【Si9926DY2001年1月Si9926DY双N沟道2.5V指定的PowerTrenchMOSFE】,IC型号SI9926DY,SI9926DY PDF资料,SI9926DY经销商,ic,电子元器件-51电子网

Si9926DY

2001年1月

Si9926DY

双N沟道2.5V指定的PowerTrench

MOSFET

概述

这些N沟道2.5V指定使用的MOSFET

飞兆半导体的PowerTrench先进

流程。它已被优化的电源管理

具有广泛的栅极驱动电压的应用

(2.5V – 10V).

特点

6.5 A， 20 V

DS （ ON）

= 0.030

@ V

= 4.5 V

DS （ ON）

= 0.043

@ V

= 2.5 V.

优化的电池保护电路中使用

±10

GSS

允许工作电压范围宽

低栅电荷

应用

电池保护

负荷开关

电源管理

SO-8

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

=25

C除非另有说明

参数

评级

±10

（注1A ）

单位

6.5

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

0.9

-55到+150

°C

, T

英镑

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

9926

设备

Si9926DY

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2001

仙童半导体国际

Si9926DY版本A （ W）

Si9926DY

电气特性

符号

DSS

ΔBV

DSS

GSSF

GSSR

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

（注2 ）

测试条件

= 0 V，I

= 250

参考25 ℃下

= 16 V,

= 8 V,

= –8 V

= 0 V

民

典型值

最大单位

开关特性

100

–100

毫伏/°C的

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

= V

, I

= 250

参考25 ℃下

= 4.5 V,

= 6.5 A

= 5.4 A

= 2.5 V,

= 4.5 V，I

= 6.5A ，T

=125°C

= 4.5 V,

= 5 V

= 5 V,

= 3 A

0.5

-3

0.025

0.036

0.035

1.5

毫伏/°C的

0.030

0.043

0.050

D（上）

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

= 10 V,

F = 1.0 MHz的

= 0 V,

700

175

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 10 V,

= 4.5 V,

= 1 A,

根

= 6

= 10 V,

= 4.5 V

= 3A,

1.2

1.9

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

= 0 V,

= 1.3 A

（注2 ）

1.3

0.65

1.2

注意事项：

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

A） 78℃ / W时，

安装在0.5英寸

2盎司纯铜垫

B） 125 ° / W时，

安装在0.02

在2盎司垫

铜

三） 135° / W安装在一个时

最小焊盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

Si9926DY版本A （ W）

Si9926DY

典型特征

3.5V

，漏电流（ A）

3.0V

2.5V

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= 4.5V

2.5

= 2.0V

2.5V

1.5

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

2.0V

1.5V

0.5

1.5

，漏源电压（V ）

0.5

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.1

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.6

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= 3A

= 4.5V

1.4

= 1.5 A

0.08

1.2

0.06

= 125

0.04

0.8

0.02

= 25

0.6

-50

-25

100

125

150

，门源电压（ V）

，结温（ C）

图3.导通电阻变化与

温度。

= 5V

，漏电流（ A）

125

= -55

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

= 0V

0.1

0.01

0.001

0.0001

= 125

-55

0.5

1.5

2.5

，门源电压（ V）

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

Si9926DY版本A （ W）

Si9926DY

典型特征

，栅源电压（V ）

= 3A

电容（pF）

15V

= 5V

10V

1000

F = 1MHz的

= 0 V

800

国际空间站

600

400

200

OSS

RSS

，栅极电荷（ NC）

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

100

100s

1ms

10ms

100ms

10s

= 10V

单脉冲

θJA

= 135

C / W

= 25

0.01

0.1

100

，漏源电压（V ）

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

DS （ ON）

极限

，漏电流（ A）

图8.电容特性。

单脉冲

θJA

= 135 ° C / W

= 25°C

0.1

0.001

0.01

0.1

，时间（秒）

100

1000

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

R（T ），规范有效

瞬态热阻

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θJA

（吨） = R（T） + R

θJA

= 135 ° C / W

P（ PK）

单脉冲

0.01

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，时间（秒）

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1c中所述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

Si9926DY版本A （ W）

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

CMOS

EnSigna

FACT

FACT静音系列

快

放弃

FASTr

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

MICROWIRE

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

的PowerTrench

QFET

QT光电

静音系列

SILENT SWITCHER

SMART START

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

UHC

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

启摹

SMD型

MOSFET

MOSFE

产品speci fi cation

SI9926DY

■

特点

●

DS （ ON）

≤

0.032

@ V

= 4.5 V

●

DS （ ON）

≤

0.045

@ V

= 2.5 V.

SOP-8

顶视图

■

绝对最大额定值TA = 25 ℃

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

= 25℃

= 70℃

热阻，结到环境

Jumction温度和储存温度

θJA

英镑

符号

等级

±10

6.5

1.3

62.5

-55到+150

单位

℃/W

℃

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

SMD型

MOSFE

MOSFET

产品speci fi cation

SI9926DY

■

电气特性TA = 25 ℃

参数

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

门体漏

漏源导通电阻*

通态漏电流*

正向跨导*

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

最大连续漏源二极管

正向电流

二极管的正向电压*

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DS （ ON）

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 1.3A ，V

= 0 V

0.65

= 10V

= 1A ，V

= 4.5V ，R

= 6Ω

= 10V , V

= 4.5V ，我

= 3A

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

测试条件

= 0 V，I

= 250

μA

= 16V , V

= 0V

= V

, I

= 250uA

= 0V , V

±8V

= 4.5V ，我

= 6.5A

= 2.5V ，我

= 5.4A

= 5V , V

= 4.5V

= 5V ，我

=3A

700

175

1.2

1.9

1.3

1.2

0.5

民

1.5

±100

0.026 0.032

0.037 0.045

典型值

最大

单位

μA

*脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

μs,

占空比

≤

2 %.

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2