Si9925DY
Vishay Siliconix公司
双N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.05 @ V
GS
= 4.5 V
20
0.06 @ V
GS
= 3.0 V
0.08 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
5.0
4.2
3.6
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
订购信息： Si9925DY
Si9925DY -T1 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
20
"12
5.0
4.0
48
1.7
2
1.3
- 55 150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70145
S- 03950 -REV 。 N， 26日， 03
www.vishay.com
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
1
Si9925DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 5 V
V
GS
= 7.2 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 3.9 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.0 A
I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
30
0.025
0.038
0.041
0.050
0.062
14
0.81
1.2
0.045
0.05
0.06
0.08
S
V
W
0.8
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
1
14
13
35
9
60
V
DS
= 6 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
9
2
2.6
2.9
40
30
60
30
150
ns
W
20
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
2
文档编号： 70145
S- 03950 -REV 。 N， 26日， 03
Si9925DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
40
T
C
= - 55_C
32
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 5.5, 5, 4.5, 4, 3.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
32
25_C
24
3V
24
125_C
16
传输特性
16
2.5 V
8
2V
1.5 V
8
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
1600
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.16
1200
0.12
- 电容（pF ）
C
国际空间站
800
0.08
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 3 V
400
C
RSS
0
C
OSS
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.00
0
6
12
18
24
30
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
4.5
4.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8
10
0.0
- 50
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5 A
1.6
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A
1.2
0.8
0.4
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 70145
S- 03950 -REV 。 N， 26日， 03
www.vishay.com
3
Si9925DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.18
导通电阻与栅极至源极电压
0.15
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
I
D
= 5 A
0.12
0.09
0.06
0.03
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.00
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
40
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
A
功率（W）的
- 0.0
32
24
- 0.2
16
- 0.4
8
- 0.6
- 50
0
0
50
T
J
- 温度（℃ ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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4
文档编号： 70145
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双N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.05 @ V
GS
= 4.5 V
20
0.06 @ V
GS
= 3.0 V
0.08 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
5.0
4.2
3.6
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
订购信息： Si9925DY
Si9925DY -T1 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
20
"12
5.0
4.0
48
1.7
2
1.3
- 55 150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70145
S- 03950 -REV 。 N， 26日， 03
www.vishay.com
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
1
Si9925DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 5 V
V
GS
= 7.2 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 3.9 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.0 A
I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
30
0.025
0.038
0.041
0.050
0.062
14
0.81
1.2
0.045
0.05
0.06
0.08
S
V
W
0.8
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
1
14
13
35
9
60
V
DS
= 6 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
9
2
2.6
2.9
40
30
60
30
150
ns
W
20
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
40
T
C
= - 55_C
32
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 5.5, 5, 4.5, 4, 3.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
32
25_C
24
3V
24
125_C
16
传输特性
16
2.5 V
8
2V
1.5 V
8
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
1600
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.16
1200
0.12
- 电容（pF ）
C
国际空间站
800
0.08
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 3 V
400
C
RSS
0
C
OSS
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.00
0
6
12
18
24
30
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
4.5
4.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8
10
0.0
- 50
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
V
DS
= 6 V
I
D
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导通电阻与结温
V
GS
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I
D
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1.2
0.8
0.4
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.18
导通电阻与栅极至源极电压
0.15
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
I
D
= 5 A
0.12
0.09
0.06
0.03
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.00
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
40
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
A
功率（W）的
- 0.0
32
24
- 0.2
16
- 0.4
8
- 0.6
- 50
0
0
50
T
J
- 温度（℃ ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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S- 03950 -REV 。 N， 26日， 03
QQ：2880707522 复制
