SiC413
Vishay Siliconix公司
microBUCK
TM
SiC413
4 -A ， 26 -V集成同步降压稳压器
描述
该SiC413是一个集成的直流到直流电源转换
与溶液内置的PWM优化高边和低边
N沟道MOSFET和先进的PWM控制器。该
SiC413提供了一种快速且易于使用的POL电压
用于广泛的应用范围调节溶液。日前，Vishay
Siliconix公司专有的封装技术用于
优化的功率级，并尽量减少功率损耗
与寄生阻抗和开关延迟有关。
在共同封装第三代TrenchFET功率MOSFET
器件提供更高的效率比横向DMOS
单片解决方案。
特点
集成PWM控制器和第三代
MOSFET的沟道
快速和容易的单芯片转换器
集成的电流检测
逐周期过流保护
内置自举二极管
输出过电压保护
欠压锁定
热关断
软启动
先开后合，使操作
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
符合RoHS指令2002/95 / EC
产品概述
输入电压范围
输出电压范围
工作频率
连续输出电流
峰值效率
高侧/低压侧
DS_ON
包
4.75 V至26 V
0.6 V至13.2 V
500千赫
4A
93 %
35 mΩ/19 mΩ
SO-8
应用
液晶电视，机顶盒和DVD播放机
台式电脑和服务器
外接显卡
内存方面， FPGA或微处理器的设备的电源
的负载的DC- DC转换点
电信和网络设备
典型用途
V
IN
V
REG
7
V
IN
6
启用
EN
2
3
BOOT
比较1
调节器
4
V
SW
V
O
FB
8
SiC413
5
GND
图1 - 典型应用电路
文档编号： 69057
S09-2250 -REV 。 D， 26 - OCT- 09
www.vishay.com
1
SiC413
Vishay Siliconix公司
引脚配置
COMP
EN
BOOT
V
SW
1
2
3
4
8
7
6
5
FB
V
REG
V
IN
GND
图2. SO- 8引脚输出 - 顶视图
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
COMP
EN
BOOT
V
SW
GND
V
IN
V
REG
FB
描述
误差放大器的输出。连接到补偿网络。
芯片使能引脚。高电平有效。连接到通过一个10K to100K电阻器以启用电源。
连接到从V 0.1 μF的电容
SW
要引导高边栅极驱动器供电。
电感连接。输出滤波电感连接到该引脚。 V
SW
为高阻抗时，该IC是
在关断模式。
接地引脚。
电源电压。
内部稳压器输出。外部4.7 μF去耦电容必须在此引脚。
输出电压反馈输入。
订购信息
产品型号
SiC413CB-T1-E3
SiC413DB
包
SO- 8 （ 6.2 ×5× 1.75毫米）
参考板
功能框图
V
REG
V
IN
UVLO
5.5
V
REG
EN
关闭
控制
OTP
OVP
PWM
GM
过度
当前
控制逻辑
活跃
死区时间
V
SW
V
REG
BOOT
F
OSC
GND
FB
COMP
图3.功能框图
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2
文档编号： 69057
S09-2250 -REV 。 D， 26 - OCT- 09
SiC413
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
a
参数
输入击穿电压
常见的开关节点电压击穿
逻辑输入
自举电压
最大功率耗散
工作温度
存储结温
焊峰值温度
注意事项：
一。牛逼
A
= 25 ℃，并以GND为参考，除非另有说明，所有的电压。
符号
V
IN
V
SW
DC
V
SW
PEAK
c
V
COMP
, V
FB
, V
EN
V
BOOT
P
D
T
j
T
英镑
- 25
- 40
分钟。
- 0.3
-1
-1
- 0.3
- 0.3
马克斯。
28
28
30
6
33
1.5
125
150
260
°C
W
V
单位
超越那些在"Absolute最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值/长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
b
参数
输入电压
逻辑输入
常见的开关节点
符号
V
IN
V
COMP
,
V
FB
, V
EN
V
SW DC
V
SW peakc
分钟。
4.75
4.5
- 0.3
- 0.3
典型值。
12
5
12
24
马克斯。
26
5.5
26
28
V
单位
注意事项：
B 。推荐的工作条件，规定在整个温度范围内，并且所有电压参考GND除非另有
指出。
。峰值被指定为脉冲
≤
100纳秒。
热电阻额定值
参数
结到外壳热阻
在操作中，马克斯。连接点
结到环境电阻
PCB =铜25毫米×25mm的
外壳顶部到板边缘
PCB = EVBSiC413版本3.0 ;没有强制气流
符号
R
thJC
R
thJA
R
THCA
联系日前，Vishay的
热设计
援助
° C / W
典型值。
单位
文档编号： 69057
S09-2250 -REV 。 D， 26 - OCT- 09
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3
SiC413
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特定网络阳离子
条件除非指定
否则
V
IN
= 12 V, V
EN
= 5 V,
V
OUT
= 3.3 V ，T
A
= 25 °C
空气流量= 0
5
0
≤
I
O
≤
4 A
I
OUT
= 0
V
FB
R
DS （ ON） HS
R
DS （ ON） LS
F
OSC
DC
T
A
= 25 °C
T
A
= - 25 ° C至85°C
V
BOOT
- V
SW
= 5.5 V
V
REG
= 5.5 V
435
62
0.591
0.582
0.6
0.6
35
19
500
70
110
2.5
1.5
I
FB
2
30
V
EN
V
EN L
V
EN
升起
V
EN
落下
V
FB
上升，当V
FB
/V
REF
较大
比
V
FB
下降，当V
FB
/V
REF
少
比
V
IN
升起
V
IN
落下
3.55
1.8
0.6
565
参数
转换器操作
输出电流
a
内部稳压电压
负载调整率
a
线路调整
a
反馈电压
MOSFET的导通电阻
内部振荡器频率
马克斯。 PWM占空比
误差放大器器
开环电压增益
单位增益带宽
跨
输入偏置电流
马克斯。吸入/源出电流
启用
启用逻辑高电平
启用逻辑电平低
保护
过电压跳变点
过电压跳闸滞后
V
IN
欠压锁定
V
IN
欠压闭锁滞后
热关断
热关断迟滞
峰值电流限制
软启动
软起动时间
电源电流
输入电流
关断电流
动态
b
上升时间
下降时间
符号
I
OUT
V
REG
分钟。
典型值。
a
4
5.7
马克斯。
单位
A
6.1
0.6
0.1
0.609
0.618
V
%
%/V
V
mΩ
千赫
%
dB
兆赫
mS
nA
A
V
OVP
OVP
HYS
V
在UVLO -H
V
在UVLO HS
T
SD
T
SD HS
I
LIM
T
SS
I
Q
I
SD
T
R_SW
T
f_SW
115
120
110
3.8
200
165
20
7
5
125
%
4.05
V
mV
°C
A
ms
mA
A
V
EN
=高，空载
V
EN
= 0 V
10 ％至90％ SW的
90 ％至10％ SW的
10
8
16
15
ns
注意事项：
一。通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2 %.
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4
文档编号： 69057
S09-2250 -REV 。 D， 26 - OCT- 09
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电气特性
16
14
12
10
I
SD
(A)
77
V
IN
= 12
V
76
最大占空比（ ％ ）
V
IN
= 12
V
75
74
73
72
71
70
- 25 - 10
8
6
4
2
0
- 25 - 10
5
20
35
50
65
80
95
110 125
5
20
35
50
65
80
95
110 125
温度（℃）
温度（℃）
关机电流与温度的关系
6.0
5.8
5.6
5.4
5.2
5.0
4.8
4.6
4.4
- 25 - 10
V
IN
= 4.75
V
V
IN
= 12V/24
V
开关频率（kHz ）
最大占空比与温度
530
V
IN
= 12
V
520
510
V
REG
(V)
500
490
480
5
20
35
50
65
80
95
110 125
470
- 25 - 10
5
20
35
50
65
80
95
110 125
温度（℃）
温度（℃）
内部稳压器电压与温度的关系
频率与温度
1.010
V
IN
= 12
V
1.005
V
FB
（归一化）
I
LIM
（归一化）
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
1.000
0.995
0.990
- 25 - 10
5
20
35
50
65
80
95
110 125
0.6
- 25 - 10
5
20
温度（℃）
35 50 65
80
温度（℃）
95
110 125
反馈电压与温度（归一化）
文档编号： 69057
S09-2250 -REV 。 D， 26 - OCT- 09
峰值电流限制与温度（归一化）
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5
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