SiC762CD
Vishay Siliconix公司
集成的DrMOS功率级
描述
在SiC762CD是一个集成的解决方案，包含PWM
优化的N沟道MOSFET （高压侧和低压侧）
一个全功能的MOSFET驱动器IC 。该设备符合
用于台式机和服务器V英特尔的DrMOS标准
CORE
动力
阶段。在SiC762CD提供高达35A的连续输出
电流和从3伏到的输入电压范围内工作
27五，集成MOSFET的输出优化
电压在0.8至2.0V的范围内具有标称输入
24 V.该器件电压也可以提供非常高的功率
在5 V输出，用于ASIC应用。
在SiC762CD采用了先进的MOSFET栅极
驱动IC。该IC接收来自V单PWM输入
R
控制器，并将其转换成高压侧和低压侧
MOSFET栅极驱动信号。驱动器IC被设计成
实现跳跃模式（ SMOD ）函数用于轻载
效率的提高。自适应死区时间控制也
致力于提高效率，在所有负载点。在SiC762CD
有一个热警告（ THDN ） ，提醒制度
过度的结温。驱动器IC包括：一个
使能引脚，欠压锁定和射击通过保护。
在SiC762CD的高频降压优化
应用程序。超过1 MHz的工作频率可以
容易地实现。
在SiC762CD封装在日前，Vishay Siliconix的高
性能的PowerPAK MLP6 ×6包。紧凑
助包装组件有助于减少杂散
电感，并因此提高了效率。
特点
集成的第三代MOSFET和DrMOS的
兼容的栅极驱动器集成电路
启用V
CORE
在1 MHz的开关
轻松实现多相位> 90 ％的效率，
低输出电压的解决方案
在VSWH引脚为低电平振铃降低EMI
引脚与DrMOS的6× 6的版本兼容3.0
三态PWM输入功能可以防止负输出
电压摆幅
5 V逻辑电平PWM
5 V驱动器偏置MOSFET的阈值电压优化
供应
自动跳过模式工作（ SMOD ）的轻负荷
效率
欠压锁定
内置自举肖特基二极管
自适应死区时间，并射穿保护
热关断警告标志
低调，热增强型PowerPAK
MLP 6× 6
40引脚封装
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
CPU和GPU核心电压调节
服务器，电脑，工作站，游戏机，图形
板， PC
SIC762CD应用DIAGRAMM
5
V
VDRV
GH
V
IN
V
IN
V
CIN
SMOD
栅极驱动器
DSBL ＃
PWM
PWM
tHDN
调节器
BOOT
V
太阳能热水器
相
V
O
SiC762CD
P
GND
C
GND
图1
文档编号： 65727
S10-0275 -REV 。 A， 08 -FEB - 10
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1
GL
SiC762CD
Vishay Siliconix公司
订购信息
产品型号
SiC762CD-T1-GE3
SiC762DB
包
的PowerPAK MLP66-40
参考板
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
输入电压
开关节点电压（ DC ）
变频器的输入电压
控制输入电压
逻辑引脚
启动电压直流（引用到C
GND
)
引导到相电压DC
引导到相电压< 200纳秒
环境温度范围
最高结温
存储结温
符号
V
IN
V
SW
V
DRV
V
CIN
V
PWM
, V
DSBL ＃
,
V
tHDN
, V
SMOD
V
BS
V
BS_PH
T
A
T
J
T
英镑
- 65
分钟。
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 40
马克斯。
30
30
7.0
7.0
V
CIN
+ 0.3
33
7
9
125
150
150
260
°C
V
单位
焊峰值温度
注意：
一。牛逼
A
= 25 ° C和所有电压参考P
GND
= C
GND
除非另有说明。
超越那些在"Absolute最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值/长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
输入电压
控制输入电压
变频器的输入电压
开关节点
符号
V
IN
V
CIN
V
DRV
V
SW_DC
分钟。
3.0
4.5
4.5
12
典型值。
12
马克斯。
24
5.5
5.5
24
V
单位
注意：
一。推荐的工作条件，规定在整个温度范围内，并且所有电压参考P
GND
= C
GND
除非
另有说明。
热电阻额定值
参数
在T最大功耗
PCB
= 25 °C
在T最大功耗
PCB
= 100 °C
热阻结到顶部
热阻结到PCB
符号
P
D_25C
P
D_100C
R
th_J_TOP
R
th_J_PCB
典型值。
马克斯。
25
10
15
5
单位
W
° C / W
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2
文档编号： 65727
S10-0275 -REV 。 A， 08 -FEB - 10
SiC762CD
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电气规格
测试条件除非指定
V
DSBL ＃
= V
SMOD
= 5 V,
V
IN
= 12 V, V
VDRV
= V
VCIN
= 5 V,
T
A
= 25 °C
V
DSBL ＃
= 0 V ，无开关
V
CIN
控制输入电流
I
VCIN
V
DSBL ＃
= 5 V ，无开关
V
DSBL ＃
= 5 V，F
s
= 300千赫，D = 0.1
变频器的输入电流（动态）
自举电源
自举开关正向电压
控制输入（ PWM ， DSBL ＃ ， SMOD ）
PWM上升阈值
PWM下降阈值
三态PWM阈值上升
三态PWM下降阈值
三态PWM上升阈值迟滞
三态PWM下降阈值迟滞
联亚拖延时间
b
PWM输入电流
SMOD ， DSBL ＃逻辑输入电压
下拉阻抗
THDN输出低
保护
热警告标志设置
热警告标志清除
热警告标志迟滞
欠压锁定V
CIN
欠压锁定V
CIN
欠压闭锁滞后V
CIN
高侧栅极放电电阻
b
参数
电源
符号
分钟。
典型值。
a
21
350
500
14
40
0.60
马克斯。
单位
A
18
54
0.75
4.2
1.2
1.8
4.0
mV
ns
A
V
Ω
V
V
I
VDRV
f
s
= 300千赫，D = 0.1
f
s
= 1000千赫，D = 0.1
V
VCIN
= 5 V ，正向偏置电流2 mA
3.5
0.8
0.9
3.4
mA
V
BS二极管
V
th_pwm_r
V
th_pwm_f
V
th_tri_r
V
th_tri_f
V
hys_tri_r
V
hys_tri_f
t
TSHO
I
PWM
V
LOGIC_LH
V
LOGIC_LH
R
tHDN
V
THDNL
V
3.9
1.0
1.3
3.7
280
180
150
V
PWM
= 5 V
V
PWM
= 0 V
上升（从低到高）
下降（从高到低）
5 k电阻上拉至V
CIN
2.0
250
- 250
0.8
40
0.04
150
135
15
°C
3.9
V
UVLO
V
UVLO_HYST
R
HS_DSCRG
瑞星，阈值
落，断阈值
V
VDRV
= V
VCIN
= 0 V; V
IN
= 12 V
2.3
3.3
2.95
400
20.2
V
mV
kΩ
注意事项：
一。典型的限制得到的，不是生产测试。
B 。通过设计保证。
文档编号： 65727
S10-0275 -REV 。 A， 08 -FEB - 10
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3
SiC762CD
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时序特定网络阳离子
测试条件除非指定
V
VDRV
= V
VCIN
= V
DSBL ＃
= 5 V,
V
VIN
= 12 V ，T
A
= 25 °C
脉宽调制的25 ％至90％的GH
10 ％至90％的GH
90％对GH的10％
75％的PWM的90％的GL
10 ％至90％的GL
90 ％至GL的10％
GL的10％对GH的10％
生长激素的10％至GL的10％
10
参数
关闭传播延迟
HIGH SIDE
a
上升时间高端
下降时间高边
关闭传播延迟
LOW SIDE
a
上升时间低侧
下降时间低端
死区时间上升
死区时间下降
符号
t
d_off_HS
t
RθHS
t
f_HS
t
d_off_LS
t
r_LS
t
f_LS
t
dead_on
t
dead_off
分钟。
10
典型值。
20
10
8
37
6
5
27
19
马克斯。
35
单位
45
ns
注意：
一。分钟。和Max 。不是100％生产测试。
时序定义
PWM
75
%
25
%
GH
90
%
GL
10
%
SW
10
%
90
%
1 2 3 4
5 6
7
8
地区
1
2
3
4
5
6
7
8
德网络nition
关闭传播延迟LS
下降时间LS
死区时间上升
上升时间HS
关闭传播延迟HS
下降时间HS
死区时间下降
上升时间LS
符号
t
d_off_LS
t
f_LS
t
dead_on
t
RθHS
t
d_off_HS
t
f_HS
t
dead_off
t
r_LS
注意：
GH被引用至高位面源。 GL为基准向低侧源。
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文档编号： 65727
S10-0275 -REV 。 A， 08 -FEB - 10
SiC762CD
Vishay Siliconix公司
SIC762CD框图
V
DRV
V
CIN
GH
UVLO
V
IN
BOOT
DSBL ＃
热
警告
相
tHDN
AST CNTL
DCM DETECT
VSWH
PWM
三态
PWM
SMOD
P
GND
C
GND
GL
图2
详细的操作说明
PWM输入与三态功能
PWM输入从V接收PWM控制信号
R
控制器IC 。 PWM输入被设计为兼容
利用国家二级标准逻辑控制器（ H和L）和
先进的控制器，结合三态逻辑（H，L和
三态）的PWM输出。两个国家的逻辑， PWM
输入操作如下。当PWM上面驱动
V
th_pwm_r
低侧截止，高侧导
上。当PWM输入驱动为低于V
th_pwm_f
偏高
关闭和低侧导通。对于三态逻辑，
PWM输入如上操作，用于驱动MOSFET的。
然而，存在被输入到作为一个第三状态
三态兼容的控制器的PWM输出进入高
在关机阻抗状态。高阻抗
控制器的PWM输出状态允许SiC762CD到
拉PWM输入到三态区域（见三态
以下电压阈值图） 。如果PWM输入停留在
这一地区为三态保持冷静期，T
TSHO
，兼具高
侧和低侧的MOSFET被关断。此功能
允许V
R
无负输出禁用相
电压摆动引起的电感器的振铃和保存
肖特基二极管钳位。在PWM和联亚地区是
由滞后分离，以防止误触发。该
SiC762CD采用PWM电压阈值是
与5 V逻辑兼容。
禁用（ DSBL ＃ ）
处于低状态时， DSBL ＃引脚关闭驱动器IC和
禁用高边和低边MOSFET 。在这种状态下，
待机电流最小化。如果DSBL ＃留
未连接的内部下拉电阻将拉动销
下降到C
GND
和关闭IC 。
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S10-0275 -REV 。 A， 08 -FEB - 10
二极管仿真模式（ SMOD ）跳跃模式
当SMOD引脚为低电平时，二极管仿真模式处于启用状态。
这是一种非同步转换模式，提高
通过减少开关损耗的轻负载效率。进行
发生在同步降压型稳压器时的损失
电感电流为负，也降低了。电路中的
栅极驱动IC检测时，电感电流过零和
自动停止开关，低侧MOSFET 。看
SMOD运行图的更多细节。这
功能也可用于预偏置的输出电压。如果
SMOD悬空，内部上拉电阻会拉
销至V
CIN
（逻辑高电平），以禁用二极管仿真
功能。
热关断警告（ THDN ）
该THDN引脚为漏极开路信号旗的存在
过度的结温。一个最大的连接
20 k将该引脚拉至V
CIN
。的内部温度
传感器检测的结温。温度
阈值是150℃。当这个结温
超过THDN标志被设置。当结
温度低于135 ℃，该设备将清除
THDN信号。在SiC762CD不会停止运转时，
该标志被设置。决定关断必须由进行
外部热控制功能。
输入电压（V
IN
)
这是电源输入到高侧电源的漏极
MOSFET。该引脚被连接到高功率
中间总线轨。
开关节点（V
太阳能热水器
和相位）
开关节点V
太阳能热水器
是电路PWM稳压输出。
这是施加在滤波器电路提供的输出
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