
V
°C
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特定网络阳离子
测试条件除非指定
V
IN
= 1 V ，T
A
= - 40 ° C至85°C
（典型值是在T
A
= 25 °C)
V
IN
= 1.2 V, V
EN
= V
IN
， OUT =开
V
IN
= 2.5 V, V
EN
= V
IN
， OUT =开
EN = GND ， OUT =开
EN = GND ， OUT = 0 V
V
OUT
= 2.5 V, V
IN
= 0.9 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 1 V，I
L
= 200毫安，T
A
= 25 °C
导通电阻
R
DS （ ON）
V
IN
= 1.2 V，I
L
= 200毫安，T
A
= 25 °C
V
IN
= 1.8 V，I
L
= 200毫安，T
A
= 25 °C
V
IN
= 2.5 V，I
L
= 200毫安，T
A
= 25 °C
导通电阻Temp.系数
EN输入低电压
c
EN输入高电压
c
EN输入漏
输出导通延迟时间
输出导通上升时间
TC
RDS
V
IL
V
IH
I
EN
t
D（上）
t
r
V
IN
= 1 V
V
IN
= 2.5 V
V
IN
= 2.5 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 2.5 V, V
EN
= 2.5 V
在这两方面， V
IN
= 1.2 V
在这两方面， V
IN
= 2.5 V
在这两方面， V
IN
= 1.2 V
在这两方面， V
IN
= 2.5 V
SiP32452 ，V
IN
= 1.2 V
输出关断延迟时间
t
D（关闭）
SiP32452 ，V
IN
= 2.5 V
SiP32453 ，V
IN
= 1.2 V
SiP32453 ，V
IN
= 2.5 V
R
负载
= 10
,
C
L
= 0.1 F
T
A
= 25 °C
范围
分钟。
a
0.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-
-
10
5
-
-
30
30
典型值。
b
-
10
34
-
-
0.001
56
55
54
54
3900
-
-
-
10
0.4
0.05
20
9.8
0.25
0.15
98
86
马克斯。
a
2.5
15
60
1
30
10
65
65
65
65
-
0.1
-
1
15
1
1
30
20
1
1
150
150
s
PPM /°C的
V
m
A
单位
V
参数
工作电压
c
静态电流
OFF电源电流
关闭开关电流
反向电流阻断
符号
V
IN
I
Q
I
Q（ OFF）
I
DS （关闭）
I
RB
A
注意事项：
一。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。对于V
IN
超出此范围的磋商典型EN阈值曲线。
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引脚配置
指数焊球A1
1
IN
2
OUT
2
OUT
1
IN
A
A
W
A
EN
B
B
GND
GND
EN
B
背面
Bumpside
图2 - MICRO FOOT
2× 2包
引脚说明
引脚数
A1
A2
B1
B2
名字
IN
OUT
EN
GND
功能
该引脚为n沟道MOSFET的漏极连接。旁路到地通过一个4.7 μF的电容。
该引脚为N沟道MOSFET的源极连接。旁路到地通过一个0.1 μF的电容。
使能输入
接地连接
典型特征
（内部调节， 25 ° C，除非另有说明）
45
40
50
45
V
IN
= 2.5 V
I Q - 静态电流（ μA ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
V
IN
(V)
I
Q
- 静态电流（ μA ）
40
35
30
25
20
15
V
IN
= 1.2 V
10
5
0
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
V
IN
= 1 V
图3 - 静态电流与输入电压
12
1000
100
I
Q（ OFF）
- 关闭电源电流（ NA）
10
图4 - 静态电流与温度的关系
I
Q（ OFF）
- 关闭电源电流（ NA）
10
8
V
IN
= 2.5 V
1
0.1
0.01
V
IN
= 1 V
0.001
V
IN
= 1.2 V
6
4
2
0
0.8
1.2
1.6
V
IN
(V)
2.0
2.4
2.8
0.0001
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
图5 - 关断电源电流与输入电压
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图6 - 关电源电流与温度的关系
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典型特征
（内部调节， 25 ° C，除非另有说明）
1000
900
I
DS （关闭）
- 关闭开关电流（ NA）
800
700
600
500
400
300
200
0.8
1.2
1.6
V
IN
(V)
2
2.4
2.8
0
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
I
DS （关闭）
- 关闭开关电流（ NA）
100 000
V
IN
= 2.5 V
10 000
1000
V
IN
= 1.2 V
100
10
V
IN
= 1 V
1
温度（℃）
图7 - OFF开关电流与输入电压
66
64
图8 - OFF开关电流与温度的关系
75
V
IN
= 1.2 V
70
R
DS
- 导通电阻（ MΩ）
65
60
55
50
45
40
- 40
I
O
= 200毫安
R
DS
- 导通电阻（ MΩ）
62
60
58
56
54
52
50
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
I
O
= 0.2 A
I
O
= 0.5 A
I
O
= 1.2 A
- 20
0
20
40
60
80
100
V
IN
(V)
温度（℃）
图9 - R的
DS （ ON）
与V
IN
12
V
IN
= 2.5 V
10
I
EN
- EN电流（ μA ）
2.0
1.8
1.6
1.4
I
IN
（ nA的）
1.2
1.0
0.8
图10 - R的
DS （ ON）
与温度的关系
V
IN
= 0.9 V
8
6
4
0.6
0.4
0.2
2
0
0
0.5
1
V
EN
(V)
1.5
2
2.5
0
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8 2
V
OUT
(V)
2.2
2.4
2.6
2.8
图11 - I
EN
与V
EN
图12 - 反向阻断电流和输出电压
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