IRFB18N50K ， SiHFB18N50K
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
a
记
一。
th
测定在T
J
大约90℃。
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
58
-
0.56
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
b
500
-
3.0
-
-
-
-
6.4
-
0.59
-
-
-
-
0.26
-
-
-
5.0
± 100
50
250
0.29
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 50 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
I
D
= 17 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
V
GS
= 10 V
V
DD
= 250 V，I
D
= 17 A,
R
G
= 7.5
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2830
330
38
3310
93
155
-
-
-
22
60
45
30
-
-
-
-
-
-
120
34
54
-
-
-
-
ns
nC
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
520
5.3
17
A
68
1.5
780
8.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容即GIVS相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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2
文档编号： 91100
S- 80567 -REV 。 A， 20军08
QQ：2880707522 复制
