新产品
SiE726DF
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
产品概述
I
D
(A)
a
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
e
0.0024在V
GS
= 10 V
0.0033在V
GS
= 4.5 V
硅
极限
175
149
包
Q
g
（典型值）。
极限
60
50 NC
60
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
SkyFET 单片TrenchFET
功率MOSFET和肖特基二极管
超低热阻使用专升本
暴露的PolarPAK
包双精度型
双面冷却
引线框架为基础的新型密封封装
- 模具不外露
- 相同的布局无论模具尺寸
低Q
gd
/Q
gs
比有助于防止直通
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
封装图
www.vishay.com/doc?72945
的PolarPAK
10
D
9
G
8
S
7
S
6
D
6
7
8
9
10
应用
D
D
S
G
D
同步整流
DC / DC
低边开关
D
D
1
G
2
S
S
3
4
顶部
意见
D
5
5
4
3
2
1
G
N沟道
MOSFET
肖特基二极管
底部
意见
顶面连接至引脚1 ， 5，6，和10
订货信息：
SiE726DF -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
SiE726DF -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
对于相关文档
www.vishay.com/ppg?68626
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 20
175 （硅限制）
60
a
（套餐限制）
60
a
35
B，C
28
B，C
80
60
a
4.3
B，C
50
125
125
80
5.2
B，C
3.3
B，C
- 55 150
260
单位
V
A
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
mJ
W
°C
焊接建议（峰值
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。该的PolarPAK是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未
镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不
需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
温度）
D，E
文档编号： 68626
S09-1338 -REV 。 B， 13 09年7月
www.vishay.com
1
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
最大功率耗散
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
新产品
SiE726DF
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，B
最大结至外壳（漏顶）
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
（漏）
R
thJC
（来源）
典型
20
0.8
2.2
最大
24
1
2.7
° C / W
单位
最大结至外壳（来源）
A，C
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。在稳态条件下最大为68 ° C / W 。
。测量源极引脚（在包装的一侧） 。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
=
10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 4.5
V，I
D
= 25 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 25 A
30
1
0.120
1.0
25
0.0020
0.0026
90
7400
1100
400
105
50
22
12
1
60
35
55
30
20
10
55
10
0.0024
0.0033
3
± 100
0.5
10
V
V
nA
mA
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
pF
160
75
Q
gs
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
R
g
栅极电阻
F = 1 MHz的
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
Ω
上升时间
t
D（关闭）
I
D
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
Ω
上升时间
t
D（关闭）
I
D
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
漏源体二极管和肖特基特性
I
S
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
a
I
SM
脉冲二极管正向电流
V
SD
体二极管电压
I
S
= 2 A
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
t
a
反向恢复下降时间
t
b
反向恢复上升时间
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
B 。通过设计保证，不受生产测试。
nC
2
90
55
85
45
30
15
85
15
60
80
0.45
60
45
Ω
ns
A
V
ns
nC
ns
0.37
40
30
19
21
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 68626
S09-1338 -REV 。 B， 13 09年7月
新产品
SiE726DF
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
60
V
GS
= 10
V
直通4
V
16
I
D
- 漏电流（ A）
20
50
I
D
- 漏电流（ A）
40
12
30
8
T
C
= 125 °C
4
T
C
= 25 °C
0
T
C
= - 55 °C
0
1
2
3
4
20
10
V
GS
= 3
V
0
0.0
V
GS
= 2
V
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.004
10 000
传输特性
8000
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.003
V
GS
= 4.5
V
- 电容（pF ）
V
GS
= 10
V
0.002
6000
C
国际空间站
4000
0.001
2000
C
RSS
0
5
C
OSS
0.000
0
20
40
60
0
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 20 A
V
GS
- 栅极至SourceVoltage （Ⅴ）
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
8
V
DS
= 15
V
6
V
DS
= 24
V
电容
1.8
I
D
= 25 A
1.6
V
GS
= 4.5
V
1.4
1.2
V
GS
= 10
V
4
1.0
2
0.8
0
0
25
50
75
100
125
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 68626
S09-1338 -REV 。 B， 13 09年7月
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3
新产品
SiE726DF
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
0.008
I
D
= 25 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.006
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.004
T
J
= 125 °C
0.002
T
J
= 25 °C
1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
1
50
导通电阻与栅极至源极电压
10
-1
I
R
- 反向电流（ A）
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
IDSX 10
V
40
Po
w
ER （
W
)
IDSX 20
V
IDSX 30
V
30
20
10
10
-6
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
反向电流与结温
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
单脉冲功率，结到环境
10
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
0.1
DC
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.01
0.1
1
BVDSS
有限
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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4
文档编号： 68626
S09-1338 -REV 。 B， 13 09年7月
新产品
SiE726DF
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
200
140
120
160
Po
w
呃耗散（
W
)
包装有限公司
I
D
- 漏电流（ A）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
120
80
40
0
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额，结至外壳
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 68626
S09-1338 -REV 。 B， 13 09年7月
www.vishay.com
5
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