IRF830A ， SiHF830A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
24
6.3
11
单身
D
特点
500
1.4
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
可用的
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
RoHS指令*
柔顺
耐用性
充分界定电容和雪崩电压
和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
开关模式电源（SMPS ）
不间断电源
高速电源开关
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
典型SMPS拓扑
双管正激
半桥
=全桥
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF830APbF
SiHF830A-E3
IRF830A
SiHF830A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
500
± 30
5.0
3.2
20
0.59
230
5.0
7.4
74
5.3
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩
当前
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 18 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.0 A， di / dt的
≤
370 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91061
S- 81145 -REV 。 B， 02军， 08
www.vishay.com
1
IRF830A ， SiHF830A
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.7
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.0 A
b
A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 3.0
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
GS
= 0 V; V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0 V至400 V
c
500
-
2.0
-
-
-
-
2.8
-
0.60
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
± 100
25
250
1.4
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V
-
-
-
620
93
4.3
886
27
39
-
-
-
pF
-
I
D
= 5.0 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.0 A,
R
G
= 14
Ω,
R
D
= 49
Ω,
参见图。
10
b
-
-
-
-
-
-
10
21
21
15
24
6.3
11
-
-
-
-
ns
nC
-
-
-
-
-
-
-
-
430
1.62
5.0
A
20
1.5
650
2.4
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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文档编号： 91061
S- 81145 -REV 。 B， 02军， 08
IRF830A ， SiHF830A
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1 D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T.
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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IRF830A ， SiHF830A
功率MOSFET
特点
500
V
GS
= 10 V
24
6.3
11
单身
D
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产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
1.4
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
可用的
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
RoHS指令*
柔顺
耐用性
充分界定电容和雪崩电压
和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
不间断电源
高速电源开关
典型SMPS拓扑
双管正激
半桥
=全桥
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF830APbF
SiHF830A-E3
IRF830A
SiHF830A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
500
± 30
5.0
3.2
20
0.59
230
5.0
7.4
74
5.3
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 18 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.0 A， di / dt的
≤
370 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
1
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.7
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.0 A
b
A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 3.0
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
GS
= 0 V; V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0 V至400 V
c
500
-
2.0
-
-
-
-
2.8
-
0.60
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
± 100
25
250
1.4
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V
-
-
-
620
93
4.3
886
27
39
-
-
-
pF
-
I
D
= 5.0 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.0 A,
R
G
= 14
Ω,
R
D
= 49
Ω,
参见图。
10
b
-
-
-
-
-
-
10
21
21
15
24
6.3
11
-
-
-
-
ns
nC
-
-
-
-
-
-
-
-
430
1.62
5.0
A
20
1.5
650
2.4
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
2
QQ：2880707522 复制
