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V中文AY I N T E T E C H N 0 1 摹Y， I N以下。
600 V功率MOSFET
SihG22n60S - E3 / SihG47n60S -E3
M O对S F é TS
产品概述
W W瓦特V I S h的年。 C 0米
600 V功率MOSFET
SihG22n60S - E3 / SihG47n60S -E3
日前，Vishay也加入到它的超级结功率MOSFET系列与采用TO - 247封装的新N沟道器件，具有
超低最大导通电阻和低栅极电荷为优点的一种改进的因数（FOM ） 。
产品特点：
高鹗
ar
能力
改进的R
on
X Q
g
品质因数（ FOM ）
–
–
18.81 Ω -NC （ SiHG22N60S -E3 ）
- SiHP22N60S -E3 ， SiHF22N60S - E3和SiHB22N60S -E3也可
15.12 Ω -NC （ SiHG47N60S -E3 ）
超低R
DS （ ON）
超低栅极电荷（Q
g
)
100％的雪崩测试
的dv / dt坚固
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
PFC电源级
硬开关拓扑
太阳能逆变器
UPS
电机控制
灯光
电信服务器
这些器件采用Vishay的超级结技术，该技术已针对减少通态电阻出品
并承受高能量脉冲雪崩和换向模式。
太阳能电池和逆变器的方框图
太阳能电池
隔离式DC / DC
变频驱动
DRIVE
*
DRIVE
*
格
CTRL
*
DRIVE
*
DRIVE
*
隔离式DC / DC
偏置控制器
产品型号
SihG22n60S-e3*
SihG47n60S-e3*
v
dS
(v)
600
600
v
GS
(± v)
20
20
i
dS
(25 c)
(A)
22
47
r
DS （ ON）
(mΩ)
190
70
Q
g
（ NC ）
115
216
www.vishay.com
CTRL
日前，Vishay Intertechnology
1
600 V功率MOSFET
SihG22n60S - E3 / SihG47n60S -E3
通信电源原理框图
电信整流器器
桥式整流器器
PFC
380 ~
410 V
电信砖模块
隔离式DC / DC
48 V
5~
12 V
负载点
非隔离式DC / DC
3.3 V
隔离式DC / DC
85 ~
265 V
AC
CTRL
*
CTRL
CTRL
CTRL
CTRL
CTRL
产品型号
SihG22n60S-e3*
SihG47n60S-e3*
v
dS
(v)
600
600
v
GS
(± v)
20
20
i
dS
(25 c)
(A)
22
47
r
DS （ ON）
(mΩ)
190
70
Q
g
（ NC ）
115
216
光电耦合器
服务器电源原理框图
PFC
动力
因素
更正
*
* *
产品型号
SihG22n60S-e3*
SihG47n60S-e3*
v
dS
(v)
600
600
v
GS
(± v)
20
20
i
dS
(25 c)
(A)
22
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r
DS （ ON）
(mΩ)
190
70
Q
g
（ NC ）
115
216
* *
光电耦合器
电机控制电源的原理框图
AC输入整流器器和PFC
V
AC
IC
制动开关和3相逆变器
*
汽车
偏置电源
控制和门驱动
位置传感
产品型号
SihG22n60S-e3*
SihG47n60S-e3*
v
dS
(v)
600
600
v
GS
(± v)
20
20
i
dS
(25 c)
(A)
22
47
r
DS （ ON）
(mΩ)
190
70
Q
g
（ NC ）
115
216
本文如有更改，恕不另行通知。本文所述产品及本文档受具体
免责声明，提出在
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日前，Vishay Intertechnology
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2
半导体：
整流器高功率二极管和晶闸管小信号二极管齐纳和抑制二极管
场效应管光电集成电路模块
被动元件：
电阻产品磁电容器
分立半导体和无源元件
其中全球最大的制造商
全球销售联系
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W W瓦特V I S h的年。 C 0米
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