IRFPS40N50L ， SiHFPS40N50L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
380
80
190
单身
D
特点
500
0.087
超快体二极管无需使用
在ZVS应用外部二极管
更低的栅极电荷结果在简单的驱动器
需求
可用的
RoHS指令*
柔顺
增强的dV / dt能力提供了更好的耐用性
较高的栅极电压阈值提供了改进的噪声
免疫
铅（Pb） ，免费提供
SUPER-247
TM
应用
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
零电压开关SMPS
电信和服务器电源
不间断电源
电机控制应用
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
SUPER-247
TM
IRFPS40N50LPbF
SiHFPS40N50L-E3
IRFPS40N50L
SiHFPS40N50L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
T
C
= 25 °C
dv / dt的
c
10秒
最大功率耗散
峰值二极管恢复
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.86 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 46 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
46 A， di / dt的
≤
550 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
46
29
180
4.3
920
46
54
540
34
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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S- 81367 -REV 。 B， 21 -JUL- 08
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
案件到水槽，平面，脂表面
最大结到外壳
（漏）
a
记
一。
th
测定在T
J
大约90℃。
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.23
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
有效输出电容
（能源相关）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复电流
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
C
OSS EFF 。
（ ER）的
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 28 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 46 A
分钟。
500
-
3.0
-
-
-
-
21
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.60
-
-
-
-
0.087
-
8110
960
130
11200
240
440
310
-
-
-
0.90
27
170
50
69
马克斯。
-
-
5.0
± 100
50
2.0
0.100
-
-
-
-
-
-
-
-
380
80
190
-
-
-
-
-
单位
V
V /°C的
V
nA
A
mA
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V至400
V
c
pF
-
-
V
GS
= 10 V
I
D
= 46 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 7和15
b
-
-
-
-
-
-
-
nC
Ω
F = 1MHz时，漏极开路
V
DD
= 250 V，I
D
= 46 A,
R
G
= 0.85
Ω,
V
GS
= 10 V,
参见图。 14a和14b的
b
ns
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
170
220
705
1.3
9.0
46
A
180
1.5
250
330
1060
2.0
-
V
ns
nC
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 46 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 46 A
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
b
T
J
= 25 ° C，I
S
= 46 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100
T
J
= 25 °C
A / μs的
b
向前开启时间
t
on
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
400微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，其存储了相同的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
100
T
J
= 150
°
C
10
10
1
T
J
= 25
°
C
1
4.5V
0.1
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
V
DS = 50V
20μs的脉冲
宽度
4
5
6
7
8
9
10
11
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
顶部
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM4.5V
3.0
I
D
= 47A
2.5
2.0
10
4.5V
1.5
1.0
1
0.5
0.1
0.1
20μs的脉冲
宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60
80
100 120 140 160
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
，结温（
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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20
1000000
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
100000
V
GS = 0V中，f = 1兆赫
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
I
D
=
47A
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
C，电容（pF ）
15
10000
西塞
10
1000
科斯
100
CRSS
5
10
1
10
100
1000
0
0
100
200
300
400
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
40
35
30
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
100
能量（ μJ ）
25
20
15
10
5
0
0
100
200
300
400
500
600
T
J
= 150
°
C
10
T
J
= 25
°
C
1
0.1
0.2
V
GS
= 0
V
0.7
1.2
1.7
2.2
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
图。 6 - 典型输出电容储能与V
DS
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 8 - 典型的源漏二极管正向电压
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50
V
GS
V
DS
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
40
R
G
I
D
，漏电流（ A）
10
V
30
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
20
V
DS
90
%
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
1
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10B - 开关时间波形
热响应（Z
thJC
)
0.1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T.
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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S- 81367 -REV 。 B， 21 -JUL- 08
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