IRF730A ， SiHF730A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
22
5.8
9.3
单身
D
特点
400
5.5
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
全
特征
电容
雪崩电压和电流
有效Coss规定（见AN1001 ）
铅（Pb） ，免费提供
和
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
应用
开关模式电源（SMPS ）
G
·不间断电源
高速电源开关
S
G
D
S
N沟道MOSFET
典型SMPS拓扑
单管反激XFMR 。重置
单管正激XFMR 。重置
（只有我们两个线路输入）
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF730APbF
SiHF730A-E3
IRF730A
SiHF730A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩
能源
b
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
GS
I
D
I
DM
极限
± 30
5.5
3.5
22
0.6
290
5.5
7.4
74
4.6
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 19 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.5 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.5 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91045
S-挂起-REV 。 A， 19军08
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1
WORK -IN -PROGRESS
IRF730A ， SiHF730A
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结至外壳（漏）
案件到水槽，平面，脂表面
最大结点到环境
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
1.70
-
62
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.3 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 3.3 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V，F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至320 V
c
I
D
= 3.5 A，V
DS
= 320 V
参见图。 6和13
b
400
-
2.0
-
-
-
-
3.1
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
± 100
25
250
1.0
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
600
103
4.0
890
30
45
-
-
-
10
22
20
16
-
-
-
-
-
-
22
5.8
9.3
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 200 V，I
D
= 3.5 A
R
G
= 12
Ω,
R
D
= 57
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
370
1.6
5.5
A
22
1.6
550
2.4
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.5 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.5 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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文档编号： 91045
S-挂起-REV 。 A， 19军08
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