SiC779
Vishay Siliconix公司
集成的DrMOS功率级
描述
该SiC779是一个集成的解决方案，包含PWM
优化的N沟道MOSFET （高压侧和低压侧）
一个全功能的MOSFET驱动器IC 。该设备符合
用于台式机和服务器V英特尔的DrMOS标准
CORE
动力
阶段。该SiC779提供高达40 A的连续输出
电流和从3伏到的输入电压范围内工作
16五，集成MOSFET的输出优化
电压在0.8至2.0V的范围内具有标称输入
12 V.该器件的电压也可以提供非常高的功率
在5 V输出，用于ASIC应用。
该SiC779采用了先进的MOSFET栅极驱动器
IC 。该IC接收来自V单PWM输入
R
调节器
并将其转换为高侧和低侧MOSFET的栅极
驱动信号。驱动器IC被设计为执行该跳跃
模式（ SMOD ）函数用于轻负载效率的提高。
自适应死区时间控制还致力于提高工作效率
在所有负载点。该SiC779具有热警告（ THDN ）
该警报的结温过高的系统。该
驱动IC包括一个使能引脚， UVLO和射穿
保护。
该SiC779是高频降压优化
应用程序。超过1 MHz的工作频率可以
容易地实现。
该SiC779封装在日前，Vishay Siliconix的高
性能的PowerPAK MLP 6× 6包。紧凑
助包装组件有助于减少杂散
电感，并因此提高了效率。
特点
行业基准测试第三代的MOSFET与
集成肖特基二极管
兼容的DrMOS栅极驱动器IC
启用V
CORE
在1 MHz的开关
轻松实现多相位> 93 ％的效率，
低输出电压的解决方案
在VSWH引脚为低电平振铃降低EMI
引脚与DrMOS的6× 6的版本兼容4.0
三态PWM输入功能可以防止负输出
电压摆幅
5 V逻辑电平PWM
5 V驱动器偏置MOSFET的阈值电压优化
供应
自动跳过模式工作（ SMOD ）的轻负荷
效率
欠压锁定
内置自举肖特基二极管
自适应死区时间，并射穿保护
热关断警告标志
低调，热增强型PowerPAK
MLP 6× 6
40引脚封装
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
CPU和GPU核心电压调节
服务器，电脑，工作站，游戏机，图形
板， PC
SiC779应用图
5
V
V
DRV
GH
V
IN
V
IN
V
CIN
SMOD
栅极驱动器
DSBL ＃
PWM
PWM
tHDN
调节器
BOOT
V
太阳能热水器
相
V
O
SiC779CD
P
GND
C
GND
图1
文档编号： 67538
S11-0703 -REV 。 B， 18 -APR- 11
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1
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GL
SiC779
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订购信息
产品型号
SiC779CD-T1-GE3
SiC779DB
包
的PowerPAK MLP66-40
参考板
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
输入电压
开关节点电压（ DC ）
变频器的输入电压
控制输入电压
逻辑引脚
启动电压直流（引用到C
GND
)
启动电压< 200 ns的瞬态（引用到C
GND
)
引导到相电压DC
引导到相电压< 200纳秒
环境温度范围
最高结温
存储结温
符号
V
IN
V
SW
V
DRV
V
CIN
V
PWM
, V
DSBL ＃
,
V
tHDN
, V
SMOD
V
BS
V
BS_PH
T
A
T
J
T
英镑
- 65
分钟。
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 40
马克斯。
20
20
7
7
V
CIN
+ 0.3
27
29
7
9
125
150
150
260
°C
V
单位
焊峰值温度
注意：
一。牛逼
A
= 25 ° C和所有电压参考P
GND
= C
GND
除非另有说明。
超越那些在"Absolute最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值/长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
输入电压
控制输入电压
变频器的输入电压
开关节点
符号
V
IN
V
CIN
V
DRV
V
SW_DC
分钟。
3
4.5
4.5
12
典型值。
12
马克斯。
16
5.5
5.5
16
V
单位
注意：
一。推荐的工作条件，规定在整个温度范围内，并且所有电压参考P
GND
= C
GND
除非
另有说明。
热电阻额定值
参数
在T最大功耗
PCB
= 25 °C
在T最大功耗
PCB
= 100 °C
热阻结到顶部
热阻结到PCB
符号
P
D_25C
P
D_100C
R
th_J_TOP
R
th_J_PCB
典型值。
马克斯。
25
10
15
5
单位
W
° C / W
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电气规格
测试条件除非指定
V
DSBL ＃
= V
SMOD
= 5 V,
V
IN
= 12 V, V
VDRV
= V
VCIN
5 V,
T
A
= 25 °C
V
DSBL ＃
= 0 V ，无开关
V
CIN
控制输入电流
I
VCIN
V
DSBL ＃
= 5 V ，无开关
V
DSBL ＃
= 5 V，F
s
= 300千赫，D = 0.1
变频器的输入电流（动态）
自举电源
自举开关正向电压
控制输入（ PWM ， DSBL ＃ ， SMOD ）
PWM上升阈值
PWM下降阈值
三态PWM阈值上升
三态PWM下降阈值
三态PWM上升阈值迟滞
三态PWM下降阈值迟滞
联亚拖延时间
b
PWM输入电流
SMOD ， DSBL ＃逻辑输入电压
下拉阻抗
THDN输出低
保护
热警告标志设置
热警告标志清除
热警告标志迟滞
欠压锁定
欠压锁定
欠压闭锁滞后
高侧栅极放电电阻
b
参数
电源
符号
分钟。
典型值。
a
60
400
600
15
48
0.60
马克斯。
单位
A
22
70
0.75
4.2
1.2
1.8
4.0
mV
ns
A
V
V
V
I
VDRV
f
s
= 300千赫，D = 0.1
f
s
= 1000千赫，D = 0.1
V
VCIN
= 5 V ，正向偏置电流2 mA
3.5
0.8
0.9
3.4
mA
V
BS二极管
V
th_pwm_r
V
th_pwm_f
V
th_tri_r
V
th_tri_f
V
hys_tri_r
V
hys_tri_f
t
TSHO
I
PWM
V
LOGIC_LH
V
LOGIC_LH
R
tHDN
V
THDNL
V
3.8
1.0
1.3
3.7
300
170
150
V
PWM
= 5 V
V
PWM
= 0 V
上升（从低到高）
下降（从高到低）
5 k电阻上拉至V
CIN
2
250
- 250
0.8
40
0.07
150
135
15
°C
3.9
V
UVLO
V
UVLO_HYST
R
HS_DSCRG
瑞星，阈值
落，断阈值
V
VDRV
= V
VCIN
= 0 V; V
IN
= 12 V
2.5
3.3
2.9
400
20.2
V
mV
k
注意事项：
一。典型的限制得到的，不是生产测试。
B 。通过设计保证。
时序特定网络阳离子
测试条件除非指定
V
VDRV
= V
VCIN
= V
DSBL ＃
= 5 V,
V
VIN
= 12 V ，T
A
= 25 °C
脉宽调制的25 ％至90％的GH
10 ％至90％的GH
90％对GH的10％
75％的PWM的90％的GL
10 ％至90％的GL
90 ％至GL的10％
GL的10％对GH的10％
生长激素的10％至GL的10％
10
参数
关闭传播延迟
HIGH SIDE
a
上升时间高端
下降时间高边
关闭传播延迟
LOW SIDE
a
上升时间低侧
下降时间低端
死区时间上升
死区时间下降
符号
t
d_on_HS
t
RθHS
t
f_HS
t
d_off_LS
t
r_LS
t
f_LS
t
dead_on
t
dead_off
分钟。
10
典型值。
20
8
8
20
15
8
15
15
马克斯。
30
单位
30
ns
注意：
一。分钟。和Max 。不是100％生产测试。
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时序定义
PWM
75
%
25
%
GH
90
%
GL
10
%
SW
10
%
90
%
1 2 3 4
5 6
7
8
地区
1
2
3
4
5
6
7
8
德网络nition
关闭传播延迟LS
下降时间LS
死区时间上升
上升时间HS
关闭传播延迟HS
下降时间HS
死区时间下降
上升时间LS
符号
t
d_off_LS
t
f_LS
t
dead_on
t
RθHS
t
d_off_HS
t
f_HS
t
dead_off
t
r_LS
注意：
GH被引用至高位面源。 GL为基准向低侧源
SiC779框图
tHDN
V
DRV
BOOT
GH
温度监控
和警告
V
CIN
UVLO
V
IN
DSBL ＃
20K
V
CIN
PWM
逻辑
控制
和
状态
机
防交叉
传导
控制
逻辑
-
+
V
太阳能热水器
V
REF
= 1 V
LG
V
REF
= 1 V
PWM
-
+
V
DRV
C
GND
零
当前
检测
-
+
SMOD ＃
V
太阳能热水器
P
GND
GL
P
GND
图2
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详细的操作说明
PWM输入与三态功能
PWM输入从V接收PWM控制信号
R
控制器IC 。 PWM输入被设计为兼容
利用国家二级标准逻辑控制器（ H和L）和
先进的控制器，结合三态逻辑（H，L和
三态）的PWM输出。两个国家的逻辑， PWM
输入操作如下。当PWM上面驱动
V
th_pwm_r
低侧截止，高侧导
上。当PWM输入驱动为低于V
th_pwm_f
偏高
关闭和低侧导通。对于三态逻辑，
PWM输入如上操作，用于驱动MOSFET的。
然而，存在被输入到作为一个第三状态
三态兼容的控制器的PWM输出进入高
在关机阻抗状态。高阻抗
控制器的PWM输出状态允许SiC779拉
PWM输入到三态区域（见三态
以下电压阈值图） 。如果PWM输入停留在
这一地区为三态保持冷静期，T
TSHO
，兼具高
侧和低侧的MOSFET被关断。此功能
允许V
R
无负输出禁用相
电压摆动引起的电感器的振铃和保存
肖特基二极管钳位。在PWM和联亚地区是
由滞后分离，以防止误触发。该
SiC779采用PWM电压阈值是
与5 V逻辑兼容。
禁用（ DSBL ＃ ）
处于低状态时， DSBL ＃引脚关闭驱动器IC和
禁用高边和低边MOSFET 。在这种状态下，
待机电流最小化。如果DSBL ＃留
未连接的内部下拉电阻将拉动销
下降到C
GND
和关闭IC 。
二极管仿真模式（ SMOD ）跳跃模式
当SMOD引脚为低电平时，二极管仿真模式处于启用状态。
这是一种非同步转换模式，提高
通过减少开关损耗的轻负载效率。进行
发生在同步降压型稳压器时的损失
电感电流为负，也降低了。电路中的
栅极驱动IC检测电感谷值电流时，
电感电流过零，并自动停止
开关的低边MOSFET 。见SMOD操作
图中的其他详细信息。这个功能也可以是
用于预偏置的输出电压。如果SMOD是左
悬空，内部上拉电阻将拉动销达
V
CIN
（逻辑高电平），以禁用SMOD功能。
热关断警告（ THDN ）
该THDN引脚为漏极开路信号旗的存在
过度的结温。一个最大的连接
20 k将该引脚拉至V
CIN
。的内部温度
传感器检测的结温。温度
阈值是150℃。当这个结温
超过THDN标志被设置。当结
温度低于135 ℃，该设备将清除
THDN信号。该SiC779并不时停止操作
标志置位。决定关断必须由进行
外部热控制功能。
输入电压（V
IN
)
这是电源输入到高侧电源的漏极
MOSFET。该引脚被连接到高功率
中间总线轨。
开关节点（V
太阳能热水器
和相位）
开关节点V
太阳能热水器
是电路PWM稳压输出。
这是施加在滤波器电路提供的输出
稳压高输出的降压转换器。该引脚相
在内部连接到开关节点V
太阳能热水器
。该引脚
被专门用作返回引脚为引导
电容。 20.2 k电阻连接GH之间
阶段提供的高边MOSFET放电通路
倘若V
CIN
变为零，而V
IN
仍在施加时。
接地连接（C
GND
和P
GND
)
P
GND
（电源地）应在外部连接到
C
GND
（控制信号地线） 。印制布局
电路板应该是这样的电感分
了C
GND
和P
GND
应最少。短暂
由于与这两个引脚电感效应的差异
应不超过0.5 V.
控制和驱动电源电压输入（V
DRV
,V
CIN
)
V
CIN
是该偏置电源的栅极驱动器控制集成电路。 V
DRV
is
该偏置电源的栅极驱动器。建议
通过一个电阻分离这些引脚。这将创建一个低
低通滤波作用，以避免高频栅耦合
驱动器的噪音进入IC 。
自举电路（ BOOT ）
内部自举开关和外部自举
电容器形成一个电荷泵，它提供电压给
BOOT引脚。集成的自举二极管被合并使
只有一个外部电容器是必要的，完成
自举电路。连接一个自举电容的一条腿
绑BOOT引脚和其他依赖于PHASE引脚。
贯通保护和自适应死区时间
酶（AST ）
该SiC779有一个内部的自适应逻辑，以避免拍
通过优化死区时间。通过拍摄
保护确保高边和低边
的MOSFET不导通的同时。自适应
死区时间控制的操作如下。当PWM输入
变高对LS栅极开始后几纳秒变为低电平。当
通过1.7 V这信号穿过逻辑切换HS
栅极上被激活。当PWM变低的HS门进入
低。当HS栅极 - 源极驱动信号的杂交
通过1.7 V的逻辑，以打开门被激活的LS上。
此功能有助于调节死区时间的门转换
改变相对于输出电流和温度。
欠压锁定（ UVLO ）
在启动周期， UVLO关闭门驱动
高举高边和低边MOSFET的栅极为低电平，直到
输入电压轨，已经达到了一个点处的逻辑
电路可以安全地激活。该SiC779还
集成逻辑夹住栅极驱动信号到零
当UVLO下降沿触发的关机
装置。作为一个额外的预防措施， 20.2 k电阻
连接GH和相位，以提供放电之间
路径HS MOSFET。
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