【SPICE器件模型Si9933CDYVishay Siliconix公司双P通道20 - V（D -】,IC型号SI9933CDY,SI9933CDY PDF资料,SI9933CDY经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPICE器件模型Si9933CDY

Vishay Siliconix公司

双P通道20 - V（D -S）的MOSFET

特征

P沟道垂直DMOS

宏模型（子电路模型）

3级MOS

同时申请线性和开关应用

在精确的

至125°C温度范围

模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复

特征

描述

所附的SPICE模型描述了典型的电

的p沟道垂直DMOS的特性。子电路

模型中提取并优化过

至125℃

脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该

饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合

阈值电压。

一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟

同时避免收敛困难的栅极电荷特性

交换的C

模型。所有的模型参数值进行了优化

以提供最适合于所测量的电数据，并且不

目的是作为该装置的一个具体的物理解释。

子电路模型示意图

本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的

相同数量的保证规范限制的数据表。

文档编号： 64515

S- 83055Rev 。 A， 19 -JAN- 09

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SPICE器件模型Si9933CDY

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规格（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

GS （ TH）

DS （ ON）

= V

, I

250 μA

4.5

V，I

4.8

2.5

V，I

4.8

3.8

0.89

0.048

0.072

0.84

0.048

0.075

0.77

符号

测试条件

模拟

数据

测

数据

单位

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

国际空间站

OSS

RSS

V, V

V，I

4.8

V, V

4.5

V，I

4.8

V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

662

140

113

665

140

115

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

μs,

占空比

≤

2%.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

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与实测数据模型的比较（T

= 25 ° C除非另有说明）

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比较模型的测量数据（ TJ = 25 ° C除非另有说明）

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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件

产品专为此类应用。

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