SiP11206
Vishay Siliconix公司
半桥控制器与主MOSFET驱动器
中间总线转换器
描述
SiP11206是一个控制器，用于半桥的初级侧
中间总线转换器（ IBC） 。它非常适合
孤立的应用，如电信，数据通信
并要求在IBC架构的其他产品和
换算标准总线电压，如48 V至较低
中间电压，当需要在低效率高
输出电压（ 24 V ， 12 V ， 9 V或5 V ） 。
设计的电信电压范围内操作
36 V至75 V和承受100V的瞬态一段
100毫秒， IC是专为控制和驱动两种
一个半桥的低和高侧开关元件
转换器。
该SiP11206工作在一个固定的占空比，以提供
最高的效率在很宽的输入电压范围。 SiP11206
具有先进的电流监测和控制电路，其
允许用户设置的最大电流，在初级
电路。此功能可作为过电流保护，
输出短路。电流检测是通过感装置
电阻串联连接在所述初级低侧
MOSFET。
特点
36 V至75 V的输入电压范围
耐压100伏， 100毫秒瞬态能力
集成的± 1.6典型的高边和低边MOSFET
DRIVERS
振荡器频率可在200 kHz至
为1 MHz ，并且可以外部同步
在启动过程中高压预稳压器
电流感应初级低压侧开关
打嗝模式
系统低输入电压检测
芯片UVLO功能
可编程软启动功能
过温保护（ 160 ° C）
大于95 ％的效率
应用
中间总线架构
电信和数据通信
路由器和服务器
存储区域网络
基站
1/8和1/4砖
典型应用电路
VIN +
36 V至75 V
100伏/ 100毫秒
VIN-
Si2303BDS
1
2
3
4
5
6
7
8
V
INDET
V
IN
V
CC
COMP
CS
AGND
V
REF
R
OSC
SiP11206
BST
DH
LX
DL
保护地
SS
R
DB
C
OSC
16
Si7848DP
15
14
13
12
11
10
9
Si7456DP
Si7456DP
VO +
Si7848DP
VO-
R
DB
文档编号： 69232
S- 81795 -REV 。 C， 04 - 8 - 08
Si2303BDS
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1
SiP11206
Vishay Siliconix公司
技术说明
SiP11206是上的一个初级侧的开关控制器
半桥中间总线转换器。用100伏枯竭
型MOSFET ，在芯片中， SiP11206能够感
直接从高压母线到V供电
CC
通过
外部PNP旁路晶体管，或者可以通过一个驱动
外部电源直接向V
CC
引脚。
无需使用外部晶体管的，失败的
转换器的输出功率V
CC
在V以上
REG
水平
导致过温保护激活打嗝
操作时，预调节的功率耗散
过大。外部高边和低边
N沟道功率MOSFET是由内置于驱动器驱动
具有± 1.6 A峰值电流能力。
SiP11206在MLP44-16的PowerPAK可用
包
和TSSOP -16型PowerPAK
指定封装，
的环境温度范围 - 40 ° C至+ 85°C
SIP11206框图
V
IN
V
REG
COMP
预注册
V
CC
UVLO
+
V
SD
水平
移
BST
DH
-
V
INDET
V
REF
BG
AGND
SS
I
DSS
+
+
-
V
UV
+
V
CC
-
V
UV
高侧驱动器
司机
控制
EN
LX
I
SS
0.85
V
SS
-
+
250毫伏
SS COMP
DL
Le
低侧驱动器
EN
OTP
4.8
V
CS
过电流保护
D
最大
EN
PWM COMP
坡道
保护地
I
DSS
0.13
V
Le
EN
V
REF
OSC
EN
EN
I
BIAS
I
SS
I
BIAS
V
REF
0.200
V
R
OSC
R
DB
C
OSC
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文档编号： 69232
S- 81795 -REV 。 C， 04 - 8 - 08
SiP11206
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绝对最大额定值
参考GND = 0 V所有电压
参数
V
IN
, V
LX
V
CC
V
BST
V
BST -
V
LX
逻辑输入
线性输入
HV预稳压器输入电流（连续）
储存温度
最高结温
功耗
热阻抗（ θ
JA
)
的PowerPAK MLP44-16
A，B
的PowerPAK TSSOP -16
A，C
的PowerPAK MLP44-16
A，B
的PowerPAK TSSOP -16
A，C
连续
100毫秒
连续
100毫秒
极限
80
100
14.5
95
112
15
- 0.3 V
CC
+ 0.3
- 0.3 V
CC
+ 0.3
10
- 65 150
150
2564
2630
39
38
mA
°C
mW
° C / W
V
单位
注意事项：
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免25.6毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免26.3毫瓦/°C， 25°C以上。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作范围
参考GND = 0 V所有电压
参数
V
IN
V
BST
V
BST
- V
LX
V
CC
逻辑输入
线性输入
F
OSC
R
OSC
C
OSC
C
SS
C
COMP
V
REF
电容到GND
C
BOOST
V
CC
电容到GND
连续
100毫秒
极限
36 75
100
V
IN
+ 10.5 V
IN
+ 13.2
10.5 13.2
10.5 13.2
- 0.3 V
CC
+ 0.3
- 0.3 V
CC
+ 0.3
200-1000
40至200
100至220
10至100
2.2
1
0.1
4.7
F
千赫
kΩ
pF
nF
V
单位
文档编号： 69232
S- 81795 -REV 。 C， 04 - 8 - 08
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SiP11206
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特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
T
A
= - 40 ° C至
+
85 ° C，F
OSC
= 800千赫，
10.5 V
≤
V
CC
≤
13.2 V, V
INDET
= 4.8 V, V
IN
= 48 V,
R
DB
= 47.5 kΩ的，R
OSC
= 47.5 kΩ的，C
OSC
= 100 pF的
范围
参数
预稳压器
V
IN
范围
预注册目前（截止）
预注册电流（待机）
预注册电流（开关）
预注册输出电压
预注册驱动电流
预注册负载调整
预先注册的线路调整
调节补偿
V
CC
电源电压
V
CC
范围
关断电流
静态电流
电源电流
关闭UVLO门限
迟滞
V
CC
钳位电压
电流检测
电流限制阈值1 （ MOC ）
a
电流限制阈值2 （ SOC ）
b
CS为DL延迟
前沿消隐期
脉宽调制器
最大占空比
c
最大占空比不对称
R
DB
电压
振荡器
振荡器频率
d
振荡器的偏置电压
软启动
软启动充电电流
SS斜坡电压竣工
商务部放电电流
SOC放电电流
复位电压
参考
输出电压
短路电流
负载调整率
符号
V
IN
I
VINLKG
I
VINSD
I
VINSW
V
REG
I
开始
LDR
LNR
I
SRC
I
SNK
V
CC
I
SD
I
Q
I
CC
UVLO
H
H
UVLO
V
钳
V
MOC
V
SOC
T
D
T
BL
D
最大
V
RDB
F
OSC
V
ROSC
I
SS
V
SS
I
DSS1
I
DSS2
V
SSL
V
REF
I
REFSC
ΔV
R
/ΔI
R
分钟。
36
典型值。
48
90
马克斯。
75
10
200
8.7
10.4
单位
V
A
mA
V
mA
mV
%/V
V
IN
= 75 V, V
CC
> 10.5 V
V
IN
= 75 V, V
INDET
= 0 V
V
IN
= 75 V, V
INDET
= 7.5 V
V
CC
电压V
IN
= 48 V
V
CC
＆ LT ; V
REG
I
负载
：0到20毫安
- 35
40
10.5
V
INDET
= 0 V
V
INDET
＆ LT ; V
REF
V
INDET
＆ GT ; V
REF
V
CC
升起
力20毫安成V
CC
I
SS
= 20 μA ，C
SS
= 1 nF的
I
SS
= 400 nA的，C
SS
= 1 nF的
DL
（上）
消隐时间
50
4.0
5.5
7.6
14
105
165
3.3
7.8
20
100
0.05
V
CC
= 12 V
- 20
87
12
150
5.0
7.2
9.0
1.2
15.3
130
200
150
20
47
1
3.18
R
OSC
= 47 kΩ的，C
OSC
= 100 pF的
680
800
3.24
V
SS
= 0 V
CS = V
MOC
CS = V
SOC
CS < V
MOC
V
CC
= 12 V
V
REF
= 0 V
（ 0毫安
≤
I
负载
≤
2.5毫安）
3.2
- 50
- 33
- 26
14
- 20
5.4
20
400
0.25
3.3
- 42
- 16
6.0
9.3
- 10
130
13.2
350
6.2
9.5
10
A
V
A
mA
V
16.2
160
235
mV
ns
50
%
V
920
千赫
V
- 14
26
A
V
A
nA
V
3.4
V
mA
mV
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4
文档编号： 69232
S- 81795 -REV 。 C， 04 - 8 - 08
SiP11206
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
T
A
= - 40 ° C至85 ° C，F
OSC
= 800千赫，
10.5 V
≤
V
CC
≤
13.2 V, V
INDET
= 4.8 V, V
IN
= 48 V,
R
DB
= 47.5 kΩ的，R
OSC
= 47.5 kΩ的，C
OSC
= 100 pF的
范围
参数
V
INDET
功能
V
INDET
引脚输入阻抗
关断阈值电压高
断迟滞电压
欠压关断电压
欠压滞后电压
过温保护（ OTP ）
活化温度
去活化温度
输出高电压（差分）
输出低电压（差分）
峰值输出电流采购
峰值输出电流下沉
驱动频率
上升时间
下降时间
升压引脚电流（开关）
LX引脚电流（开关）
LX引脚漏电流
输出高电压（差分）
输出低电压（差分）
峰值输出电流采购
峰值输出电流下沉
驱动频率
上升时间
下降时间
符号
R
INDET
V
SDH
H
SD
V
UVH
H
UV
OTP
ON
OTP
关闭
V
DHH
V
DHL
I
DHH
I
DHL
F
DH
t
HR
t
HF
I
BST
I
LX
I
LX- LKG
V
DLH
V
DLL
I
DLH
I
DLL
F
DL
t
LR
t
LF
分钟。
30
典型值。
46
0.58
0.15
3.30
0.26
马克斯。
70
0.76
3.46
单位
kΩ
V
INDET
升起
V
INDET
在我上升
CC
0.33
3.14
V
T
J
升起
T
J
落下
采购10毫安，V
DH
- V
BST
灌电流为10毫安， V
DH
-V
LX
V
CC
= 10.5 V ，C
负载
= 3 nF的
340
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
V
LX
= 75 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
INDET
= 0 V, V
LX
= 40 V
采购10毫安，V
DL
- V
CC
灌电流为10毫安， V
DL
- V
AGND
V
CC
= 10.5 V ，C
负载
= 3 nF的
340
C
负载
= 3 nF的
C
负载
= 3 nF的
- 0.3
1.3
- 2.1
- 0.3
160
145
°C
高边MOSFET驱动器（ DH输出）
0.3
- 2.2
1.6
400
20
20
2.6
- 1.4
3.9
- 0.7
10
460
V
A
千赫
ns
mA
A
低边MOSFET驱动器（ DL输出）
0.3
- 1.6
1.6
400
20
20
460
V
A
千赫
ns
注意事项：
一。商务部表示，在CS引脚温和过流电压。
B 。 SOC代表在CS引脚严重的过载电流的电压。
。
DB
应选择为每个应用程序提供适当的死区时间。对于生产测试R
DB
选择要测试的47 ％的目标任务。
。未经测试。通过驱动频率测试保证。驱动频率为一半的振荡器频率。
文档编号： 69232
S- 81795 -REV 。 C， 04 - 8 - 08
www.vishay.com
5
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