IRFB17N60K ， SiHFB17N60K
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
99
32
47
单身
D
特点
600
0.35
较小的TO- 220封装
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
·不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRFB17N60KPbF
SiHFB17N60K-E3
IRFB17N60K
SiHFB17N60K
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 30
17
11
68
2.7
330
17
34
340
11
- 55至+ 150
300
d
10
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
N
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 2.3 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 17 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
380 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91099
S- 81243 -REV 。 B， 21 -JUL- 08
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1
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
58
-
0.37
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
DS
= 480 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至480 V
I
D
= 17 A，V
DS
= 480 V
参见图。 6和13
600
-
3.0
-
-
-
-
5.9
-
600
-
-
-
-
0.35
-
-
-
5.0
± 100
50
250
0.42
-
V
毫伏/°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2700
240
21
2950
67
120
-
-
-
25
82
38
32
-
-
-
-
-
-
99
32
47
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 300 V，I
D
= 17 A,
R
G
= 7.5
Ω,
V
GS
= 10V ，见图。
10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
520
5620
580
6470
17
A
68
1.5
780
8430
870
9700
V
ns
nC
ns
nC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
T
J
= 125 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评级，脉冲宽度有限的最大值。结温。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
A
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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图。 12B - 松开电感的波形
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