新产品
SiB457EDK
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
0.035在V
GS
= - 4.5 V
- 20
0.049在V
GS
= - 2.5 V
0.072在V
GS
= - 1.8 V
0.130在V
GS
= - 1.5 V
I
D
(A)
- 9
a
- 9
a
- 9
a
-2
13 NC
Q
g
（典型值）。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
新的耐热增强型PowerPAK
SC- 75封装
- 小占位面积
- 低导通电阻
100 % R
g
经过测试
典型的ESD性能： 2500 V
内置ESD保护与稳压二极管
符合RoHS指令2002/95 / EC
的PowerPAK SC- 75-6L -单
S
1
D
2
D
3
6
D
5
D
S
4
S
1.60 mm
G
应用
标识代码
BJX
零件编号代码
XXX
很多可追溯性
和日期代码
D
负载开关，用于便携式设备
负荷开关的充电电路
G
R
1.60 mm
订货信息：
SiB457EDK -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
极限
- 20
±8
- 9
a
- 9
a
- 6.8
B，C
- 5.5
B，C
- 25
- 9
a
- 2
B，C
13
8.4
2.4
B，C
1.6
B，C
- 55 150
260
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
A
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
B，F
t
≤
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
41
7.5
最大
51
9.5
单位
° C / W
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SC- 75是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为105 ° C / W 。
文档编号： 64816
S09-1497 -REV 。 B， 10 - 8 - 09
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1
新产品
SiB457EDK
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 4.8 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 4.0 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 3.3 A
V
GS
= - 1.5 V，I
D
= - 1.5 A
正向跨导
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
I
S
I
SM
V
SD
I
S
= - 5.5 A，V
GS
= 0 V
- 0.85
T
C
= 25 °C
-9
- 25
- 1.2
A
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 1.8
Ω
I
D
- 5.5 A，V
根
= - 8 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 1.8
Ω
I
D
- 5.5 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
0.28
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 8 V，I
D
= - 6.8 A
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 6.8 A
22
13
1.2
3
1.4
0.34
0.90
3.00
1.90
0.17
0.45
5.5
2.00
2.8
0.51
1.35
4.50
2.90
0.26
0.70
8.30
3.50
us
kΩ
44
26
nC
g
fs
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 4.8 A
- 15
0.029
0.040
0.060
0.085
16
0.035
0.049
0.072
0.130
S
Ω
- 0.4
- 20
- 12
2.5
-1
±5
± 0.5
-1
- 10
A
A
V
毫伏/°C的
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 64816
S09-1497 -REV 。 B， 10 - 8 - 09
新产品
SiB457EDK
Vishay Siliconix公司
典型特征
0.8
25 ℃，除非另有说明
10
-2
10
-3
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
I
GSS
- 栅电流（ A）
0.6
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
10
-10
T
J
= 150 °C
0.4
T
J
= 25 °C
0.2
T
J
= 25 °C
0.0
0
3
6
9
12
15
10
-11
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
栅电流与栅源电压
25
V
GS
= 5
V
通2.5
V
8
V
GS
= 2
V
I
D
- 漏电流（ A）
10
栅电流与栅源电压
20
I
D
- 漏电流（ A）
15
6
10
V
GS
= 1.5
V
5
V
GS
= 1
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4
T
C
= 25 °C
2
T
C
= 125 °C
0
0.0
T
C
= - 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.20
V
GS
= 1.5
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
- 导通电阻
0.15
V
GS
= 1.8
V
0.10
1.5
1.4
1.3
（归一化）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
V
GS
= 4.5
V
0.00
0
5
10
15
20
25
0.7
- 50
- 25
传输特性
V
GS
= 4.5
V,
2.5
V;
I
D
= 4.8 A
V
GS
= 1.8
V;
I
D
= 4.8 A
V
GS
= 1.5
V;
I
D
= 1.5 A
0.05
V
GS
= 2.5
V
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 漏电流（ A）
T
J
- 结温（ ° C）
导通电阻与漏电流
导通电阻与结温
文档编号： 64816
S09-1497 -REV 。 B， 10 - 8 - 09
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新产品
SiB457EDK
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
8
I
D
= 6.8 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
6
V
DS
= 5
V
V
DS
= 10
V
4
V
DS
= 16
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.12
0.15
0.09
I
D
= 1.5 A;牛逼
J
= 125 °C
I
D
= 4.8 A;牛逼
J
= 125 °C
I
D
= 4.8 A;
T
J
= 25 °C
I
D
= 1.5 A;牛逼
J
= 25 °C
0.06
2
0.03
0
0
5
10
15
20
25
0.00
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
栅极电荷
100
20
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
10
功率（W）的
15
10
T
J
= 25 °C
1
5
0.1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0
0.001
0.01
0.1
1
脉冲（多个）
10
100
1000
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
索里漏二极管正向电压
0.8
100
单脉冲功率，结到环境
有限
by
R
DS （ ON）
*
0.7
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
= 250
A
0.6
V
GS （ TH）
(V)
10
100
s
1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.1
0.3
BVDSS有限公司
0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1 s, 10 s
DC
0.5
0.4
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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4
文档编号： 64816
S09-1497 -REV 。 B， 10 - 8 - 09
新产品
SiB457EDK
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
15
16
I
D
- 漏电流（ A）
12
Po
w
ER （ W）
12
包装有限公司
8
9
6
4
3
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 64816
S09-1497 -REV 。 B， 10 - 8 - 09
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5
QQ：2880707522 复制
