SPICE器件模型SiA511DJ
Vishay Siliconix公司
N和P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
特征
N和P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n型和p沟道垂直DMOS的特性。该
子电路模型中提取并优化过
55
在脉冲0 -V在125 ° C的温度范围为4.5 V
栅极驱动。饱和输出阻抗是在栅极最佳拟合
偏压阈值附近的电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 69663
S- 72405Rev 。 A， 19 -NOV- 07
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SPICE器件模型SiA511DJ
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规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.2 A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.8 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
2.8 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1.6 A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
0.70 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.2 A
V
DS
=
10
V，I
D
=
3.3
A
I
S
= 4.4 A，V
GS
= 0 V
I
S
=
3.4
A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.55
0.84
0.034
0.058
0.041
0.085
0.051
0.121
14
15
0.95
0.70
0.033
0.058
0.039
0.082
0.051
0.111
13
9
0.80
0.80
S
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
二极管的正向电压
a
V
SD
V
动态
b
输入电容
C
国际空间站
N沟道
V
DS
= 6 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
P沟道
V
DS
=
6
V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
V
DS
= 6 V, V
GS
= 8 V，I
D
= 5.5 A
总栅极电荷
Q
g
V
DS
=
6
V, V
GS
=
8
V，I
D
=
4.3
A
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DS
= 6 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.5 A
P沟道
V
DS
=
6
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.3
A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
448
429
117
142
57
101
6.5
5.6
3.9
3.5
0.60
0.80
0.80
1.4
400
400
120
140
70
100
7.5
8
4.5
5
0.60
0.80
0.80
1.4
nC
pF
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
栅极 - 源电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gs
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道MOSFET
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SPICE器件模型SiA511DJ
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P沟道MOSFET
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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