SiHG17N60D
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Vishay Siliconix公司
D系列功率MOSFET
产品概述
V
DS
（五）在T
J
马克斯。
R
DS （ ON）
最大。在25℃ （ ）
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
90
14
22
单身
D
特点
650
0.340
优化设计
- 低区导通电阻
- 低输入电容（C
国际空间站
)
- 减少电容开关损耗
- 高体二极管耐用
- 额定雪崩能量（ UIS）
最佳效率和操作
- 低成本
- 简单的栅极驱动器电路
- 低图-的品质因数（ FOM ） ，R
on
X Q
g
- 快速切换
材料分类：为符合定义
请参阅
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TO-247AC
G
S
D
G
S
N沟道MOSFET
应用
- 消费电子
- 显示器（LCD或等离子电视）
- 照明
=工业
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
- 电池充电器
SMPS
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
铅（ Pb），且无卤
TO-247AC
SiHG17N60D-E3
SiHG17N60D-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
工作结存储温度范围
漏源电压斜率
反向二极管
dv / dt的
d
10秒
焊接建议（峰值温度）
c
T
J
= 125 °C
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 30
17
10.7
48
2.22
165.6
277.8
- 55至+ 150
24
0.2
300
W / ℃，
mJ
W
°C
V / ns的
°C
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 2.3 mH的，R
g
= 25
,
I
AS
= 12 A.
。 1.6毫米的情况。
D.我
SD
I
D
，起始物为
J
= 25 °C.
S12-0685 -REV 。 A， 02 -APR- 12
文档编号： 91496
1
如有技术问题，请联系：
hvm@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
62
0.45
单位
° C / W
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压（N ）
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
a
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部栅极电阻
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复电流
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 A
V
DS
= 50 V，I
D
= 8 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 100 V,
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
DS
= 480 V
分钟。
600
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.7
-
-
-
-
0.275
6.2
1780
140
15
45
14
22
22
56
37
30
1.6
马克斯。
-
-
5
± 100
1
100
0.340
-
-
-
-
90
-
-
45
85
75
60
-
单位
V
V /°C的
V
nA
μA
S
pF
nC
V
DD
= 300 V，I
D
= 8 A
R
g
= 9.1
,
V
GS
= 10 V
F = 1MHz时，漏极开路
-
-
-
-
ns
-
-
-
-
-
-
-
-
-
633
7
21
17
A
48
1.5
950
15
42
V
ns
μC
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 8 A，V
GS
= 0 V
T
J
= 25 ° C，I
F
= I
S
,
的di / dt = 100 A / μs的，V
R
= 20 V
记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
S12-0685 -REV 。 A， 02 -APR- 12
文档编号： 91496
2
如有技术问题，请联系：
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
50
顶部
15V
14V
13V
12V
11V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTYTOM 5.0
T
J
= 25
Vishay Siliconix公司
3.0
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
2.0
40
I
D
- 漏电流（ A）
2.5
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
7V
30
1.5
20
1.0
10
0.5
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
30
0.0
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
J
- 结温（ ° C）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
30
顶部
15V
14V
13V
12V
11V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTYTOM 5.0V
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
10000
24
I
D
- 漏电流（ A）
T
J
= 150
- 电容（pF ）
C
国际空间站
1000
18
7V
C
OSS
C
RSS
100
12
6
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
30
10
0
200
400
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
600
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
60
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
20
18
I
D
= 12 A
V
DS
=120 V
V
DS
= 300 V
I
D
，漏源电流（A ）
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
50
16
14
40
V
DS
= 480 V
12
10
8
6
4
2
0
30
20
TJ = 150℃
10
TJ = 25 C
0
0
5
10
15
20
V
GS
,
栅极 - 源
电压（V）的
25
0.0
20.0
40.0
60.0
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
80.0
图。 3 - 典型的传输特性
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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20.00
100
T
J
= 150
°C
I
S
-
来源
电流（A ）
10
ID ，漏电流（ A）
15.00
10.00
T
J
= 25
°C
1
5.00
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
1.4
1.6
0.00
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
100
I
DM
有限
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
725
700
675
650
625
600
575
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
10
限于由R
DS （ ON）
100 μs
1毫秒
1
10毫秒
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单身
脉冲
1
10
100
BVDSS有限公司
V
DS
，排水-to - 源击穿
电压（V）的
ID - 漏电流（ A）
0.1
550
1000
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
160
T
J
，温度（° C）
图。 8 - 最高安全工作区
图。 10 - 典型的漏 - 源极电压与温度的关系
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单身
脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
方
波脉冲持续时间（ S）
0.1
1
图。 11 - 归瞬态热阻抗，结至外壳
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R
D
V
DS
t
p
V
DD
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
V
DS
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
I
AS
图。 15 - 非钳位感应波形
图。 12 - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 V
Q
GS
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GD
V
G
收费
图。 13 - 开关时间波形
图。 16 - 基本栅极电荷波形
L
异吨
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
电流调节器
同类型D.U.T.
50 kΩ
D.U.T
I
AS
12 V
0.2 F
0.3 F
+
-
V
DD
D.U.T.
+
-
V
DS
10 V
t
p
0.01
Ω
V
GS
3毫安
图。 14 - 非钳位感应测试电路
I
G
I
D
电流采样电阻器
图。 17 - 栅极电荷测试电路
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