新产品
SiA778DJ
Vishay Siliconix公司
N沟道12 V和20 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
0.029在V
GS
= 4.5 V
0.034在V
GS
= 2.5 V
0.044在V
GS
= 1.8 V
0.065在V
GS
= 1.5 V
0.225在V
GS
= - 4.5 V
0.270在V
GS
= - 2.5 V
0.345在V
GS
= - 1.8 V
0.960在V
GS
= - 1.5 V
的PowerPAK SC- 70-6双
D
2
S
1
D
1
D
1
6
5
2.05 mm
G
2
4
S
2
2.05 mm
D
2
零件编号代码
1
G
1
2
3
D
2
D
1
200
Ω
G
2
G
1
很多可追溯性
和日期代码
S
1
特点
I
D
(A)
4.5
4.5
a
4.5
a
4.5
a
1.5
a
1.5
a
1.5
a
0.5
a
a
Q
g
（典型值）。
通道1
12
5.6 NC
通道2
20
1.1 NC
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
新的耐热增强型PowerPAK
SC- 70封装
- 小占位面积
- 低导通电阻
通道2的典型ESD性能： 2800 V
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
N通道电平转换负载开关，用于便携式设备
- 为0 V至8 V电源线
标识代码
CGX
XXX
订货信息：
SiA778DJ -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道
1 MOSFET
S
2
N沟道
2 MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
源漏电流二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
通道1
12
±8
4.5
a
4.5
a
4.5
A， B，C
4.5
A， B，C
20
4.5
a
1.6
B，C
6.5
5
1.9
B，C
1.2
B，C
- 55 150
260
通道2
20
±6
1.5
a
1.5
a
1.5
B，C
1.5
B，C
4
1.5
a
1.5
B，C
5
3.2
1.9
B，C
1.2
B，C
单位
V
A
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
°C
热电阻额定值
通道1
参数
B，F
通道2
典型值。
马克斯。
单位
t
≤
5s
52
65
52
65
最大结点到环境
° C / W
最大结至外壳（漏）
稳定状态
12.5
16
20
25
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SC- 70是一种无引线封装。引线端子的端部露出铜
（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不
需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。稳态条件下的通道1和通道2下最大为110 ° C / W 。
文档编号： 65669
S10-0046 -REV 。 A， 11 -JAN- 10
www.vishay.com
1
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
马克斯。
新产品
SiA778DJ
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
栅极阈值电压
门体漏
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 6 V
V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.6 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 4.6 A
漏源导通电阻
b
R
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.5 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 4.1 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1.3 A
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 0.3 A
正向跨导
b
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Ch-1
通道1
V
DS
= 6 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 6 V, V
GS
= 8 V，I
D
= 6.5 A
总栅极电荷
Q
g
V
DS
= 10 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 1.7 A
通道1
V
DS
= 6 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Q
gs
Q
gd
R
g
通道2
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.7 A
F = 1 MHz的
Ch-1
Ch-1
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
0.7
40
500
160
100
9.7
1.3
5.6
1.1
0.72
0.2
0.74
0.1
3.5
200
7
400
Ω
15
2.2
8.5
1.7
nC
pF
g
fs
V
DS
= 6 V，I
D
= 5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.6 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
15
4
0.024
0.183
0.028
0.220
0.032
0.275
0.042
0.320
21
3.5
0.029
0.225
0.034
0.270
0.044
0.345
0.065
0.960
S
Ω
0.4
0.4
12
20
12
21
- 2.5
- 2.3
1
1
± 100
1
1
1
10
10
A
A
V
nA
mA
毫伏/°C的
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 65669
S10-0046 -REV 。 A， 11 -JAN- 10
新产品
SiA778DJ
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
动态
a
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
a
符号
测试条件
Ch-1
通道1
V
DD
= 6 V ，R
L
= 1.2
Ω
I
D
5.2 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
通道2
V
DD
= 10 V ，R
L
= 7.7
Ω
I
D
1.3 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
I
S
= 5.2 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1.3 A，V
GS
= 0 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
通道1
I
F
= 5.2 ，二// DT = 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
通道2
I
F
= 1.3 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
分钟。
典型值。
10
20
10
12
22
70
10
20
马克斯。
15
30
15
20
30
105
15
30
4.5
1.5
20
4
单位
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
ns
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
T
C
= 25 °C
A
0.85
0.9
20
50
5
30
8
115
12
35
1.2
1.2
40
75
10
45
V
ns
nC
ns
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 65669
S10-0046 -REV 。 A， 11 -JAN- 10
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3
新产品
SiA778DJ
Vishay Siliconix公司
CHANNEL 1典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
5
V
GS
= 5
V
THRU 2
V
15
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
4
3
10
V
GS
= 1.5
V
2
T
C
= 25 °C
1
T
C
= 125 °C
5
V
GS
= 1
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.3
0.6
0.9
T
C
= - 55 °C
1.2
1.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.10
800
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
V
GS
= 1.8
V
- 电容（pF ）
V
GS
= 1.5
V
0.06
600
C
国际空间站
400
C
OSS
200
0.04
V
GS
= 2.5
V
0.02
V
GS
= 4.5
V
C
RSS
0
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
3
6
9
12
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
8
I
D
= 6.5 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
6
V
DS
= 3
V
4
V
DS
= 6
V
2
V
DS
= 9.6
V
1.6
1.5
1.4
1.3
（归一化）
1.2
1.1
电容
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
GS
= 4.5
V,
2.5
V,
1.8
V;
I
D
= 5 A
V
GS
= 1.5
V;
I
D
= 2 A
1.0
0.9
0.8
0
0
4
8
12
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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4
文档编号： 65669
S10-0046 -REV 。 A， 11 -JAN- 10
新产品
SiA778DJ
Vishay Siliconix公司
CHANNEL 1典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
0.08
0.07
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
10
0.06
0.05
0.04
0.03
I
D
= 2 A;牛逼
J
= 25 °C
0.02
0.01
0.1
0.0
0.00
0.0
I
D
= 5 A;
T
J
= 25 °C
I
D
= 2 A;牛逼
J
= 125 °C
I
D
= 5 A;牛逼
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.8
20
导通电阻与栅极至源极电压
0.7
15
0.6
V
GS （ TH）
(V)
I
D
= 250
A
0.5
功率（W）的
10
0.4
5
0.3
0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
脉冲（多个）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率（结到环境）
100
s
1毫秒
10毫秒
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.1
BVDSS有限公司
100毫秒， 1秒
10秒， DC
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 65669
S10-0046 -REV 。 A， 11 -JAN- 10
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
