新产品
SiA814DJ
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （ DS ） MOSFET与沟槽肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.061在V
GS
= 10 V
0.072在V
GS
= 4.5 V
0.110在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
a
4.5
4.5
4.5
Q
g
（典型值）。
3.2 NC
特点
无卤
LITTLE FOOT
PLUS
肖特基功率MOSFET
新的耐热增强型PowerPAK
SC- 70封装
- 小占位面积
- 低导通电阻
- 薄0.75毫米简介
RoHS指令
柔顺
肖特基产品概要
V
KA
(V)
30
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.56在1
I
F
(A)
a
2
应用
DC / DC转换器，用于便携式设备
负载开关，用于便携式设备
D
的PowerPAK SC- 70-6双
K
2
NC
K
K
D
G
3
D
1
A
标识代码
的GbX
0.75 mm
零件编号代码
XXX
很多可追溯性
和日期代码
2.05 mm
S
订货信息：
SiA814DJ -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道
MOSFET
A
G
6
5
2.05 mm
4
S
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 ℃） （MOSFET）
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源极 - 漏极二极管电流
（ MOSFET二极管的导通）
平均正向电流（肖特基）
脉冲正向电流（肖特基）
T
C
= 25 °C
最大功率耗散（ MOSFET ）
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散（肖特基）
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
T
J
, T
英镑
P
D
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
I
DM
I
S
I
F
I
FM
I
D
符号
V
DS
V
KA
V
GS
极限
30
30
± 12
4.5
a
4.5
a
4.3
B，C
3.4
B，C
15
4.5
a
1.6
B，C
2
b
3
6.5
5
1.9
B，C
1.2
B，C
6.8
4.3
1.6
B，C
1.0
B，C
- 55 150
260
W
A
V
单位
°C
文档编号： 68672
S- 81176 -REV 。 A， 26 08年5月
www.vishay.com
1
新产品
SiA814DJ
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
最大结至外壳（漏） （ MOSFET ）
最大结到环境（肖特基）
B，G
最大结至外壳（漏） （肖特基）
B，F
t
≤
5s
稳定状态
t
≤
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
R
thJA
R
thJC
典型
52
12.5
62
15
最大
65
16
76
18.5
单位
° C / W
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。见焊接温度曲线（
h
TTP ： //www.vishay.com/ppg 73257 ） 。
采用PowerPAK SC- 70是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为110 ° C / W 。
克。在稳态条件下最大为110 ° C / W 。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
a
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.3 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.9 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.3 A
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
27
- 3.7
0.6
1.5
± 100
1
10
15
0.050
0.059
0.090
9
340
0.061
0.072
0.110
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 4.3 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.3 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 4.3
Ω
I
D
3.5 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
45
25
7
3.2
0.9
0.8
2
10
10
15
10
5
15
15
25
15
10
20
25
15
11
5
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= 15 V ，R
L
= 4.3
Ω
I
D
3.5 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
12
15
10
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2
文档编号： 68672
S- 81176 -REV 。 A， 26 08年5月
新产品
SiA814DJ
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 3.5 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 3.5 A，V
GS
= 0 V
0.8
12
6
8
4
T
C
= 25 °C
4.5
15
1.2
20
15
A
V
ns
nC
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
符号
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125 °C
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A，T
J
= 125 °C
最大反向漏电流
结电容
I
rm
C
T
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 85 °C
V
r
= 15 V
分钟。
典型值。
0.37
0.31
0.46
0.41
0.025
0.6
35
马克斯。
0.45
0.37
0.56
0.50
0.1
6.00
mA
pF
V
单位
正向电压降
V
F
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 68672
S- 81176 -REV 。 A， 26 08年5月
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3
新产品
SiA814DJ
Vishay Siliconix公司
MOSFET的典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
15
V
GS
= 10直通3
V
12
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
4
5
9
3
6
2
T
C
= 25 °C
1
T
C
= 125 °C
3
V
GS
= 2
V
V
GS
= 1
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
T
C
= - 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.155
500
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.130
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5
V
0.105
400
C
国际空间站
300
0.080
V
GS
= 4.5
V
0.055
V
GS
= 10
V
0.030
0
3
6
9
12
15
200
100
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
0
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 4.3 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
V
DS
= 24
V
V
DS
= 15
V
1.6
1.8
I
D
= 3.3 A
电容
V
GS
= 10
V,
4.5
V
1.4
V
GS
= 2.5
V
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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4
文档编号： 68672
S- 81176 -REV 。 A， 26 08年5月
新产品
SiA814DJ
Vishay Siliconix公司
MOSFET的典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
100
0.20
I
D
= 3.3 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.15
I
S
- 源电流（ A）
10
0.10
T
J
= 125 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1
0.0
0.05
T
J
= 25 °C
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
1.4
1.3
1.2
1.1
V
GS （ TH）
(V)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 50
0
0.001
5
功率（W）的
15
20
导通电阻与栅极至源极电压
10
I
D
= 250
A
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
脉冲（多个）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率（结到环境）
100
s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.1
1
BVDSS
有限
10
100
100毫秒
1 s, 10 s
DC
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 68672
S- 81176 -REV 。 A， 26 08年5月
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
