添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第624页 > SI9942DY
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
免费的20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 10 V
0.250 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.350 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"3.0
"2.0
"2.5
"2.0
P沟道
–20
D
1
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"20
"3.0
"2.5
"10
1.6
2.0
1.3
P沟道
–20
"20
"2.5
"2.0
"10
–1.6
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
N或P通道
62.5
单位
° C / W
1
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
b
O 4 S
D我
I
D（上）
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 0.5 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.0 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –3.0 A
I
S
= 1.25 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.25 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
–10
A
2
–2
0.07
0.12
0.105
0.22
4.8
S
3.0
0.75
–0.8
1.2
V
–1.2
0.125
0.200
0.250
0.350
W
N沟道
P沟道
1.0
V
–1.0
"100
2
–2
25
–25
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
CH
通道
l
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.3 A
P沟道
V
DS
= –10 V V
GS
= -10 V I
D
= –2.3 A
10 V,
10 V,
23
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
CH
l
V
DD
= 20 V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -20 V R
L
= 20
W
20 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
1
10
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
t
f
P沟道
N沟道
源漏反向恢复时间
t
rr
I
F
= 1.25 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
7
6.7
0.75
nC
C
1.3
1.7
1.6
6
10
10
12
17
20
10
10
45
70
15
40
20
40
50
ns
90
50
50
100
100
25
25
栅极 - 源电荷
Q
gs
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10直通4 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
8
125_C
6
6
10
T
C
= –55_C
N沟道
传输特性
4
3V
4
2
2V
0
0
2
4
6
8
10
2
25_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
600
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.16
- 电容（pF ）
500
0.12
V
GS
= 4.5 V
400
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
0.08
V
GS
= 10 V
0.04
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A
6
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
S
- 源电流（ A）
0.50
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.40
T
J
= 25_C
0.30
I
D
= 3 A
0.20
0.10
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.00
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
30
单脉冲功率
0.2
I
D
= 250
A
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
功率（W）的
25
20
–0.2
15
–0.4
10
–0.6
5
–0.8
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.010
0.100
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10通6 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
6
8
10
T
C
= –55_C
25_C
125_C
6
P沟道
传输特性
4
4V
2
3V
0
0
2
4
6
8
10
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.0
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.8
- 电容（pF ）
500
400
C
OSS
300
700
600
电容
0.6
0.4
C
国际空间站
200
100
C
RSS
0.2
V
GS
= 10 V
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
8
V
DS
=10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
免费的20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 10 V
0.250 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.350 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"3.0
"2.0
"2.5
"2.0
P沟道
–20
D
1
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"20
"3.0
"2.5
"10
1.6
2.0
1.3
P沟道
–20
"20
"2.5
"2.0
"10
–1.6
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
N或P通道
62.5
单位
° C / W
1
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
b
O 4 S
D我
I
D（上）
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 0.5 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.0 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –3.0 A
I
S
= 1.25 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.25 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
–10
A
2
–2
0.07
0.12
0.105
0.22
4.8
S
3.0
0.75
–0.8
1.2
V
–1.2
0.125
0.200
0.250
0.350
W
N沟道
P沟道
1.0
V
–1.0
"100
2
–2
25
–25
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
CH
通道
l
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.3 A
P沟道
V
DS
= –10 V V
GS
= -10 V I
D
= –2.3 A
10 V,
10 V,
23
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
CH
l
V
DD
= 20 V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -20 V R
L
= 20
W
20 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
1
10
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
t
f
P沟道
N沟道
源漏反向恢复时间
t
rr
I
F
= 1.25 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
7
6.7
0.75
nC
C
1.3
1.7
1.6
6
10
10
12
17
20
10
10
45
70
15
40
20
40
50
ns
90
50
50
100
100
25
25
栅极 - 源电荷
Q
gs
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10直通4 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
8
125_C
6
6
10
T
C
= –55_C
N沟道
传输特性
4
3V
4
2
2V
0
0
2
4
6
8
10
2
25_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
600
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.16
- 电容（pF ）
500
0.12
V
GS
= 4.5 V
400
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
0.08
V
GS
= 10 V
0.04
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A
6
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
S
- 源电流（ A）
0.50
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.40
T
J
= 25_C
0.30
I
D
= 3 A
0.20
0.10
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.00
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
30
单脉冲功率
0.2
I
D
= 250
A
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
功率（W）的
25
20
–0.2
15
–0.4
10
–0.6
5
–0.8
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.010
0.100
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10通6 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
6
8
10
T
C
= –55_C
25_C
125_C
6
P沟道
传输特性
4
4V
2
3V
0
0
2
4
6
8
10
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.0
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.8
- 电容（pF ）
500
400
C
OSS
300
700
600
电容
0.6
0.4
C
国际空间站
200
100
C
RSS
0.2
V
GS
= 10 V
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
8
V
DS
=10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
免费的20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 10 V
0.250 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.350 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"3.0
"2.0
"2.5
"2.0
P沟道
–20
D
1
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"20
"3.0
"2.5
"10
1.6
2.0
1.3
P沟道
–20
"20
"2.5
"2.0
"10
–1.6
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
N或P通道
62.5
单位
° C / W
1
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
b
O 4 S
D我
I
D（上）
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 0.5 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.0 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –3.0 A
I
S
= 1.25 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.25 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
–10
A
2
–2
0.07
0.12
0.105
0.22
4.8
S
3.0
0.75
–0.8
1.2
V
–1.2
0.125
0.200
0.250
0.350
W
N沟道
P沟道
1.0
V
–1.0
"100
2
–2
25
–25
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
CH
通道
l
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.3 A
P沟道
V
DS
= –10 V V
GS
= -10 V I
D
= –2.3 A
10 V,
10 V,
23
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
CH
l
V
DD
= 20 V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -20 V R
L
= 20
W
20 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
1
10
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
t
f
P沟道
N沟道
源漏反向恢复时间
t
rr
I
F
= 1.25 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
7
6.7
0.75
nC
C
1.3
1.7
1.6
6
10
10
12
17
20
10
10
45
70
15
40
20
40
50
ns
90
50
50
100
100
25
25
栅极 - 源电荷
Q
gs
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10直通4 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
8
125_C
6
6
10
T
C
= –55_C
N沟道
传输特性
4
3V
4
2
2V
0
0
2
4
6
8
10
2
25_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
600
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.16
- 电容（pF ）
500
0.12
V
GS
= 4.5 V
400
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
0.08
V
GS
= 10 V
0.04
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A
6
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
S
- 源电流（ A）
0.50
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.40
T
J
= 25_C
0.30
I
D
= 3 A
0.20
0.10
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.00
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
30
单脉冲功率
0.2
I
D
= 250
A
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
功率（W）的
25
20
–0.2
15
–0.4
10
–0.6
5
–0.8
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.010
0.100
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10通6 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
6
8
10
T
C
= –55_C
25_C
125_C
6
P沟道
传输特性
4
4V
2
3V
0
0
2
4
6
8
10
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.0
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.8
- 电容（pF ）
500
400
C
OSS
300
700
600
电容
0.6
0.4
C
国际空间站
200
100
C
RSS
0.2
V
GS
= 10 V
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
8
V
DS
=10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
免费的20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 10 V
0.250 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.350 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"3.0
"2.0
"2.5
"2.0
P沟道
–20
D
1
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"20
"3.0
"2.5
"10
1.6
2.0
1.3
P沟道
–20
"20
"2.5
"2.0
"10
–1.6
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
N或P通道
62.5
单位
° C / W
1
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
b
O 4 S
D我
I
D（上）
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –10 V
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
漏源导通电阻
b
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 0.5 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.0 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –3.0 A
I
S
= 1.25 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.25 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
–10
A
2
–2
0.07
0.12
0.105
0.22
4.8
S
3.0
0.75
–0.8
1.2
V
–1.2
0.125
0.200
0.250
0.350
W
N沟道
P沟道
1.0
V
–1.0
"100
2
–2
25
–25
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
CH
通道
l
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.3 A
P沟道
V
DS
= –10 V V
GS
= -10 V I
D
= –2.3 A
10 V,
10 V,
23
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
CH
l
V
DD
= 20 V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -20 V R
L
= 20
W
20 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
1
10
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
t
f
P沟道
N沟道
源漏反向恢复时间
t
rr
I
F
= 1.25 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
7
6.7
0.75
nC
C
1.3
1.7
1.6
6
10
10
12
17
20
10
10
45
70
15
40
20
40
50
ns
90
50
50
100
100
25
25
栅极 - 源电荷
Q
gs
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10直通4 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
8
125_C
6
6
10
T
C
= –55_C
N沟道
传输特性
4
3V
4
2
2V
0
0
2
4
6
8
10
2
25_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
600
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.16
- 电容（pF ）
500
0.12
V
GS
= 4.5 V
400
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
0.08
V
GS
= 10 V
0.04
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A
6
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
S
- 源电流（ A）
0.50
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.40
T
J
= 25_C
0.30
I
D
= 3 A
0.20
0.10
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.00
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
30
单脉冲功率
0.2
I
D
= 250
A
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
功率（W）的
25
20
–0.2
15
–0.4
10
–0.6
5
–0.8
–50
0
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0.010
0.100
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
Si9942DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10通6 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
6
8
10
T
C
= –55_C
25_C
125_C
6
P沟道
传输特性
4
4V
2
3V
0
0
2
4
6
8
10
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.0
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.8
- 电容（pF ）
500
400
C
OSS
300
700
600
电容
0.6
0.4
C
国际空间站
200
100
C
RSS
0.2
V
GS
= 10 V
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
8
V
DS
=10 V
I
D
= 2.3 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
2
4
6
8
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70130
S- 000652 -REV 。 L， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5
查看更多SI9942DYPDF信息
推荐型号
ST25C04
SNJ54LVTH245AJ
S1210R-122K
SY10EP11UKG
SEL4810A
SN74LV139ADG4
SMCJ6070
SK15-LTP
SHD114468
SAB8287A-P
SN74HCT273PWE4
S-81237SG
SQS16A51R0FP13
SDR2145
SSC-MBT7920
STTH1L06
SDI200S12
SHB-08-150V
STU2640NL
SSC-MBT7820
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI9942DY
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
SI9942DY
VISHAY
24+
11880
SOP-8
优势现货，只做原装正品
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
SI9942DY
VISHAY
2019+
35555
SOP
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
SI9942DY
VISHAY
20+
8090
SOP
原装进口可样品可出
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
SI9942DY
SILICONIX
1922+
9852
SOP
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
SI9942DY
SILICONIX
0448+
8600
SO8
全新原装15818663367
深圳市欧立现代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ：1950791264 复制

电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
SI9942DY
SILICONIX
24+
8000
SO8
授权分销 现货热卖
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SI9942DY
SI
2443+
23000
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SI9942DY
VISHAY/威世
24+
9634
SOP-8
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
SI9942DY
VISHAY
25+23+
21500
SOP-8
绝对全新原装现货！原装原标原包渠道优势！
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
SI9942DY
SILICONIX
24+
5000
SOP8
100%原装正品，可长期订货
查询更多SI9942DY供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！