IRFP240 ， SiHFP240
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
70
13
39
单身
D
特点
200
0.18
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
隔离区安装孔
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于
早期的TO- 218封装，因为它孤立的安装孔。
它也提供了引脚之间更大的爬电距离
满足大多数安全技术规范的要求。
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP240PbF
SiHFP240-E3
IRFP240
SiHFP240
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
200
± 20
20
12
80
1.2
510
20
15
150
5.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 1.9 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 20 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
18 A， di / dt的
≤
150 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91210
S-挂起-REV 。 A， 24军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
IRFP240 ， SiHFP240
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.83
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 12 A
b
200
-
2.0
-
-
-
-
6.9
-
0.29
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.18
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1300
400
130
-
-
-
14
51
45
36
5.0
13
-
-
-
70
13
39
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 18 A，V
DS
= 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 100 V，I
D
= 18 A,
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 5.4
Ω,
参见图。 10
b
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
-
-
-
S
G
-
-
-
-
-
-
-
-
300
3.4
20
A
80
2.0
610
7.1
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 20 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 18 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91210
S-挂起-REV 。 A， 24军08
IRFP240 ， SiHFP240
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
70
13
39
单身
D
特点
200
0.18
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
隔离区安装孔
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于
早期的TO- 218封装，因为它孤立的安装孔。
它也提供了引脚之间更大的爬电距离
满足大多数安全技术规范的要求。
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP240PbF
SiHFP240-E3
IRFP240
SiHFP240
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
200
± 20
20
12
80
1.2
510
20
15
150
5.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 1.9 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 20 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
18 A， di / dt的
≤
150 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
www.kersemi.com
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IRFP240 ， SiHFP240
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.83
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 12 A
b
200
-
2.0
-
-
-
-
6.9
-
0.29
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.18
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1300
400
130
-
-
-
14
51
45
36
5.0
13
-
-
-
70
13
39
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 18 A，V
DS
= 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 100 V，I
D
= 18 A,
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 5.4
Ω,
参见图。 10
b
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
-
-
-
S
G
-
-
-
-
-
-
-
-
300
3.4
20
A
80
2.0
610
7.1
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 20 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 18 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
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