【SiHD7N60EE系列功率MOSFET特点低图-的品质因数（ FOM ）RonX Qg低输入电容（】,IC型号SIHD7N60E,SIHD7N60E PDF资料,SIHD7N60E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SiHD7N60E

E系列功率MOSFET

特点

低图-的品质因数（ FOM ）R

on

X Q

g

低输入电容（C

国际空间站

)

降低开关和传导损耗

超低栅极电荷（Q

g

)

额定雪崩能量（ UIS）

材质分类：对于定义

符合请参阅

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产品概述

V

DS

（五）在T

J

马克斯。

R

DS （ ON）

最大。在25℃ （）

Q

g

最大。（ NC ）

Q

gs

（ NC ）

Q

gd

（ NC ）

CON组fi guration

V

GS

= 10 V

40

5

9

单身

650

0.6

应用

服务器和电信电源

开关模式电源（ SMPS ）

功率因数校正电源供应器（ PFC ）

灯光

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- 高强度放电（ HID ）

- 荧光灯镇流器照明

=工业

- 焊接

- 感应加热

- 电机驱动器

- 电池充电器

- 可再生能源

- 太阳能（光伏逆变器）

D

DPAK

(TO-252)

D

G

G

S

S

N沟道MOSFET

订购信息

包

DPAK （ TO- 252 ）

SiHD7N60E-GE3

铅（ Pb），且无卤

SiHD7N60ET-GE3

SiHD7N60ETR-GE3

SiHD7N60ETL-GE3

绝对最大额定值

(T

C

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

栅源电压AC （F > 1赫兹）

连续漏电流（T

J

= 150 °C)

漏电流脉冲

a

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

b

最大功率耗散

工作结存储温度范围

漏源电压斜率

反向二极管

dv / dt的

d

T

J

= 125 °C

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

dv / dt的

V

GS

在10 V

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

极限

600

± 20

30

7

5

18

0.63

43

78

- 55至+ 150

37

3

300

c

W / ℃，

mJ

W

°C

V / ns的

°C

A

V

单位

焊接建议（峰值温度）

10秒

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

B 。 V

DD

= 50 V ，起始物为

J

= 25 ° C，L = 13.8 mH的，R

g

= 25

Ω,

I

AS

= 2.5 A.

。 1.6毫米的情况。

D.我

SD

≤

I

D

，的di / dt = 100 A / μs的，起始物为

J

= 25 °C.

1/9

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SiHD7N60E

E系列功率MOSFET

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结至外壳（漏）

符号

R

thJA

R

thJC

典型值。

-

-

马克斯。

62

1.6

单位

° C / W

特定网络阳离子

(T

J

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

V

DS

温度COEF网络cient

门源阈值电压（N ）

栅源漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

正向跨导

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容，能量

相关

a

有效的输出电容，时间

相关

b

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

门输入电阻

漏源体二极管特性

连续源极 - 漏极二极管电流

脉冲二极管正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

T

J

= 25 ° C，I

F

= I

S

= 3.5 A,

的di / dt = 100 A / μs的，V

R

= 20 V

MOSFET符号

展示

整体反转

P - N结二极管

D

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

ΔV

DS

/T

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

O（ ER ）

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 μA

参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 μA

V

GS

= ± 20 V

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 480 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125 °C

V

GS

= 10 V

I

D

= 3.5 A

V

DS

= 50 V，I

D

= 3.5 A

600

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.68

-

-

-

-

0.5

1.9

680

39

5

34

100

20

5

9

13

13

24

14

1.1

-

-

4

± 100

1

10

0.6

-

-

-

-

V

V /°C的

V

nA

μA

Ω

S

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 100 V,

F = 1 MHz的

pF

-

-

40

-

-

26

26

48

28

-

Ω

ns

nC

V

DS

= 0 V至480 V ，V

GS

= 0 V

C

O（ TR ）

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

R

g

F = 1MHz时，漏极开路

V

DD

= 480 V，I

D

= 3.5 A,

V

GS

= 10 V ，R

g

= 9.1

Ω

V

GS

= 10 V

I

D

= 3.5 A，V

DS

= 480 V

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

230

1.9

14

7

A

28

1.2

-

-

-

V

ns

μC

A

G

S

T

J

= 25 ° C，I

S

= 3.5 A，V

GS

= 0 V

笔记

A.

OSS （ ER ）

是一个固定的电容，给相同的能量为C

OSS

而V

DS

上升，从0％至80 ％的V

DSS

.

B 。

OSS （ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C

OSS

而V

DS

上升，从0％至80 ％的V

DSS

.

2/9

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SiHD7N60E

E系列功率MOSFET

典型特征

（25℃ ，除非另有说明）

20

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

R

DS （ ON）

，漏 - 源

导通电阻（标准化）

16

12

15 V

14 V

13 V

12 V

11 V

10 V

9V

8V

7V

6V

BOTTOM 5 V

顶部

3

T

J

= 25 °C

2.5

2

1.5

1

0.5

0

- 60 - 40 - 20 0

I

D

= 3.5 A

V

GS

= 10 V

8

4

0

0

5

10

15

20

25

30

20 40 60 80 100 120 140 160

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图。 1 - 典型的输出特性

T

J

，结温（ ° C）

图。 4 - 归通电阻与温度的关系

12

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

电容（pF）

9

15 V

14 V

13 V

12 V

11 V

10 V

9V

8V

7V

6V

BOTTOM 5 V

顶部

T

J

= 150 °C

10 000

1000

C

OSS

100

C

国际空间站

V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

6

3

10

C

RSS

0

0

5

10

15

20

25

30

1

0

100

200

300

400

500

600

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图。 2 - 典型的输出特性

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压

20

T

J

= 25 °C

24

V

GS

,

栅极 - 源

电压（V）的

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

16

20

16

12

8

4

0

V

DS

= 480 V

V

DS

= 300 V

V

DS

= 120 V

12

T

J

= 150 °C

8

4

0

0

5

10

15

20

25

0

10

20

30

40

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图。 3 - 典型的传输特性

Q

g

，总

门

费（ NC ）

图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压

3/9

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SiHD7N60E

E系列功率MOSFET

100

8

I

SD

，反向漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

1.6

T

J

= 150 °C

10

T

J

= 25 °C

6

4

1

2

V

GS

= 0 V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

0

25

50

75

100

125

150

V

SD

,

源极 - 漏极

电压（V）的

图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压

T

J

，外壳温度（ ° C）

图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度

100

在这一领域

限于由R

DS （ ON）

750

I

DM

=有限公司

725

V

DS

，漏 - 源

Brakdown电压（V）

10

I

D

，漏电流（ A）

100 μs

1

限于由R

DS （ ON）

*

1毫秒

0.1

T

C

= 25 °C

T

J

= 150 °C

单身

脉冲

0.01

1

10毫秒

700

675

650

625

600

575

550

BVDSS有限公司

1000

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

* V

GS

>最小V

GS

在r

DS （ ON）

is

s

525

- 60 - 40 - 20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

T

J

，结温（ ° C）

图。 10 - 温度与漏极至源极电压

图。 8 - 最高安全工作区

标准化的有效瞬态

热阻抗

1

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

单身

脉冲

0.1

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

脉冲时间（ S）

图。 11 - 归瞬态热阻抗，结至外壳

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SiHD7N60E

E系列功率MOSFET

V

DS

V

GS

R

G

R

D

10 V

D.U.T.

+

-

V

DD

10 V

脉冲宽度为1微秒

占空比≤ 0.1 ％

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

G

图。 12 - 开关时间测试电路

收费

图。 16 - 基本栅极电荷波形

电流调节器

同样

类型为D.U.T.

50 kΩ

12 V

V

DS

90 %

0.2 μF

0.3 μF

+

10 %

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

3毫安

D.U.T.

-

V

DS

图。 13 - 开关时间波形

I

G

I

D

当前

采样

电阻器

L

异吨

p

获得

需要我

AS

R

G

V

DS

图。 17 - 栅极电荷测试电路

D.U.T.

I

AS

+

-

V

DD

10 V

t

p

0.01

Ω

图。 14 - 非钳位感应测试电路

V

DS

t

p

V

DD

V

DS

I

AS

图。 15 - 非钳位感应波形

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-

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-

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终端采购配单精选

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23000

DPAK(TO-252)

一级代理专营，原装现货，价格优势

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SIHD7N60E

HAMOS/汉姆

24+

22000

TO-252

原装正品假一赔百！

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地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房

SIHD7N60E

VISHAY/威世

21+

32000

DPAK(TO-252)

全新原装现货，质量保证，可开税票，可出样品！

深圳市向鸿伟业电子有限公司

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联系人：李

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10000

SOT-252

原装现货!量大可订！特价支持实单！

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SIHD7N60E

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21+

6550

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SIHD7N60E

VISHAY/威世

21+

17600

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SIHD7N60E

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