SiHD3N50D
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Vishay Siliconix公司
D系列功率MOSFET
产品概述
V
DS
（五）在T
J
马克斯。
R
DS （ ON）
最大。 （ ）在25℃下
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
20
3
5
单身
550
3.2
特点
优化设计
- 低区导通电阻
- 低输入电容（C
国际空间站
)
- 减少电容开关损耗
- 高体二极管耐用
- 额定雪崩能量（ UIS）
最佳效率和操作
- 低成本
- 简单的栅极驱动器电路
- 低图-的品质因数（ FOM ） ，R
on
X Q
g
D
- 快速切换
材料分类：为符合定义
请参阅
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DPAK
(TO-252)
G
D
应用
- 消费电子
- 显示器（LCD或等离子电视）
服务器和电信电源
- SMPS
=工业
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
电池充电器
G
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
铅（ Pb），且无卤
DPAK （ TO- 252 ）
SiHD3N50D-E3
SiHD3N50D-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
栅源电压AC （F > 1赫兹）
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
工作结存储温度范围
漏源电压斜率
反向二极管的dv / dt
(d)
焊接建议（峰值温度）
c
10秒
T
J
= 125 °C
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
30
3.0
1.9
5.5
0.56
9
104
- 55至+ 150
24
0.22
300
W / ℃，
mJ
W
°C
V / ns的
°C
A
V
单位
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 2.3 mH的，R
g
= 25
,
I
AS
= 2.8 A.
。 1.6毫米的情况。
D.我
SD
I
D
，起始物为
J
= 25 °C.
S12-0689 -REV 。 A， 02 -APR- 12
文档编号： 91495
1
如有技术问题，请联系：
hvm@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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SiHD3N50D
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
62
1.8
单位
° C / W
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压（N ）
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
a
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容，能量
相关
b
有效的输出电容，时间
相关
c
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
门输入电阻
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
O（ ER ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
V
DS
= 8 V，I
D
= 1.5 A
分钟。
500
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.56
-
-
-
-
2.6
1
175
21
5
21
26
6
2
3
12
9
11
13
3.3
马克斯。
-
-
5
± 100
1
10
3.2
-
-
-
-
单位
V
V /°C的
V
nA
μA
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 100 V,
F = 1 MHz的
pF
-
-
12
-
-
24
18
22
26
-
ns
nC
V
DS
= 0 V至400 V ，V
GS
= 0 V
C
O（ TR ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
F = 1MHz时，漏极开路
V
DD
= 400 V，I
D
= 1.5 A
R
g
= 9.1
,
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.5 A，V
DS
= 400 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
293
0.74
5
3
A
12
1.2
-
-
-
V
ns
μC
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0 V
T
J
= 25 ° C，I
F
= I
S
= 1.5 A,
的di / dt = 100 A / μs的，V
R
= 20 V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。
OSS （ ER ）
是一个固定的电容，给相同的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0％至80 ％的V
DSS
.
c. C
OSS （ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0％至80 ％的V
DSS
.
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
6
3
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9V
T
J
= 25 °C
I
D
= 1.5 A
Vishay Siliconix公司
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
R
DS （ ON）
，漏 - 源
导通电阻（标准化）
5
4
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
- 60 - 40 - 20 0
V
GS
= 10 V
8V
2
7V
1
6V
0
0
5
10
15
20
25
30
20 40 60 80 100 120 140 160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
T
J
，结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
4
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
电容（pF）
3
2
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
1000
T
J
= 150 °C
C
国际空间站
100
C
OSS
10
C
RSS
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
1
0
0
5
10
15
20
25
30
1
0
100
200
300
400
500
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
6
24
V
GS
,
栅极 - 源
电压（V）的
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
5
4
3
2
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 400 V
V
DS
= 250 V
V
DS
= 100 V
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0
0
5
10
15
20
25
0
3
6
9
12
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
Q
g
，总
门
费（ NC ）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3.0
2.5
100
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
T
J
= 150 °C
I
D
，漏电流（ A）
2.0
1.5
1.0
0.5
1
T
J
= 25 °C
0.1
V
GS
= 0 V
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
V
SD
,
源极 - 漏极
电压（V）的
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
T
J
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
100
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
10
100 μs
1
限于由R
DS （ ON）
*
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单身
脉冲
1
1毫秒
10毫秒
625
600
575
550
525
500
BVDSS有限公司
475
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
0.01
V
DS
，漏 - 源
Brakdown电压（V）
T
J
，结温（ ° C）
图。 10 - 典型的漏 - 源极电压与温度的关系
图。 8 - 最高安全工作区
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单身
脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲时间（ S）
图。 11 - 归瞬态热阻抗，结至外壳
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R
D
10 V
Q
G
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
Q
GS
Q
GD
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
V
G
收费
图。 12 - 开关时间测试电路
图。 16 - 基本栅极电荷波形
电流调节器
同类型D.U.T.
50 kΩ
12 V
V
DS
90 %
0.2 F
0.3 F
+
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
3毫安
D.U.T.
-
V
DS
图。 13 - 开关时间波形
I
G
I
D
电流采样电阻器
图。 17 - 栅极电荷测试电路
L
异吨
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
D.U.T
I
AS
+
-
V
DD
10 V
t
p
0.01
Ω
图。 14 - 非钳位感应测试电路
V
DS
t
p
V
DD
V
DS
I
AS
图。 15 - 非钳位感应波形
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D系列功率MOSFET
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
6
3
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9V
T
J
= 25 °C
I
D
= 1.5 A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
R
DS （ ON）
，漏 - 源
导通电阻（标准化）
5
4
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
- 60 - 40 - 20 0
V
GS
= 10 V
8V
2
7V
1
6V
0
0
5
10
15
20
25
30
20 40 60 80 100 120 140 160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
T
J
，结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
4
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
电容（pF）
3
2
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
1000
T
J
= 150 °C
C
国际空间站
100
C
OSS
10
C
RSS
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
1
0
0
5
10
15
20
25
30
1
0
100
200
300
400
500
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
6
24
V
GS
,
栅极 - 源
电压（V）的
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
5
4
3
2
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 400 V
V
DS
= 250 V
V
DS
= 100 V
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0
0
5
10
15
20
25
0
3
6
9
12
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
Q
g
，总
门
费（ NC ）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
3/9
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SiHD3N50D
D系列功率MOSFET
100
3.0
2.5
10
T
J
= 150 °C
I
SD
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
2.0
1.5
1.0
0.5
1
T
J
= 25 °C
0.1
V
GS
= 0 V
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
V
SD
,
源极 - 漏极
电压（V）的
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
T
J
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
100
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
10
100 μs
1
限于由R
DS （ ON）
*
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单身
脉冲
1
1毫秒
10毫秒
625
600
575
550
525
500
BVDSS有限公司
475
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
0.01
V
DS
，漏 - 源
Brakdown电压（V）
T
J
，结温（ ° C）
图。 10 - 典型的漏 - 源极电压与温度的关系
图。 8 - 最高安全工作区
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单身
脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲时间（ S）
图。 11 - 归瞬态热阻抗，结至外壳
4/9
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