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SID200S12
SPT IGBT模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
CRM
V
GES
T
VJ ，
(T
英镑
)
条件
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
值
1200
单位
V
A
A
o
T
C
= 25(80)
C
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
_
T
手术
＆ LT ;吨
英镑
AC， 1分钟
o
310(220)
620(440)
_
+20
_ 40...+150(125)
4000
190(130)
620(440)
1450
V
C
V
V
ISOL
逆二极管
I
F
=-I
C
T
C
= 25(80)
o
C
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
I
FRM
I
FSM
t
P
= 10ms的;罪;第
j
=150
o
C
A
A
A
SID200S12
SPT IGBT模块
特征
符号
IGBT
V
GE （日）
I
CES
V
CE （ TO ）
r
CE
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
L
CE
R
CC' + EE '
条件
V
GE
= V
CE
, I
C
= 6毫安
V
GE
= 0; V
CE
= V
CES
; T
j
= 25(125)
o
C
T
j
= 25(125)
o
C
V
GE
= 15V ，T
j
= 25(125)
o
C
I
C
= 150A ; V
GE
= 15V ;芯片级
在以下条件下
V
GE
= 0, V
CE
= 25V ， F = 1MHz的
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
分钟。
4.8
典型值。
马克斯。
单位
V
mA
V
m
V
nF
20
水库，终端端T
C
= 25(125)
C
根据以下条件：
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A
R
坤
= R
高夫
= 7 , T
j
= 125
o
C
V
GE
= ± 15V
o
5.5
6.45
0.2
0.6
1(0.9) 1.15(1.05)
6(8)
8(10)
1.9(2.1) 2.35(2.55)
13
2
2
0.35(0.5)
125
50
620
55
18(15)
2(1.8)
1.1
6
190
24
8
0.095
0.25
0.038
2.5
1.2
8.7
nH
m
ns
ns
ns
ns
mJ
V
V
m
A
uC
mJ
K / W
K / W
K / W
Nm
Nm
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
(E
关闭
)
逆二极管
根据以下条件：
V
F
= V
EC
I
F
= 150A ; V
GE
= 0V ;牛逼
j
= 25(125)
o
C
V
（TO）
T
j
= 25(125)
o
C
r
T
T
j
= 25(125)
o
C
I
RRM
I
F
= 150A ;牛逼
j
= 125
o
C
Q
rr
的di / dt = 4800A / us的
E
rr
V
GE
= V
热特性
R
日（J -C ）
每个IGBT
R
日（J -C ）D
每逆二极管
R
TH （ C- S）
每个模块
机械数据
M
s
到散热片M6
M
t
端子M6
w
3
2.5
5
5
325
SID200S12
SPT IGBT模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
CRM
V
GES
T
VJ ，
(T
英镑
)
条件
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
值
1200
单位
V
A
A
o
T
C
= 25(80)
C
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
_
T
手术
＆ LT ;吨
英镑
AC， 1分钟
o
310(220)
620(440)
_
+20
_ 40...+150(125)
4000
190(130)
620(440)
1450
V
C
V
V
ISOL
逆二极管
I
F
=-I
C
T
C
= 25(80)
o
C
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
I
FRM
I
FSM
t
P
= 10ms的;罪;第
j
=150
o
C
A
A
A
SID200S12
SPT IGBT模块
特征
符号
IGBT
V
GE （日）
I
CES
V
CE （ TO ）
r
CE
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
L
CE
R
CC' + EE '
条件
V
GE
= V
CE
, I
C
= 6毫安
V
GE
= 0; V
CE
= V
CES
; T
j
= 25(125)
o
C
T
j
= 25(125)
o
C
V
GE
= 15V ，T
j
= 25(125)
o
C
I
C
= 150A ; V
GE
= 15V ;芯片级
在以下条件下
V
GE
= 0, V
CE
= 25V ， F = 1MHz的
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
分钟。
4.8
典型值。
马克斯。
单位
V
mA
V
m
V
nF
20
水库，终端端T
C
= 25(125)
C
根据以下条件：
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A
R
坤
= R
高夫
= 7 , T
j
= 125
o
C
V
GE
= ± 15V
o
5.5
6.45
0.2
0.6
1(0.9) 1.15(1.05)
6(8)
8(10)
1.9(2.1) 2.35(2.55)
13
2
2
0.35(0.5)
125
50
620
55
18(15)
2(1.8)
1.1
6
190
24
8
0.095
0.25
0.038
2.5
1.2
8.7
nH
m
ns
ns
ns
ns
mJ
V
V
m
A
uC
mJ
K / W
K / W
K / W
Nm
Nm
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
(E
关闭
)
逆二极管
根据以下条件：
V
F
= V
EC
I
F
= 150A ; V
GE
= 0V ;牛逼
j
= 25(125)
o
C
V
（TO）
T
j
= 25(125)
o
C
r
T
T
j
= 25(125)
o
C
I
RRM
I
F
= 150A ;牛逼
j
= 125
o
C
Q
rr
的di / dt = 4800A / us的
E
rr
V
GE
= V
热特性
R
日（J -C ）
每个IGBT
R
日（J -C ）D
每逆二极管
R
TH （ C- S）
每个模块
机械数据
M
s
到散热片M6
M
t
端子M6
w
3
2.5
5
5
325
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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