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SID150N12
NPT IGBT模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
CRM
V
GES
T
VJ ，
(T
英镑
)
条件
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
值
1200
单位
V
A
A
V
o
T
C
= 25(80)
C
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
_
T
手术
＆ LT ;吨
英镑
o
150(110)
300(220)
_
+20
_
40...+150(125)
2500
150(100)
300(220)
1100
200(135)
300(220)
1450
C
AC， 1分钟
V
ISOL
逆二极管
I
F
= -I
C
I
FRM
V
A
A
A
A
A
A
T
C
= 25(80)
o
C
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
I
FSM
t
P
= 10ms的;罪;第
j
=150
o
C
续流二极管
T
C
= 25(80)
o
C
I
F
= -I
C
I
FRM
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
I
FSM
t
P
= 10ms的;罪;第
j
=150
o
C
SID150N12
NPT IGBT模块
特征
符号
IGBT
V
GE （日）
I
CES
V
CE （ TO ）
r
CE
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
L
CE
R
CC' + EE '
条件
V
GE
= V
CE
, I
C
=4mA
V
GE
= 0; V
CE
= V
CES
; T
j
= 25(125)
o
C
T
j
= 25(125)
o
C
V
GE
= 15V ，T
j
= 25(125)
o
C
I
C
= 100A ; V
GE
= 15V ;芯片级
在以下条件下
V
GE
= 0, V
CE
= 25V ， F = 1MHz的
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
分钟。
4.5
典型值。
5.5
0.1
1.4(1.6)
11(15)
2.5(3.1)
6.5
1
0.5
0.35(0.5)
160
80
400
70
13(11)
2(1.8)
8
35(50)
5(14)
320
160
520
100
马克斯。
6.5
0.3
1.6(1.8)
14(19)
3(3.7)
8.5
1.5
0.6
20
单位
V
mA
V
m
V
nF
nH
m
ns
ns
ns
ns
mJ
V
V
m
A
uC
mJ
V
V
m
A
uC
mJ
K / W
K / W
K / W
K / W
Nm
Nm
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
(E
关闭
)
逆二极管
根据以下条件：
V
F
= V
EC
I
F
= 100A ; V
GE
= 0V ;牛逼
j
= 25(125)
o
C
V
（TO）
T
j
= 125
o
C
r
T
T
j
= 125
o
C
I
RRM
I
F
= 100A ;牛逼
j
= 25(125)
o
C
Q
rr
的di / dt = A /美
E
rr
V
GE
= V
在以下条件下FWD ：
V
F
= V
EC
I
F
= 100A ; V
GE
= 0V ;牛逼
j
= 25(125)
o
C
V
（TO）
T
j
= 125
o
C
r
T
T
j
= 125
o
C
I
RRM
I
F
= 100A ;牛逼
j
= 25
o
C
Q
rr
的di / dt = A /美
E
rr
V
GE
= V
热特性
R
日（J -C ）
每个IGBT
R
日（J -C ）D
每逆二极管
R
日（J -C ） FD
每FWD
R
TH （ C- S）
每个模块
机械数据
M
s
到散热片M6
M
t
端子M6
w
水库，终端端T
C
= 25(125)
o
C
根据以下条件：
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A
R
坤
= R
高夫
=6.8 , T
j
= 125
o
C
V
GE
= ± 15V
2.5
1.2
11
1.85(1.6)
5
40(65)
5(15)
2.2
1.2
7
0.15
0.3
0.25
0.038
3
2.5
5
5
325
SID150N12
NPT IGBT模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
CRM
V
GES
T
VJ ，
(T
英镑
)
条件
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
值
1200
单位
V
A
A
V
o
T
C
= 25(80)
C
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
_
T
手术
＆ LT ;吨
英镑
o
150(110)
300(220)
_
+20
_
40...+150(125)
2500
150(100)
300(220)
1100
200(135)
300(220)
1450
C
AC， 1分钟
V
ISOL
逆二极管
I
F
= -I
C
I
FRM
V
A
A
A
A
A
A
T
C
= 25(80)
o
C
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
I
FSM
t
P
= 10ms的;罪;第
j
=150
o
C
续流二极管
T
C
= 25(80)
o
C
I
F
= -I
C
I
FRM
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
I
FSM
t
P
= 10ms的;罪;第
j
=150
o
C
SID150N12
NPT IGBT模块
特征
符号
IGBT
V
GE （日）
I
CES
V
CE （ TO ）
r
CE
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
L
CE
R
CC' + EE '
条件
V
GE
= V
CE
, I
C
=4mA
V
GE
= 0; V
CE
= V
CES
; T
j
= 25(125)
o
C
T
j
= 25(125)
o
C
V
GE
= 15V ，T
j
= 25(125)
o
C
I
C
= 100A ; V
GE
= 15V ;芯片级
在以下条件下
V
GE
= 0, V
CE
= 25V ， F = 1MHz的
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
分钟。
4.5
典型值。
5.5
0.1
1.4(1.6)
11(15)
2.5(3.1)
6.5
1
0.5
0.35(0.5)
160
80
400
70
13(11)
2(1.8)
8
35(50)
5(14)
320
160
520
100
马克斯。
6.5
0.3
1.6(1.8)
14(19)
3(3.7)
8.5
1.5
0.6
20
单位
V
mA
V
m
V
nF
nH
m
ns
ns
ns
ns
mJ
V
V
m
A
uC
mJ
V
V
m
A
uC
mJ
K / W
K / W
K / W
K / W
Nm
Nm
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
(E
关闭
)
逆二极管
根据以下条件：
V
F
= V
EC
I
F
= 100A ; V
GE
= 0V ;牛逼
j
= 25(125)
o
C
V
（TO）
T
j
= 125
o
C
r
T
T
j
= 125
o
C
I
RRM
I
F
= 100A ;牛逼
j
= 25(125)
o
C
Q
rr
的di / dt = A /美
E
rr
V
GE
= V
在以下条件下FWD ：
V
F
= V
EC
I
F
= 100A ; V
GE
= 0V ;牛逼
j
= 25(125)
o
C
V
（TO）
T
j
= 125
o
C
r
T
T
j
= 125
o
C
I
RRM
I
F
= 100A ;牛逼
j
= 25
o
C
Q
rr
的di / dt = A /美
E
rr
V
GE
= V
热特性
R
日（J -C ）
每个IGBT
R
日（J -C ）D
每逆二极管
R
日（J -C ） FD
每FWD
R
TH （ C- S）
每个模块
机械数据
M
s
到散热片M6
M
t
端子M6
w
水库，终端端T
C
= 25(125)
o
C
根据以下条件：
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A
R
坤
= R
高夫
=6.8 , T
j
= 125
o
C
V
GE
= ± 15V
2.5
1.2
11
1.85(1.6)
5
40(65)
5(15)
2.2
1.2
7
0.15
0.3
0.25
0.038
3
2.5
5
5
325
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SUD50N024-06
SMAJ13A-13-F
SY100E256
S111-X
ST92250JCV2T6
SR4M4024
SSB-SLD-J2
SUD30N03-30
S73WS256ND0BAWT72
SN65176BDE4
SG1842Y/DESC
STM8L152C6
SBT42_1
ST380CH06C3L
S29CD016G0MFAM112
SN65LVDM179_0705
SHD116022
ST62T80B
S29GL032M10TCCR22
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