Si9953DY
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–20
r
DS （ ON）
(W)
0.25 @ V
GS
= –10 V
0.40 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"2.3
"1.5
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
1
D
1
D
2
D
2
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
P沟道MOSFET
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
–20
"20
"2.3
"1.8
"10
–1.7
2.0
单位
V
A
W
1.3
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70138
S- 00652 -REV 。 K， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
1
Si9953DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -10 V，I
D
= 1 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 0.5 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –2.3 A
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
–10
A
–1.5
0.12
0.22
2.5
–0.8
–1.2
0.25
0.40
W
S
V
–1.0
"100
–2
–25
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
通态漏电流
b
I
D（上）
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
10 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V R
G
= 6
W
1A
10 V,
V
DS
= –10 V, V
GS
= -10 V I
D
= –2.3 A
10 V
10 V,
23
6.7
1.3
1.6
10
12
20
10
70
40
40
90
50
100
ns
25
nC
C
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 70138
S- 00652 -REV 。 K， 27 -MAR- 00
Si9953DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
15
V
GS
= 10 – 7 V
12
I
D
- 漏极电流（ A）
6V
I
D
- 漏极电流（ A）
8
25_C
9
5V
6
6
125_C
10
T
C
= –55_C
传输特性
4
3
4V
3V
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.0
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.8
- 电容（pF ）
500
400
C
OSS
300
700
600
电容
0.6
0.4
C
国际空间站
200
100
C
RSS
0.2
V
GS
= 10 V
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
8
V
DS
=10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.0 A
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70138
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3
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
1.0
导通电阻与栅极至源极电压
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.8
I
D
= 2.3 A
0.6
T
J
= 25_C
0.4
0.2
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.8
30
单脉冲功率
0.6
I
D
= 250
A
25
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.4
20
0.2
15
0.0
10
–0.2
5
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.010
0.100
1
10
30
–0.4
–50
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–20
r
DS （ ON）
(W)
0.25 @ V
GS
= –10 V
0.40 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"2.3
"1.5
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
1
D
1
D
2
D
2
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
P沟道MOSFET
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
–20
"20
"2.3
"1.8
"10
–1.7
2.0
单位
V
A
W
1.3
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
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符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
1
Si9953DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -10 V，I
D
= 1 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 0.5 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –2.3 A
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
–10
A
–1.5
0.12
0.22
2.5
–0.8
–1.2
0.25
0.40
W
S
V
–1.0
"100
–2
–25
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
通态漏电流
b
I
D（上）
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
10 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V R
G
= 6
W
1A
10 V,
V
DS
= –10 V, V
GS
= -10 V I
D
= –2.3 A
10 V
10 V,
23
6.7
1.3
1.6
10
12
20
10
70
40
40
90
50
100
ns
25
nC
C
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
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2
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
15
V
GS
= 10 – 7 V
12
I
D
- 漏极电流（ A）
6V
I
D
- 漏极电流（ A）
8
25_C
9
5V
6
6
125_C
10
T
C
= –55_C
传输特性
4
3
4V
3V
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.0
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.8
- 电容（pF ）
500
400
C
OSS
300
700
600
电容
0.6
0.4
C
国际空间站
200
100
C
RSS
0.2
V
GS
= 10 V
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
8
V
DS
=10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.0 A
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
1.0
导通电阻与栅极至源极电压
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.8
I
D
= 2.3 A
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T
J
= 25_C
0.4
0.2
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.8
30
单脉冲功率
0.6
I
D
= 250
A
25
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.4
20
0.2
15
0.0
10
–0.2
5
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.010
0.100
1
10
30
–0.4
–50
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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