IRFB20N50K ， SiHFB20N50K
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
110
33
54
单身
D
特点
500
0.21
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
低R
DS （ ON）
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
·不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRFB20N50KPbF
SiHFB20N50K-E3
IRFB20N50K
SiHFB20N50K
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
20
12
80
2.2
330
20
28
280
6.9
- 55至+ 150
300
d
10
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
N
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 1.6 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 20 A.
C.我
SD
≤
20 A ， di / dt的
≤
350 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91101
S-挂起-REV 。 A， 11 - 8 - 08
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WORK -IN -PROGRESS
IRFB20N50K ， SiHFB20N50K
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
58
-
0.45
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 12 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
I
D
= 20 A，V
DS
= 400 V
参见图。 6和13
b
500
-
3.0
-
-
-
-
11
-
0.61
-
-
-
-
0.21
-
-
-
5.0
± 100
50
250
0.25
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2870
320
34
3480
85
160
-
-
-
22
74
45
33
-
-
-
-
-
-
110
33
54
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 250 V，I
D
= 20 A
R
G
= 7.5
Ω,
V
GS
= 10V ，见图。
10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
520
5.3
20
A
80
1.5
780
8.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 20 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 20 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。脉冲宽度
≤
400微秒;占空比
≤
2 %.
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IRFB20N50K ， SiHFB20N50K
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
VGS
前15名
V
12
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
底部5.0
V
100.0
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
T J = 150℃
10.0
1
1.0
T J = 25 C
0.1
5.0V
20
s
脉冲
宽度
T
J
= 25 °C
0.1
V
DS
= 50 V
0.0
0.01
0.1
1
10
100
20毫秒的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 1 - 典型的输出特性
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
r
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
VGS
前15名
V
12
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
底部5.0
V
3.5
I
D
= 20 A
3.0
2.5
2.0
1
5.0V
1.5
0.1
1.0
20
s
脉冲
宽度
T
J
= 25 °C
0.01
0.1
1
10
100
0.5
V
GS
= 10
V
0.0
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
，结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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100000
V
GS
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
100.0
10000
I
SD
，反向漏电流（ A）
C，电容（pF ）
T
J
= 150 °C
10.0
C
国际空间站
1000
C
OSS
100
1.0
C
RSS
10
1
10
100
1000
T
J
= 25 °C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
= 0
V
1.0
1.2
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
V
SD
，源漏
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
?
? ? ???
1000
V
DS
= 400
V
V
DS
= 250
V
V
DS
= 100
V
在这一领域有限
by
r
DS （ ON）
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
16
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
12
10
100
s
1毫秒
8
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
100
10毫秒
4
测试电路
见图13
0
0
20
40
60
80
100
120
0.1
1000
10000
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
20
V
DS
V
GS
D.U.T.
+
16
R
G
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
12
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
8
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
4
0
25
50
75
100
125
150
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
1
D = 0.50
热响应（Z
thJC
)
0.1
0.20
0.10
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X TthJC + TC
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
V
DS
15
V
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
A
A
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
58
-
0.45
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 12 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
I
D
= 20 A，V
DS
= 400 V
参见图。 6和13
b
500
-
3.0
-
-
-
-
11
-
0.61
-
-
-
-
0.21
-
-
-
5.0
± 100
50
250
0.25
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2870
320
34
3480
85
160
-
-
-
22
74
45
33
-
-
-
-
-
-
110
33
54
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 250 V，I
D
= 20 A
R
G
= 7.5
Ω,
V
GS
= 10V ，见图。
10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
520
5.3
20
A
80
1.5
780
8.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 20 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 20 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。脉冲宽度
≤
400微秒;占空比
≤
2 %.
2
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IRFB20N50K ， SiHFB20N50K
20
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
16
R
G
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
12
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
8
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
4
0
25
50
75
100
125
150
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
1
D = 0.50
热响应（Z
thJC
)
0.1
0.20
0.10
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X TthJC + TC
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
V
DS
15
V
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
A
A
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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5
QQ：2880707522 复制
