Si9936DY
1999年6月
Si9936DY*
双N沟道增强型MOSFET
概述
这些N沟道增强型MOSFET的
利用飞兆半导体提前生产
已特别针对减少流程
通态电阻，但保持出色的开关
性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
5.0 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.050
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.080
@ V
GS
= 4.5 V
低栅极电荷。
快速开关速度。
高功率和电流处理能力。
应用
电池开关
负荷开关
电机控制
'
'
'
'
62
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W
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°
8X
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1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si9936DY版本A
Si9936DY
（ OHFWULFDO和放大器; KDUDFWHULVWLFV
6\PERO
7W
9TT
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$
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6
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8
°
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W
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2
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2
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A
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$
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W
BT
2
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9
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W
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8
8
8
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D
T
W
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W
BT
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T
2
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!
6
W
注意事项：
1.
R
θJA
是的总和的结点至外壳和外壳到环境阻力在哪里的情况下热参考被定义为焊接安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在一个0.5
2
垫的2盎司铜。
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
垫的2盎司铜。
C） 135 ° C / W时，
安装在一个0.003
2
垫的2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
Si9936DY版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
启摹
Si9936DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
M3D315
版本01 - 2001年7月16日
产品数据
1.描述
双N沟道增强型网络场效果的塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
Si9936DY在SOT96-1 （ SO8 ） 。
2.特点
s
低通态电阻
s
快速开关
s
的TrenchMOS 技术。
3.应用
s
s
s
s
s
直流到直流转换器
直流电机控制
锂离子电池应用
笔记本电脑
便携式设备的应用程序。
c
c
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5,6
7,8
穿针 - SOT96-1 ，简化的外形和符号
描述
源1（S
1
)
8
7
6
5
d1
d2
简化的轮廓
符号
1号门（G
1
)
源2（S
2
)
2号门（G
2
)
漏图2（d
2
)
漏1 （D
1
)
PIN 1 INDEX
03ab52
1
2
3
4
03ab58
g1
s1
g2
s2
SOT96-1 （ SO8 ）
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
Si9936DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 150
°C
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s
V
GS
= 10 V ;我
D
= 5 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.9 A
典型值
35
44
最大
30
5
2
150
50
80
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管正向）电流
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s;
图2
和
3
T
AMB
= 70
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s;
图2
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s;
图1
T
AMB
= 70
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s;
图1
条件
T
j
= 25 150
°C
民
55
55
最大
30
±20
5
4
40
2
1.3
+150
+150
1.3
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 08413
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品数据
版本01 - 2001年7月16日
2 13
飞利浦半导体
Si9936DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
03aa11
03aa19
120
PDER
(%)
100
120
伊德尔
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
o
TAMB （ C）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
o
TAMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
102
ID
(A)
10
TP = 10微秒
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
特区
03af68
导通电阻= VDS / ID
P
δ
=
tp
T
10-1
10 s
tp
T
t
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 08413
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产品数据
版本01 - 2001年7月16日
3 13
QQ：2881677436 复制
