【Si9945DY1999年6月Si9945DY*双N沟道增强型MOSFET概述这些N沟道增强型MOS】,IC型号SI9945DY,SI9945DY PDF资料,SI9945DY经销商,ic,电子元器件-51电子网

Si9945DY

1999年6月

Si9945DY*

双N沟道增强型MOSFET

概述

这些N沟道增强型MOSFET的

利用飞兆半导体提前生产

已特别针对减少流程

通态电阻，但保持出色的开关

性能。

这些装置非常适用于低电压和

电池供电应用的低线供电

损耗和快速开关是必需的。

特点

3.3 A， 60 V

DS （ ON）

= 0.100

@ V

GS

= 10 V

R

DS （ ON）

= 0.200

@ V

GS

= 4.5 V

低栅极电荷。

快速开关速度。

高功率和电流处理能力。

应用

电池开关

负荷开关

电机控制

'

62

6

*

6

*

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1999

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Si9945DY版本A

Si9945DY

（ OHFWULFDO和放大器; KDUDFWHULVWLFV

6\PERO

7W

9TT

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7W

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9

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W

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9

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A

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9

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D

T

W

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9hvTpr9vqrAhq

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W

BT

2WD

T

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6

W

注意事项：

1.

R

θJA

是的总和的结点至外壳和外壳到环境阻力在哪里的情况下热参考被定义为焊接安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一） 78 ° C / W时，

安装在一个0.5

2

垫的2盎司铜。

B） 125 ° C / W时，

安装在一个0.02

2

垫的2盎司铜。

C） 135 ° C / W时，

安装在一个0.003

2

垫的2盎司铜。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

Si9945DY版本A

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

E

2

CMOS

TM

EnSigna

TM

FACT

FACT静音系列

快

放弃

FASTr

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

MICROWIRE

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

SILENT SWITCHER

SMART START

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

UHC

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

启摹

Si9945DY

双N沟道增强型MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

60

r

DS （ ON）

(W)

0.10

@ V

GS

=

10

V

0.20

@ V

GS

=

4.5

V

I

D

(A)

"3.3

"2.5

D

1

D

1

D

2

D

2

SO-8

S

1

G

1

S

2

G

2

1

2

3

4

顶视图

S

1

N沟道MOSFET

S

2

N沟道MOSFET

8

7

6

5

D

1

D

1

D

2

D

2

G

1

G

2

绝对最大额定值（

T

A

= 25 ° C除非另有说明

)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

J

= 150_C)

a

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

a

最大功率耗散

a

工作结存储温度范围

T

A

= 25_C

T

A

= 70_C

T

A

= 25_C

T

A

= 70_C

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

符号

V

DS

V

GS

极限

60

"20

"3.3

"2.6

10

1.7

2.0

1.3

-55到150

单位

V

A

W

_C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

a

笔记

一。表面安装在FR4板，T

v

10秒。

更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70133 。

Spice模型数据表可说明此产品（ FaxBack文档＃ 70516 ）。

符号

R

thJA

极限

62.5

单位

° C / W

Siliconix公司

S- 47958 -REV 。 G， 15 -APR- 96

1

Si9945DY

规格（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

b

漏源导通电阻

b

正向跨导

b

二极管的正向电压

b

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

r

DS （ ON）

g

fs

V

SD

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

DS

=

48

V, V

GS

= 0 V

V

DS

=

48

V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 55_C

V

DS

w

5 V, V

GS

=

10

V

GS

=

10

V，I

D

=

3.3

A

V

GS

=

4.5

V，I

D

=

2.5

A

V

DS

= 15 V，I

D

=

3.3

A

I

S

= 1.7 A，V

GS

= 0 V

7.0

0.8

1.2

10

0.10

0.20

1.0

"100

1

25

V

nA

mA

A

W

S

V

符号

测试条件

民

典型值

a

最大

单位

动态

a

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源漏反向恢复时间

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

rr

I

F

= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS

V

DD

= 30 V ，R

L

= 30

W

,

I

D

^

1 ，V

根

= 10 V ，R

G

= 6

W

V

DS

= 30 V, V

GS

=

10

V，I

D

=

3.3

A

33

15

2.1

4.5

9

10

25

14

70

25

30

50

40

100

ns

30

nC

笔记

一。通过设计保证，不受生产测试。

B 。脉冲测试;脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

2

Siliconix公司

S- 47958 -REV 。 G， 15 -APR- 96

Si9945DY

典型特性（ 25 ° C除非另有说明）

输出特性

20

V

GS

= 9, 8, 7, 6 V

I

D

- 漏极电流（ A）

20

T

C

= –55_C

16

25_C

传输特性

16

I

D

- 漏极电流（ A）

12

5V

8

12

125_C

8

4

4V

3V

4

0

2

4

6

8

10

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

0

1

2

3

4

5

6

7

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与漏电流

0.5

1000

电容

r

DS （ ON）

- 导通电阻（

W

)

0.4

- 电容（pF ）

800

0.3

V

GS

= 4.5 V

0.2

V

GS

= 10 V

600

C

国际空间站

400

0.1

200

C

RSS

C

OSS

0

2

4

6

8

10

I

D

- 漏极电流（ A）

0

10

20

30

40

50

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

10

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

V

DS

= 60 V

I

D

= 0.4 A

栅极电荷

2.0

导通电阻与结温

V

GS

= 10 V

I

D

= 3.3 A

6

r

DS （ ON）

- 导通电阻（

W

)

（归一化）

0

3

6

9

12

15

8

1.6

1.2

4

0.8

2

0.4

0

–50

–25

0

25

50

75

100

125

150

Q

g

- 总栅极电荷（ NC）

T

J

=结温（ ° C）

Siliconix公司

S- 47958 -REV 。 G， 15 -APR- 96

3

Si9945DY

典型特性（ 25 ° C除非另有说明）

源极 - 漏极二极管正向电压

0.30

0.25

I

S

- 源电流（ A）

10

T

J

= 150_C

r

DS （ ON）

- 导通电阻（

W

)

0.20

0.15

I

D

= 3.3 A

0.10

0.05

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0

2

4

6

8

10

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与栅极至源极电压

T

J

= 25_C

1

1.0

阈值电压

200

单脉冲功率

160

0.5

V

GS （ TH）

方差（ V）

功率（W）的

100

125

150

I

D

= 250

mA

0.0

120

80

–0.5

40

–1.0

–50

0

–25

0

25

50

75

0.001

0.010

0.100

时间（秒）

1.0

10

T

J

- 温度（ _C ）

2

1

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

归瞬态热阻抗，结到环境

注意事项：

0.1

0.05

0.02

单脉冲

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

P

DM

t

1

t

2

1.占空比D =

t

1

t

2

2.每单位基础= R

thJA

= 62.5℃ / W

3. T

JM

– T

A

= P

DM

Z

thJA （T ）

4.表层嵌

10

30

方波脉冲持续时间（秒）

4

Siliconix公司

S- 47958 -REV 。 G， 15 -APR- 96