Si9978
Vishay Siliconix公司
可配置的H桥驱动器
特点
D
H桥或双半桥工作
D
20至40 V电源
D
静态（ DC ）操作
D
交叉传导保护
D
电流限制
D
欠压锁定
D
ESD保护
D
故障输出
描述
该Si9978是一个n沟道MOSFET的集成驱动
H桥。模式控制允许操作，可以是全
H桥驱动器或作为两个独立的半桥。该
DIR / PWM输入配置可以轻松实现
对于任何一个符号/幅值或抗相PWM驱动方案
全H桥。施密特触发器输入上提供逻辑
信号兼容性和滞后的噪声增加
免疫力。内部低电压稳压器允许器件
直接从20至40伏的系统供电。
所有的n沟道栅极被直接地从低阻抗驱动
输出。每个半桥加入一个外部电容器的
允许内部电路的电平移位两个电源和
逻辑信号为高侧的n沟道栅极驱动器。国内
电荷泵取代漏电流在高压侧丢失
驱动器电路，以提供“静态” （直流）的任何输出操作
条件。保护功能包括欠压
锁定，交叉传导预防逻辑，以及过电流
显示器。
该Si9978是标准和铅（Pb ） - 免费的提供，
24引脚宽体SOIC （表面贴装）封装，规定
工作在工业级（-40至+85 C ）温度
范围内。
功能框图
V+
24
低电压
调节器
帽
A
V
DD
低端
紫外线闭锁
帽
B
引导注册。
电荷泵
23
21
22
帽
A
GT
A
S
A
帽
B
GT
B
S
B
V
DD
1
高边
紫外线闭锁
引导注册。
电荷泵
19
17
18
DIR / IN
A
QS / IN
B
PWM / EN
B
模式
BRK
EN / EN
A
CL / FAULT
B
故障/ FAULT
A
R
A
/C
A
3
5
4
6
7
2
8
9
11
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
输入
逻辑
V
DD
V
DD
20
16
15
GB
A
GB
B
GND
单次
+
+
13
IL
A
+
R
B
/C
B
12
单次
14
IL
B
+
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文档编号： 70011
S- 40804 -REV 。 E， 26 -APR- 04
1
Si9978
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压上的引脚2-7相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
到V
DD
+ 0.3 V
电压引脚24 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至50 V
电压引脚17 ， 19 ， 21 ， 23 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至+60 V
电压引脚18 ， 22 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
2
至50 V
工作温度（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
最高结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
推荐工作条件
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20至40 V
DC
R
A
, R
B
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100千瓦
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
动力
电源电压范围
逻辑电压
电源电流
V+
V
DD
I+
I
DD
= 0毫安
20
14.5
16
3
40
17.5
5
V
mA
范围
40
至85℃
符号
V + = 20 40 V
民
a
典型值
b
最大
a
单位
输入（ DIR ， PWM ， EN ， QS ， MODE ， BRK ）
高邦
低态
高态输入电流
低电平输入电流
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
IH
= V
DD
V
IL
= 0 V
100
50
4.0
1.0
10
25
V
mA
输出
低侧栅极驱动器，高国
低侧栅极驱动器，低状态
高侧栅极驱动器，高国
高侧栅极驱动器，低状态
低端开关，上升时间
低端开关，下降时间
高侧开关，上升时间
高侧开关，下降时间
先开后合式时间
故障， CL
故障， CL漏电流
V
OL
I
OH
I
OL
= 1毫安
FAULT ， CL = V
DD
0.2
V
GBH
V
GBL
V
GTH
V
GTL
t
rL
t
fL
t
rH
t
fH
上升时间= 1到10伏
下降时间= 10 1 V
C
L
= 600 pF的
S
A B
= 0 V
A,
14
16
110
50
110
50
250
0.4
10
V
mA
ns
14
16
17.5
1
18
1
V
保护
低端欠压锁定
低端迟滞
高边欠压锁定
UVLL
V
H
UVLH
S
A，B
= 0 V
0.8 V
DD
0.8
V
DD
3.3
V
V
电流限制
比较器的输入偏置电流
比较器的阈值电压
单次脉冲宽度
传播延迟
I
IB
V
TH
t
p
t
pd
T
A
= 25_C
R
A
, R
B
= 100千瓦，C
A
, C
B
= 100 pF的
R
A
, R
B
= 100千瓦，C
A
, C
B
= 0.001
mF
C
L
= 600 pF的
5
90
85
8
80
10
100
600
0.2
100
5
110
115
12
120
mA
mV
ms
ns
注意事项：
一。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
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2
Si9978
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真值表
模式
1
1
1
1
1
1
1
1
H- BRIDGE模式
QS /
IN
B
1
0
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
DIR /
IN
A
1
1
0
0
X
X
X
X
EN /
EN
A
1
1
1
1
1
0
1
X
PWM /
EN
B
BRK
0
0
0
0
1
X
0
X
IL
A
+
L
L
L
L
L
L
IL
B
+
X
X
X
X
X
X
X
GT
A
H
GB
A
L
L
GT
B
L
L
H
GB
B
CL /
故障
B
1
1
FAULT /
故障
A
1
1
1
1
1
1
条件
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
1
1
1
1
正常
手术
L
L
L
L
H
L
L
L
刹车
关闭
过电流
X
X
1
0
欠压
在V
DD
真值表
模式
0
0
0
0
0
0
0
半桥模式
QS /
IN
B
X
X
1
0
X
X
X
DIR /
IN
A
1
0
X
X
X
X
X
EN /
EN
A
1
1
0
0
1
X
X
PWM /
EN
B
0
0
1
1
X
1
X
BRK
X
X
X
X
X
X
X
IL
A
+
L
L
L
L
IL
B
+
L
L
L
L
X
GT
A
H
L
L
L
L
X
GB
A
L
H
L
L
L
X
L
GT
B
L
L
H
L
X
L
L
GB
B
L
L
L
H
X
L
L
CL /
故障
B
1
1
1
1
1
FAULT /
故障
A
1
1
1
1
条件
正常
手术
在过流
A
1
在过流
B
欠压
在V
DD
X
X
X
L
0
0
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Si9978
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引脚配置和订购信息
SO-24
（宽体）
V
DD
EN / EN
A
DIR / IN
A
PWM / EN
B
QS / IN
B
模式
BRK
CL / FAULT
B
故障/ FAULT
A
NC
R
A
/C
A
R
B
/C
B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
顶视图
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V+
帽
A
S
A
GT
A
GB
A
帽
B
S
B
GT
B
GB
B
GND
IL
B
+
IL
A
+
订购信息
产品型号
Si9978DW
Si9978DW-T1
Si9978DW-T1—E3
铅（Pb ） - 免费
产品型号
温度
范围
40
至85℃
40
包
SOIC-24
（宽体）
引脚说明
引脚1 ： V
DD
V
DD
是内部产生的电压。它被连接到这个
引脚允许一个去耦电容的连接。最低
1
mF
值得推荐。
引脚2 ： EN / EN
A
EN输入允许正常运行时为逻辑“ 1”，
原来所有的栅极驱动输出关断时为逻辑“0” 。当
模式引脚为逻辑“1” ，EN控制整个H桥。当
MODE引脚为逻辑“ 0”时，该引脚变为ENABLE引脚
半桥式A.
引脚3 ： DIR / IN
A
该引脚的功能由MODE引脚决定。当
MODE引脚处于逻辑“1 ”时，它是对DIR引脚，并且当模式
为逻辑“0” ，它是在
A
引脚。
作为DIR的输入，它是在方向控制的H桥，并且
确定哪一个对角线对功率MOSFET的处于激活状态。
逻辑“ 1 ”开启GT
A
并支持GB
B
，而逻辑“0”的
打开GT
B
并支持GB
A
。当实现一个
反相位的PWM控制，对DIR输入作为PWM
输入。
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作为中
A
销，它是控制“A”的半桥的输入。
当在逻辑“ 1”时，高侧MOSFET导通，并
当在逻辑“ 0”，则低侧MOSFET导通。
引脚4 ： PWM / EN
B
随着MODE引脚为逻辑“ 1”时，该引脚为PWM输入。它
控制主动斜对的切换。逻辑“ 1 ”
导通该主动的MOSFET ，而逻辑“0” ，将其关闭。该
QS的输入确定是否在底部或底部和
顶端的MOSFET被切换。当实现一个
反相位的PWM控制中，PWM输入端被连接到一个逻辑
“1”。当MODE引脚为逻辑“ 0”时，该引脚变为
ENABLE引脚半桥式B.
引脚5 ： QS / IN
B
与模式引脚为逻辑“1”时，该输入确定是否
H桥或底部和顶部的底部的MOSFET
MOSFET的开关响应于所述PWM信号。逻辑上的“ 1 ”
仅此输入使低端MOSFET 。这是
默认设置，因为该引脚被拉高内部。当此
引脚被拉至地，底部和顶部的MOSFET是
启用。
此输入控制乙半桥当MODE引脚是在
逻辑“0”。当在逻辑“ 1”时，高侧MOSFET导通时，
当在逻辑“ 0”，则低侧MOSFET导通。
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Si9978
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引脚说明（续）
引脚6 ：MODE
此输入确定是否Si9978用作
H桥或作为两个独立的半桥。当MODE
销是在逻辑“ 1”时， Si9978用作H桥，并且
当MODE为逻辑“0” ，它的功能作为两个独立的
半桥。
引脚7 ： BRK
当此输入和MODE是在逻辑“1” ，这两个底栅
驱动器被转换为高电位，导通的底部的MOSFET。
当该输入是在逻辑“ 0”时， Si9978正常操作。
引脚8 ： CL / FAULT
B
这是一个开漏输出，低电平有效。当
MODE引脚为逻辑“ 1”时，此引脚用作CL和指示
该H电桥处于电流限制。它保持低位运行时间
的电流限制一次性。用MODE引脚为逻辑“0 ”时，它
作为FAULT输出半桥B来指示
当检测到欠压或过流情况。当
指示过电流情况，则输出用于保持低
持续的电流限制一次性。 FAULT输出复位
时自动清除状态。
引脚9 ：故障/ FAULT
A
这是开机低开漏输出时
检测欠压或过流情况。当
指示过电流情况，则输出用于保持低
持续的电流限制一次性。当MODE引脚
为逻辑“ 1”时，该引脚为H桥FAULT输出。与
MODE引脚为逻辑“0 ”时，它作为故障输出为
半桥A的输出故障自动复位时，
条件清除。
引脚10 ： NC
无内部连接。
引脚11 ，R
A
/C
A
定时电阻和电容对于电流限制单次
连接到该引脚。电阻器的值，并
电容器确定由单稳定的关断时间。该
限流比较器检测时，单次触发
过流条件。
引脚12 ，R
B
/C
B
定时电阻和电容对于电流限制单次
连接到该引脚。电阻器的值，并
电容器确定由单稳定的关断时间。该
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S- 40804 -REV 。 E， 26 -APR- 04
限流比较器检测时，单次触发
过流条件。
引脚13 ： IL
A
+和引脚14 ， IL
B
+
这是过电流检测输入。在内部，它们是
连接到电流限制的同相输入端
比较器。外部它们被连接到的源（多个）
低侧MOSFET （S）和所述电流检测电阻。
引脚15 ： GND
GND引脚是接地回路V +和地面
参考用于逻辑。此外，这是接地参考输入
为电流极限比较器和连接到所述
内置100 mV的参考接地端。该引脚应
可以直接连接到电流检测的接地侧
电阻器。
引脚16 ： GB
B
和引脚20 ， GB
A
这些引脚驱动低侧功率MOSFET的栅极。
引脚17 ： GT
B
和引脚21 ， GT
A
这些引脚驱动高端功率MOSFET的栅极。
引脚18 ：
B
和引脚22 ，S
A
这些是高侧功率的源连接
的MOSFET ，在外部低侧功率MOSFET的漏极，
自举电容器的负端，而输出
每个半桥。
引脚19 ： CAP
B
和引脚23 ， CAP
A
这些都是对的正极端子的连接
自举电容
BA
和C
BB
。一个0.01 μF的电容即可
用于大多数应用。
引脚24 ： V +
这是必需的Si9978是唯一外接电源，
且必须是用于H桥是电源相同的电源
驾驶。该Si9978权力低电压逻辑，低端
从栅极驱动器和引导/电荷泵电路
自包含电压调节器仅需要
自举电容上的CAP引脚。
无电压检测电路监视V +直接;然而，该
低电压，内部产生的电源和自举
电压（这是从V +衍生的）直接被保护的
欠压监测。
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5
Si9978
Vishay Siliconix公司
可配置的H桥驱动器
特点
D
H桥或双半桥工作
D
20至40 V电源
D
静态（ DC ）操作
D
交叉传导保护
D
电流限制
D
欠压锁定
D
ESD保护
D
故障输出
描述
该Si9978是一个n沟道MOSFET的集成驱动
H桥。模式控制允许操作，可以是全
H桥驱动器或作为两个独立的半桥。该
DIR / PWM输入配置可以轻松实现
对于任何一个符号/幅值或抗相PWM驱动方案
全H桥。施密特触发器输入上提供逻辑
信号兼容性和滞后的噪声增加
免疫力。内部低电压稳压器允许器件
直接从20至40伏的系统供电。
所有的n沟道栅极被直接地从低阻抗驱动
输出。每个半桥加入一个外部电容器的
允许内部电路的电平移位两个电源和
逻辑信号为高侧的n沟道栅极驱动器。国内
电荷泵取代漏电流在高压侧丢失
驱动器电路，以提供“静态” （直流）的任何输出操作
条件。保护功能包括欠压
锁定，交叉传导预防逻辑，以及过电流
显示器。
该Si9978是标准和铅（Pb ） - 免费的提供，
24引脚宽体SOIC （表面贴装）封装，规定
工作在工业级（-40至+85 C ）温度
范围内。
功能框图
V+
24
低电压
调节器
帽
A
V
DD
低端
紫外线闭锁
帽
B
引导注册。
电荷泵
23
21
22
帽
A
GT
A
S
A
帽
B
GT
B
S
B
V
DD
1
高边
紫外线闭锁
引导注册。
电荷泵
19
17
18
DIR / IN
A
QS / IN
B
PWM / EN
B
模式
BRK
EN / EN
A
CL / FAULT
B
故障/ FAULT
A
R
A
/C
A
3
5
4
6
7
2
8
9
11
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
输入
逻辑
V
DD
V
DD
20
16
15
GB
A
GB
B
GND
单次
+
+
13
IL
A
+
R
B
/C
B
12
单次
14
IL
B
+
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文档编号： 70011
S- 40804 -REV 。 E， 26 -APR- 04
1
Si9978
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压上的引脚2-7相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
到V
DD
+ 0.3 V
电压引脚24 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至50 V
电压引脚17 ， 19 ， 21 ， 23 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至+60 V
电压引脚18 ， 22 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
2
至50 V
工作温度（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
最高结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
推荐工作条件
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20至40 V
DC
R
A
, R
B
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100千瓦
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
动力
电源电压范围
逻辑电压
电源电流
V+
V
DD
I+
I
DD
= 0毫安
20
14.5
16
3
40
17.5
5
V
mA
范围
40
至85℃
符号
V + = 20 40 V
民
a
典型值
b
最大
a
单位
输入（ DIR ， PWM ， EN ， QS ， MODE ， BRK ）
高邦
低态
高态输入电流
低电平输入电流
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
IH
= V
DD
V
IL
= 0 V
100
50
4.0
1.0
10
25
V
mA
输出
低侧栅极驱动器，高国
低侧栅极驱动器，低状态
高侧栅极驱动器，高国
高侧栅极驱动器，低状态
低端开关，上升时间
低端开关，下降时间
高侧开关，上升时间
高侧开关，下降时间
先开后合式时间
故障， CL
故障， CL漏电流
V
OL
I
OH
I
OL
= 1毫安
FAULT ， CL = V
DD
0.2
V
GBH
V
GBL
V
GTH
V
GTL
t
rL
t
fL
t
rH
t
fH
上升时间= 1到10伏
下降时间= 10 1 V
C
L
= 600 pF的
S
A B
= 0 V
A,
14
16
110
50
110
50
250
0.4
10
V
mA
ns
14
16
17.5
1
18
1
V
保护
低端欠压锁定
低端迟滞
高边欠压锁定
UVLL
V
H
UVLH
S
A，B
= 0 V
0.8 V
DD
0.8
V
DD
3.3
V
V
电流限制
比较器的输入偏置电流
比较器的阈值电压
单次脉冲宽度
传播延迟
I
IB
V
TH
t
p
t
pd
T
A
= 25_C
R
A
, R
B
= 100千瓦，C
A
, C
B
= 100 pF的
R
A
, R
B
= 100千瓦，C
A
, C
B
= 0.001
mF
C
L
= 600 pF的
5
90
85
8
80
10
100
600
0.2
100
5
110
115
12
120
mA
mV
ms
ns
注意事项：
一。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
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Si9978
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真值表
模式
1
1
1
1
1
1
1
1
H- BRIDGE模式
QS /
IN
B
1
0
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
DIR /
IN
A
1
1
0
0
X
X
X
X
EN /
EN
A
1
1
1
1
1
0
1
X
PWM /
EN
B
BRK
0
0
0
0
1
X
0
X
IL
A
+
L
L
L
L
L
L
IL
B
+
X
X
X
X
X
X
X
GT
A
H
GB
A
L
L
GT
B
L
L
H
GB
B
CL /
故障
B
1
1
FAULT /
故障
A
1
1
1
1
1
1
条件
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
1
1
1
1
正常
手术
L
L
L
L
H
L
L
L
刹车
关闭
过电流
X
X
1
0
欠压
在V
DD
真值表
模式
0
0
0
0
0
0
0
半桥模式
QS /
IN
B
X
X
1
0
X
X
X
DIR /
IN
A
1
0
X
X
X
X
X
EN /
EN
A
1
1
0
0
1
X
X
PWM /
EN
B
0
0
1
1
X
1
X
BRK
X
X
X
X
X
X
X
IL
A
+
L
L
L
L
IL
B
+
L
L
L
L
X
GT
A
H
L
L
L
L
X
GB
A
L
H
L
L
L
X
L
GT
B
L
L
H
L
X
L
L
GB
B
L
L
L
H
X
L
L
CL /
故障
B
1
1
1
1
1
FAULT /
故障
A
1
1
1
1
条件
正常
手术
在过流
A
1
在过流
B
欠压
在V
DD
X
X
X
L
0
0
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Si9978
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引脚配置和订购信息
SO-24
（宽体）
V
DD
EN / EN
A
DIR / IN
A
PWM / EN
B
QS / IN
B
模式
BRK
CL / FAULT
B
故障/ FAULT
A
NC
R
A
/C
A
R
B
/C
B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
顶视图
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V+
帽
A
S
A
GT
A
GB
A
帽
B
S
B
GT
B
GB
B
GND
IL
B
+
IL
A
+
订购信息
产品型号
Si9978DW
Si9978DW-T1
Si9978DW-T1—E3
铅（Pb ） - 免费
产品型号
温度
范围
40
至85℃
40
包
SOIC-24
（宽体）
引脚说明
引脚1 ： V
DD
V
DD
是内部产生的电压。它被连接到这个
引脚允许一个去耦电容的连接。最低
1
mF
值得推荐。
引脚2 ： EN / EN
A
EN输入允许正常运行时为逻辑“ 1”，
原来所有的栅极驱动输出关断时为逻辑“0” 。当
模式引脚为逻辑“1” ，EN控制整个H桥。当
MODE引脚为逻辑“ 0”时，该引脚变为ENABLE引脚
半桥式A.
引脚3 ： DIR / IN
A
该引脚的功能由MODE引脚决定。当
MODE引脚处于逻辑“1 ”时，它是对DIR引脚，并且当模式
为逻辑“0” ，它是在
A
引脚。
作为DIR的输入，它是在方向控制的H桥，并且
确定哪一个对角线对功率MOSFET的处于激活状态。
逻辑“ 1 ”开启GT
A
并支持GB
B
，而逻辑“0”的
打开GT
B
并支持GB
A
。当实现一个
反相位的PWM控制，对DIR输入作为PWM
输入。
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作为中
A
销，它是控制“A”的半桥的输入。
当在逻辑“ 1”时，高侧MOSFET导通，并
当在逻辑“ 0”，则低侧MOSFET导通。
引脚4 ： PWM / EN
B
随着MODE引脚为逻辑“ 1”时，该引脚为PWM输入。它
控制主动斜对的切换。逻辑“ 1 ”
导通该主动的MOSFET ，而逻辑“0” ，将其关闭。该
QS的输入确定是否在底部或底部和
顶端的MOSFET被切换。当实现一个
反相位的PWM控制中，PWM输入端被连接到一个逻辑
“1”。当MODE引脚为逻辑“ 0”时，该引脚变为
ENABLE引脚半桥式B.
引脚5 ： QS / IN
B
与模式引脚为逻辑“1”时，该输入确定是否
H桥或底部和顶部的底部的MOSFET
MOSFET的开关响应于所述PWM信号。逻辑上的“ 1 ”
仅此输入使低端MOSFET 。这是
默认设置，因为该引脚被拉高内部。当此
引脚被拉至地，底部和顶部的MOSFET是
启用。
此输入控制乙半桥当MODE引脚是在
逻辑“0”。当在逻辑“ 1”时，高侧MOSFET导通时，
当在逻辑“ 0”，则低侧MOSFET导通。
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Si9978
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引脚说明（续）
引脚6 ：MODE
此输入确定是否Si9978用作
H桥或作为两个独立的半桥。当MODE
销是在逻辑“ 1”时， Si9978用作H桥，并且
当MODE为逻辑“0” ，它的功能作为两个独立的
半桥。
引脚7 ： BRK
当此输入和MODE是在逻辑“1” ，这两个底栅
驱动器被转换为高电位，导通的底部的MOSFET。
当该输入是在逻辑“ 0”时， Si9978正常操作。
引脚8 ： CL / FAULT
B
这是一个开漏输出，低电平有效。当
MODE引脚为逻辑“ 1”时，此引脚用作CL和指示
该H电桥处于电流限制。它保持低位运行时间
的电流限制一次性。用MODE引脚为逻辑“0 ”时，它
作为FAULT输出半桥B来指示
当检测到欠压或过流情况。当
指示过电流情况，则输出用于保持低
持续的电流限制一次性。 FAULT输出复位
时自动清除状态。
引脚9 ：故障/ FAULT
A
这是开机低开漏输出时
检测欠压或过流情况。当
指示过电流情况，则输出用于保持低
持续的电流限制一次性。当MODE引脚
为逻辑“ 1”时，该引脚为H桥FAULT输出。与
MODE引脚为逻辑“0 ”时，它作为故障输出为
半桥A的输出故障自动复位时，
条件清除。
引脚10 ： NC
无内部连接。
引脚11 ，R
A
/C
A
定时电阻和电容对于电流限制单次
连接到该引脚。电阻器的值，并
电容器确定由单稳定的关断时间。该
限流比较器检测时，单次触发
过流条件。
引脚12 ，R
B
/C
B
定时电阻和电容对于电流限制单次
连接到该引脚。电阻器的值，并
电容器确定由单稳定的关断时间。该
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限流比较器检测时，单次触发
过流条件。
引脚13 ： IL
A
+和引脚14 ， IL
B
+
这是过电流检测输入。在内部，它们是
连接到电流限制的同相输入端
比较器。外部它们被连接到的源（多个）
低侧MOSFET （S）和所述电流检测电阻。
引脚15 ： GND
GND引脚是接地回路V +和地面
参考用于逻辑。此外，这是接地参考输入
为电流极限比较器和连接到所述
内置100 mV的参考接地端。该引脚应
可以直接连接到电流检测的接地侧
电阻器。
引脚16 ： GB
B
和引脚20 ， GB
A
这些引脚驱动低侧功率MOSFET的栅极。
引脚17 ： GT
B
和引脚21 ， GT
A
这些引脚驱动高端功率MOSFET的栅极。
引脚18 ：
B
和引脚22 ，S
A
这些是高侧功率的源连接
的MOSFET ，在外部低侧功率MOSFET的漏极，
自举电容器的负端，而输出
每个半桥。
引脚19 ： CAP
B
和引脚23 ， CAP
A
这些都是对的正极端子的连接
自举电容
BA
和C
BB
。一个0.01 μF的电容即可
用于大多数应用。
引脚24 ： V +
这是必需的Si9978是唯一外接电源，
且必须是用于H桥是电源相同的电源
驾驶。该Si9978权力低电压逻辑，低端
从栅极驱动器和引导/电荷泵电路
自包含电压调节器仅需要
自举电容上的CAP引脚。
无电压检测电路监视V +直接;然而，该
低电压，内部产生的电源和自举
电压（这是从V +衍生的）直接被保护的
欠压监测。
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