IRF830 ， SiHF830
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
38
5.0
22
单身
D
特点
500
1.5
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF830PbF
SiHF830-E3
IRF830
SiHF830
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
500
± 20
4.5
2.9
18
0.59
280
4.5
7.4
74
3.5
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 24 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 4.5 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
4.5 A ， di / dt的
≤
75 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91063
S- 81290 -REV 。 A， 16军08
www.vishay.com
1
IRF830 ， SiHF830
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.7
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.7 A
b
A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 2.7
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
I
D
= 3.1 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
500
-
2.0
-
-
-
-
2.5
-
0.61
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
1.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
610
160
68
-
-
-
8.2
16
42
16
4.5
7.5
-
-
-
38
5.0
22
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
DD
= 250 V，I
D
= 3.1 A
R
G
= 12
Ω,
R
D
= 79
Ω,
参见图。 10
b
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
-
-
-
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
320
1.0
4.5
A
18
1.6
640
2.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 4.5 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.1 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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1500
1250
I
SD
，反向漏电流（ A）
电容（pF）
V
GS
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
1
150
°
C
1000
750
500
C
OSS
250
C
RSS
0
10
0
10
1
C
国际空间站
25
°
C
10
0
V
GS
= 0
V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
91063_05
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
91063_07
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
I
D
= 3.1 A
V
DS
= 400
V
10
2
5
2
16
在这一领域有限
by
R
DS （ ON）
10
s
100
s
1
ms
10
ms
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 250
V
12
V
DS
= 100
V
10
5
2
1
5
2
8
4
测试电路
见图13
0.1
5
2
0
0
91063_06
8
16
24
32
40
10
-2
0.1
91063_08
T
C
= 25
°C
T
J
= 150
°C
单脉冲
2
5
1
2
5
10
2
5
10
2
2
5
10
3
2
5
10
4
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
图。 6 - 典型栅极电荷主场迎战漏 - 源极电压
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