Si9976
Vishay Siliconix公司
N通道半桥驱动器
特点
D
D
D
D
D
D
D
单输入的高边和低边MOSFET
20至40 V电源
静态（ DC ）操作
交叉传导保护
欠压锁定
ESD和短路保护功能
故障反馈
应用
D
D
D
D
D
D
D
电源
电机驱动
办公自动化
电脑外设
工业控制器
机器人
医疗设备
描述
该Si9976是一个n沟道MOSFET的集成驱动
半桥。施密特触发器输入，提供逻辑信号
兼容性和迟滞，增加抗噪声能力。一
内部低电压调节器可被供电的设备
直接从20至40伏的系统供电。两个半桥
n沟道栅极被直接驱动的低阻抗
输出。另外一个外部电容器的允许内部
电路来进行电平移位两个电源和逻辑信号
半桥高边n沟道栅极驱动。内部
电荷泵替换漏电流在高压侧丢失
驱动器电路，以提供“静态” （直流）的任何输出操作
条件。保护功能包括欠压
锁定，交叉传导预防逻辑，和一个短路
监视。
该Si9976是标准和铅（Pb ） - 免费的提供，
14引脚SOIC （表面贴装）封装，规定工作
在工业级（-40至+85 C ）温度范围。
功能框图
V+
V+3
低电压
调节器
V
DD
4
V
CC
欠压
锁定2
引导
调节器
2
欠压
锁定1
帽
C
BOOT
收费
泵
V
DD
12
13
G
1
S
1
半
桥
产量
7
8
短路
& UVL检测
在5
0.01
mF
基板
EN 6
10
GND
S
R
Q
250纳秒
延迟
300纳秒
延迟
9
G
2
使能锁存器
LITTLE FOOT
故障
GND
文档编号： 70016
S- 40757 -REV 。女，19 -APR- 04
www.vishay.com
1
Si9976
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
在IN， EN电压（引脚5,6）
相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
到V
DD
+0.3 V
在V电压
CC
（引脚7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至+18 V
电压V + ， S1 （引脚3 ， 13 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至+50 V
在CAP电压， G1
a
（引脚2， 12）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至+60 V
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5 A
工作温度（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
至85℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
50
至150℃
最高结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125_C
功耗
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 W
Q
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100_C / W
b
笔记
一。内部产生的电压，仅供参考。
B 。减免10毫瓦/ _C以上25_C 。
。 PC板安装，无强制空气流动。
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
参数
输入
输入高电压（ EN和IN ）
输入电压低（ EN和IN ）
输入电压滞后
输入电流，输入电压高
输入电流，输入电压低
V
INH
V
INL
V
H
I
INH
I
INL
（ EN和IN ）V
IN
= 15 V
（ EN和IN ）V
IN
= 0 V
1
0.5
1
mA
4.0
1.0
V
范围
后缀
40
至85℃
符号
V + = 20 40 V
T
A
工作温度范围
民
c
典型值
b
最大
c
单位
产量
输出电压高， G1
d
输出电压高， G2
e
输出电压低， G1和G2
故障输出电压高
FAULT输出电压低
欠压锁定1
欠压锁定2
电容电压
g
电容电流
V
OUTH
V
OUTL
V
OH
V
OL
UVL1
UVL2
V
帽
I
帽
V+ = 40V
S1 = GND ，V
帽
= 0 V
S1 = GND ，V
帽
= 9 V
S1 = V + ，我
OUT
=
10
mA
S1 = GND ，我
OUT
=
10
mA
S1 = GND ，我
OUT
= 60毫安
V
CC
= 4.5 V，I
OUT
=
0.2
mA
V
CC
= 4.5 V，I
OUT
- 0.6毫安
3.5
10
12
12
15
1.2
4
0.3
11
14
55
10
2
mA
1.0
3
V
供应
V +电源电压范围
V +电源电流
V
CC
供应范围
V
CC
电源电流
V
DD
电源电压
f
www.vishay.com
I
CC
V
DD
V
CC
= 16.5 V
15
16
I + （H）的
I + （L）的
G2高，空载
G2低，空载， S1 = GND
4.5
20
1.7
2
40
3.5
4.5
16.5
10
17.5
V
mA
V
mA
V
2
文档编号： 70016
S- 40757 -REV 。女，19 -APR- 04
Si9976
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
参数
动态
传播延时时间
从低到高级别
传播延时时间
高到低级别
传播延时时间，从低到高列弗
埃尔，使对故障输出
输出上升时间（ G1 ， G2 ）
输出下降时间（ G1 ， G2 ）
短路脉冲宽度
t
r
t
f
t
SC
G1
t
PLH
50％至V
OUT
= 5 V ，C
L
= 600 pF的
t
PHL
50％至FAULT = 2 V ， S1短路到GND或V +
1至10 V ，C
L
= 600 pF的
10 1 V ，C
L
= 600 pF的
50％至V的50％
OUT
G2
G1
G2
350
400
150
50
500
110
50
350
ns
范围
后缀
40
至85℃
符号
V + = 20 40 V
T
A
工作温度范围
民
c
典型值
b
最大
c
单位
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。为了提供10mA的输出电流在DC的基础，外部13 V电源必须连接之间的CAP引脚和S1引脚的负端
连接到S1的供应。这是没有必要在实际应用中，因为输出电流是由C供给
BOOT
电容。电压与规定
对于V + 。
。出于测试目的，10毫安的负载电流必须由外部电流源至V供给
DD
针，以避免拉低V
DD
供应量。
f.
内部产生的电压，仅供参考。
克。 V
帽
= (V+) + (V
DD
)
真值表
EN
1
1
0
1
1
1
1
X
IN
0
1
X
0
1
1
0
X
条件
正常工作
正常工作
残
负载短路到V +
负载短路到地
欠压基于C
BOOT
欠压基于C
BOOT
欠压对V
DDC
故障输出
0
0
X
a
1
b
1
b
0
0
1
G1 OUT
低
高
低
低
低
低
低
低
G2 OUT
高
低
低
低
低
低
高
低
笔记
一。 FAULT输出保持原来的状态，直到ENABLE上升沿。
B 。锁存故障条件下，通过复位ENABLE的上升沿。
。 V
DD
是内部产生的低电压电源。
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3
Si9976
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引脚配置和订购信息
SOIC-14
NC
帽
V+
V
DD
IN
EN
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
NC
S1
G1
NC
GND
G2
故障
订购信息
产品型号
Si9976DY
Si9976DY-T1
Si9976DY-T1—E3
40
至85℃
SOIC-14
温度范围
包
引脚说明
销1
无连接。
引脚2 ： CAP
连接自举电容的正极
C
BOOT
。一个0.01 -MF
BOOT
电容器可用于大多数
应用程序。
3脚： V +
这是必需的Si9976是唯一外接电源，
且必须是用于半桥电源相同的电源它
正在开车。该Si9976权力，它是低电压逻辑，低端
从栅极驱动器和引导/电荷泵电路
自包含电压调节器仅需要
在CAP引脚和旁路电容自举电容
在V
DD
引脚。
无电压检测电路监视V +直接;然而，该
低电压，内部产生的V
DD
供给和
自举电压（这是从V +衍生的）是直接
由欠压监控保护。
引脚4 ： V
DD
连接到内部产生的低电压电源
它必须被旁路到地具有0.01 μF的电容。
引脚5：
逻辑输入。一个低电平输入关断高边半桥
MOSFET ，经过内部设置死区时间，打开
低边半桥MOSFET上。高输入电平有
相反的效果。输入与5兼容的12位或15 -V
逻辑输出。
引脚6 ： EN
使能输入。低EN输入电平可以防止打开任
半桥的MOSFET 。如果Si9976内部关闭的
的输出短路条件的结果，一个低到高的
在EN过渡需要清除故障和恢复
操作。输入的逻辑电平是相同的为IN 。
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引脚7 ： V
CC
如果FAULT输出的情况下，在V
CC
引脚必须连接到
为了设定的高电平的逻辑电源电压
故障输出。如果不使用FAULT输出，该引脚可
保持开放与内部故障检测或保护没有影响
电路。
引脚8 ：故障
故障输出锁存高时，输出短路
检测条件。故障将返回低电平时，电路
重新使用EN引脚。 FAULT输出也表明了
在V欠压检测电路的状态
DD
然而该
故障自动清零时，欠压
条件清除。
引脚9 ： G2
该引脚驱动外部低侧功率的栅极
晶体管。
引脚10 ： GND
接地回路为V + ，逻辑参考，以及用于连接
源外部低侧功率晶体管。
引脚11
无连接。
引脚12 ： G1
该引脚驱动外部高压侧功率门
晶体管。
引脚13 ： S1
连接外部高端的动力之源
晶体管，所述外部低侧功率晶体管的漏极，
自举电容器的负端，而
系统的负荷。该引脚上的电压是由电路感应到
它监视负载是否短路。
引脚14
无连接。
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4
Si9976
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详细说明
电源调理
自举型浮动用品需要自举
电容器在电源上进行充电。在Si9976的情况下，
这是由脉冲的一致低配EN线完成
保持高电平，从而导通的低侧MOSFET ，并提供
用于电容器的充电路径。
短路保护
本装置适用于只用于在一个半桥哪
驱动感性负载。如果负载短路负载推定
电压不使内预期的转变
分配时间。单独的定时被设置为在两个
转场。较长的时间进行高侧打开
（300毫微秒与200毫微秒），因为传播延迟较长。
过大的容性负载可被解释为一个短。
电容的所需要产生的值
短指示依赖于负载的驱动能力
功率晶体管。
工作电压： 20 40 V
该Si9976旨在由单一电源供电
20的范围内供给到40 V和用来驱动
图腾柱对NMOS功率晶体管如
内Si9955 。功率晶体管必须被供电
相同的电源作为此驱动程序。除了
高电压电源（20至40伏特）时， Si9976必须具有
连接到所述的电源电压
CC
终端，如果故障输出
信号是期望的。这款电源提供工作
电压为故障输出，并允许输出电压高
电平为与该监视系统的故障逻辑兼容
条件。这款电源的值必须是内
为4.5至16.5 V范围内，以确保输出的功能。
内部故障的电路，其用于短路 - 负载
保护，不会受到该电源。
ESD保护
静电放电保护装置为V之间
DD
和GND ，V
CC
和GND ，并从端子IN， EN ，G2和
过失两种V
DD
和GND 。 V + ， CAP ，S1和G1是不
ESD保护。
故障反馈
检测负载短路的设定锁定其关闭两
高侧和低侧功率晶体管。如果V
CC
是目前
一个1级将存在于FAULT输出。要重置
系统，使能输入，EN，必须降低到一个逻辑零
然后上升到逻辑1 。输入的逻辑电平，IN
将确定功率晶体管将首次开启后，
复位。在V欠压状态
DD
不会被锁存，但
导致在FAULT输出一个水平，如果V
CC
是否存在。
交叉传导保护
高侧功率晶体管只能经过一个导通
固定的时间延迟之后返回到低侧的接地
功率晶体管的栅极。低侧晶体管只能是
一个固定的时间延迟，高边以下后导通
晶体管的关断信号。
欠压锁定
在上电期间，无论是功率晶体管保持关闭，直到
内部稳压电源，V
DD
大约是1
V
be
从最终值，标称16 V电后，该
欠压锁定电路继续监视V
DD
。如果一个
欠压情况发生时，两个高侧和
低侧晶体管将被关闭，并且故障输出将
置高。当欠压条件不再存在，
正常功能将自动恢复。单独的电压
感测自举电容电压的允许接通
信号被发送到所述高侧驱动电路，如果任一
自举电容器具有全电压，或负载电压为高
（驱动为高由感性负载或短路高） 。电压
感测电路将允许高侧功率晶体管开启
上，如果一个上信号的存在，并在自举电压
电容器上升从低压到操作电压。
静态（ DC ）操作
电荷泵的所有组件，除了在保持
（自举）电容器，被包括在电路中。该负责
泵将提供电流，其足以克服任何
漏电流，从而可以减少增强
高侧功率晶体管的电压，同时它是上。这
允许高侧功率晶体管是在连续进行。
当低侧功率晶体管导通时，额外
电荷恢复到自举电容，如果需要的话。该
该系统在50％的占空比最大开关速度
在低侧功率晶体管的时间受限的。中
此时，自举电容充电必须被恢复。
然而，如果占空比偏斜使得上的时间
高侧功率晶体管是足够长，使电荷泵
完全恢复在切换期间丢失的电荷，则
在低侧功率晶体管的时间没有限制。
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Si9976
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N通道半桥驱动器
特点
D
D
D
D
D
D
D
单输入的高边和低边MOSFET
20至40 V电源
静态（ DC ）操作
交叉传导保护
欠压锁定
ESD和短路保护功能
故障反馈
应用
D
D
D
D
D
D
D
电源
电机驱动
办公自动化
电脑外设
工业控制器
机器人
医疗设备
描述
该Si9976是一个n沟道MOSFET的集成驱动
半桥。施密特触发器输入，提供逻辑信号
兼容性和迟滞，增加抗噪声能力。一
内部低电压调节器可被供电的设备
直接从20至40伏的系统供电。两个半桥
n沟道栅极被直接驱动的低阻抗
输出。另外一个外部电容器的允许内部
电路来进行电平移位两个电源和逻辑信号
半桥高边n沟道栅极驱动。内部
电荷泵替换漏电流在高压侧丢失
驱动器电路，以提供“静态” （直流）的任何输出操作
条件。保护功能包括欠压
锁定，交叉传导预防逻辑，和一个短路
监视。
该Si9976是标准和铅（Pb ） - 免费的提供，
14引脚SOIC （表面贴装）封装，规定工作
在工业级（-40至+85 C ）温度范围。
功能框图
V+
V+3
低电压
调节器
V
DD
4
V
CC
欠压
锁定2
引导
调节器
2
欠压
锁定1
帽
C
BOOT
收费
泵
V
DD
12
13
G
1
S
1
半
桥
产量
7
8
短路
& UVL检测
在5
0.01
mF
基板
EN 6
10
GND
S
R
Q
250纳秒
延迟
300纳秒
延迟
9
G
2
使能锁存器
LITTLE FOOT
故障
GND
文档编号： 70016
S- 40757 -REV 。女，19 -APR- 04
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1
Si9976
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
在IN， EN电压（引脚5,6）
相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
到V
DD
+0.3 V
在V电压
CC
（引脚7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至+18 V
电压V + ， S1 （引脚3 ， 13 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至+50 V
在CAP电压， G1
a
（引脚2， 12）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
至+60 V
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5 A
工作温度（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
至85℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
50
至150℃
最高结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125_C
功耗
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 W
Q
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100_C / W
b
笔记
一。内部产生的电压，仅供参考。
B 。减免10毫瓦/ _C以上25_C 。
。 PC板安装，无强制空气流动。
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
参数
输入
输入高电压（ EN和IN ）
输入电压低（ EN和IN ）
输入电压滞后
输入电流，输入电压高
输入电流，输入电压低
V
INH
V
INL
V
H
I
INH
I
INL
（ EN和IN ）V
IN
= 15 V
（ EN和IN ）V
IN
= 0 V
1
0.5
1
mA
4.0
1.0
V
范围
后缀
40
至85℃
符号
V + = 20 40 V
T
A
工作温度范围
民
c
典型值
b
最大
c
单位
产量
输出电压高， G1
d
输出电压高， G2
e
输出电压低， G1和G2
故障输出电压高
FAULT输出电压低
欠压锁定1
欠压锁定2
电容电压
g
电容电流
V
OUTH
V
OUTL
V
OH
V
OL
UVL1
UVL2
V
帽
I
帽
V+ = 40V
S1 = GND ，V
帽
= 0 V
S1 = GND ，V
帽
= 9 V
S1 = V + ，我
OUT
=
10
mA
S1 = GND ，我
OUT
=
10
mA
S1 = GND ，我
OUT
= 60毫安
V
CC
= 4.5 V，I
OUT
=
0.2
mA
V
CC
= 4.5 V，I
OUT
- 0.6毫安
3.5
10
12
12
15
1.2
4
0.3
11
14
55
10
2
mA
1.0
3
V
供应
V +电源电压范围
V +电源电流
V
CC
供应范围
V
CC
电源电流
V
DD
电源电压
f
www.vishay.com
I
CC
V
DD
V
CC
= 16.5 V
15
16
I + （H）的
I + （L）的
G2高，空载
G2低，空载， S1 = GND
4.5
20
1.7
2
40
3.5
4.5
16.5
10
17.5
V
mA
V
mA
V
2
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S- 40757 -REV 。女，19 -APR- 04
Si9976
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
参数
动态
传播延时时间
从低到高级别
传播延时时间
高到低级别
传播延时时间，从低到高列弗
埃尔，使对故障输出
输出上升时间（ G1 ， G2 ）
输出下降时间（ G1 ， G2 ）
短路脉冲宽度
t
r
t
f
t
SC
G1
t
PLH
50％至V
OUT
= 5 V ，C
L
= 600 pF的
t
PHL
50％至FAULT = 2 V ， S1短路到GND或V +
1至10 V ，C
L
= 600 pF的
10 1 V ，C
L
= 600 pF的
50％至V的50％
OUT
G2
G1
G2
350
400
150
50
500
110
50
350
ns
范围
后缀
40
至85℃
符号
V + = 20 40 V
T
A
工作温度范围
民
c
典型值
b
最大
c
单位
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。为了提供10mA的输出电流在DC的基础，外部13 V电源必须连接之间的CAP引脚和S1引脚的负端
连接到S1的供应。这是没有必要在实际应用中，因为输出电流是由C供给
BOOT
电容。电压与规定
对于V + 。
。出于测试目的，10毫安的负载电流必须由外部电流源至V供给
DD
针，以避免拉低V
DD
供应量。
f.
内部产生的电压，仅供参考。
克。 V
帽
= (V+) + (V
DD
)
真值表
EN
1
1
0
1
1
1
1
X
IN
0
1
X
0
1
1
0
X
条件
正常工作
正常工作
残
负载短路到V +
负载短路到地
欠压基于C
BOOT
欠压基于C
BOOT
欠压对V
DDC
故障输出
0
0
X
a
1
b
1
b
0
0
1
G1 OUT
低
高
低
低
低
低
低
低
G2 OUT
高
低
低
低
低
低
高
低
笔记
一。 FAULT输出保持原来的状态，直到ENABLE上升沿。
B 。锁存故障条件下，通过复位ENABLE的上升沿。
。 V
DD
是内部产生的低电压电源。
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Si9976
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
SOIC-14
NC
帽
V+
V
DD
IN
EN
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
NC
S1
G1
NC
GND
G2
故障
订购信息
产品型号
Si9976DY
Si9976DY-T1
Si9976DY-T1—E3
40
至85℃
SOIC-14
温度范围
包
引脚说明
销1
无连接。
引脚2 ： CAP
连接自举电容的正极
C
BOOT
。一个0.01 -MF
BOOT
电容器可用于大多数
应用程序。
3脚： V +
这是必需的Si9976是唯一外接电源，
且必须是用于半桥电源相同的电源它
正在开车。该Si9976权力，它是低电压逻辑，低端
从栅极驱动器和引导/电荷泵电路
自包含电压调节器仅需要
在CAP引脚和旁路电容自举电容
在V
DD
引脚。
无电压检测电路监视V +直接;然而，该
低电压，内部产生的V
DD
供给和
自举电压（这是从V +衍生的）是直接
由欠压监控保护。
引脚4 ： V
DD
连接到内部产生的低电压电源
它必须被旁路到地具有0.01 μF的电容。
引脚5：
逻辑输入。一个低电平输入关断高边半桥
MOSFET ，经过内部设置死区时间，打开
低边半桥MOSFET上。高输入电平有
相反的效果。输入与5兼容的12位或15 -V
逻辑输出。
引脚6 ： EN
使能输入。低EN输入电平可以防止打开任
半桥的MOSFET 。如果Si9976内部关闭的
的输出短路条件的结果，一个低到高的
在EN过渡需要清除故障和恢复
操作。输入的逻辑电平是相同的为IN 。
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引脚7 ： V
CC
如果FAULT输出的情况下，在V
CC
引脚必须连接到
为了设定的高电平的逻辑电源电压
故障输出。如果不使用FAULT输出，该引脚可
保持开放与内部故障检测或保护没有影响
电路。
引脚8 ：故障
故障输出锁存高时，输出短路
检测条件。故障将返回低电平时，电路
重新使用EN引脚。 FAULT输出也表明了
在V欠压检测电路的状态
DD
然而该
故障自动清零时，欠压
条件清除。
引脚9 ： G2
该引脚驱动外部低侧功率的栅极
晶体管。
引脚10 ： GND
接地回路为V + ，逻辑参考，以及用于连接
源外部低侧功率晶体管。
引脚11
无连接。
引脚12 ： G1
该引脚驱动外部高压侧功率门
晶体管。
引脚13 ： S1
连接外部高端的动力之源
晶体管，所述外部低侧功率晶体管的漏极，
自举电容器的负端，而
系统的负荷。该引脚上的电压是由电路感应到
它监视负载是否短路。
引脚14
无连接。
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Si9976
Vishay Siliconix公司
详细说明
电源调理
自举型浮动用品需要自举
电容器在电源上进行充电。在Si9976的情况下，
这是由脉冲的一致低配EN线完成
保持高电平，从而导通的低侧MOSFET ，并提供
用于电容器的充电路径。
短路保护
本装置适用于只用于在一个半桥哪
驱动感性负载。如果负载短路负载推定
电压不使内预期的转变
分配时间。单独的定时被设置为在两个
转场。较长的时间进行高侧打开
（300毫微秒与200毫微秒），因为传播延迟较长。
过大的容性负载可被解释为一个短。
电容的所需要产生的值
短指示依赖于负载的驱动能力
功率晶体管。
工作电压： 20 40 V
该Si9976旨在由单一电源供电
20的范围内供给到40 V和用来驱动
图腾柱对NMOS功率晶体管如
内Si9955 。功率晶体管必须被供电
相同的电源作为此驱动程序。除了
高电压电源（20至40伏特）时， Si9976必须具有
连接到所述的电源电压
CC
终端，如果故障输出
信号是期望的。这款电源提供工作
电压为故障输出，并允许输出电压高
电平为与该监视系统的故障逻辑兼容
条件。这款电源的值必须是内
为4.5至16.5 V范围内，以确保输出的功能。
内部故障的电路，其用于短路 - 负载
保护，不会受到该电源。
ESD保护
静电放电保护装置为V之间
DD
和GND ，V
CC
和GND ，并从端子IN， EN ，G2和
过失两种V
DD
和GND 。 V + ， CAP ，S1和G1是不
ESD保护。
故障反馈
检测负载短路的设定锁定其关闭两
高侧和低侧功率晶体管。如果V
CC
是目前
一个1级将存在于FAULT输出。要重置
系统，使能输入，EN，必须降低到一个逻辑零
然后上升到逻辑1 。输入的逻辑电平，IN
将确定功率晶体管将首次开启后，
复位。在V欠压状态
DD
不会被锁存，但
导致在FAULT输出一个水平，如果V
CC
是否存在。
交叉传导保护
高侧功率晶体管只能经过一个导通
固定的时间延迟之后返回到低侧的接地
功率晶体管的栅极。低侧晶体管只能是
一个固定的时间延迟，高边以下后导通
晶体管的关断信号。
欠压锁定
在上电期间，无论是功率晶体管保持关闭，直到
内部稳压电源，V
DD
大约是1
V
be
从最终值，标称16 V电后，该
欠压锁定电路继续监视V
DD
。如果一个
欠压情况发生时，两个高侧和
低侧晶体管将被关闭，并且故障输出将
置高。当欠压条件不再存在，
正常功能将自动恢复。单独的电压
感测自举电容电压的允许接通
信号被发送到所述高侧驱动电路，如果任一
自举电容器具有全电压，或负载电压为高
（驱动为高由感性负载或短路高） 。电压
感测电路将允许高侧功率晶体管开启
上，如果一个上信号的存在，并在自举电压
电容器上升从低压到操作电压。
静态（ DC ）操作
电荷泵的所有组件，除了在保持
（自举）电容器，被包括在电路中。该负责
泵将提供电流，其足以克服任何
漏电流，从而可以减少增强
高侧功率晶体管的电压，同时它是上。这
允许高侧功率晶体管是在连续进行。
当低侧功率晶体管导通时，额外
电荷恢复到自举电容，如果需要的话。该
该系统在50％的占空比最大开关速度
在低侧功率晶体管的时间受限的。中
此时，自举电容充电必须被恢复。
然而，如果占空比偏斜使得上的时间
高侧功率晶体管是足够长，使电荷泵
完全恢复在切换期间丢失的电荷，则
在低侧功率晶体管的时间没有限制。
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