Si9910
Vishay Siliconix公司
自适应功率MOSFET驱动器
1
特点
D
dv / dt和di / dt的控制
D
欠压保护
D
短路保护
D
t
rr
直通电流限制
D
低静态电流
D
CMOS兼容输入
D
兼容MOSFET器件的宽范围
D
引导和电荷泵兼容
（高边驱动器）
描述
该Si9910功率MOSFET驱动器提供优化的栅极
驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。很
低静态电流由一个CMOS缓冲器，和一个设置
大电流发射极跟随器输出级。这种效率
允许在高电压应用的桥梁与操作
“引导”或“电荷泵”
浮动电源
技术。
非反相输出配置最小电流
漏为n沟道“ on”状态。逻辑输入是内部
二极管钳位，以允许在高边驱动器的简单的下拉。
故障保护电路检测到欠电压或输出
短路状态和关断功率MOSFET 。
增加一个外部电阻范围最大的di / dt的
外部功率MOSFET 。快速反馈电路，可用于
吨时，通过拍摄电流限制
rr
（二极管的反向恢复
时间），在桥配置。
该Si9910采用8引脚塑料DIP和SOIC封装
封装，规定工作在工业，D后缀（ -40
至+85 C ）温度范围。采用SOIC - 8两种封装
标准和铅（Pb ） - 免费选项。
功能框图
V
DS
V
DD
漏
欠压/
过电流
保护
R3
* 100千瓦
C1
* 2 5 pF的
引体向上
R2
*250
W
2-ms
延迟
下拉
I
SENSE
输入
R1
*0.1
W
V
SS
*典型值
1.专利号484116 。
文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
www.vishay.com
1
Si9910
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V
SS
针
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到18 V
销1 ，4，5 ，7，8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
DD
+ 0.3 V
引脚2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.7
V到V
DD
+ 0.3 V
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流（i
pk
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）
a
8引脚SOIC （Y后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
8引脚塑料DIP （J后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.6毫瓦/ _C以上25_C 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输入
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压滞后
高电平输入电流
低电平输入电流
V
IH
V
IL
V
h
I
IH
I
IL
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
0.90
0.70× V
DD
7.4
6.0
2.0
0.35 x垂直
DD
3.0
"1
"1
mA
V
范围
民
c
典型值
b
最大
c
单位
符号
V
DD
10.8 V至16.5 V
T
A
= OperatingTemperature范围
产量
高电平输出电压
低电平输出电压
欠压锁定
I
SENSE
引脚门限
电压漏 - 源最大
输入电流V
DS
输入
峰值输出电流源
峰值输出灌电流
V
OH
V
OL
V
UVLO
V
TH
V
DS
I
VDS
I
OS +
I
OS-
我最大
S
= 2毫安，输入高
100 mV的变化对漏
输入高
I
OH
=
200
mA
I
OL
= 200毫安
8.3
0.5
8.3
V
DD
3
10.7
1.3
9.2
0.66
9.1
12
1
1
3
10.6
0.8
10.2
20.0
mA
A
V
供应
供应范围
电源电流
V
DD
I
DD1
I
DD2
输出高，空载
输出低，空载
10.8
0.1
100
16.5
1
500
V
mA
动态
传播延迟时间从低到高的水平
传播延迟时间高到低级别
上升时间
下降时间
过电流检测延迟（V
DS
)
输入电容
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
t
DS
C
in
C
L
= 2000 pF的
120
135
50
35
1
5
mS
pF
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
www.vishay.com
2
文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
Si9910
Vishay Siliconix公司
AC测试条件
IN
（ IN = L）的
50%
t
PLH
90%
t
PHL
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
t
r
t
f
OUT
10%
引脚配置和订购信息
PDIP-8
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
SOIC-8
8
7
6
5
顶视图
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
订购信息
产品型号
Si9910DY
Si9910DY-T1
Si9910DY-T1—E3
Si9910DJ
Si9910DJ-T1
40
至85℃
PDIP-8
PDIP 8
SOIC-8
温度范围
包
文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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3
Si9910
Vishay Siliconix公司
引脚说明
引脚1 ： V
DS
引脚1或V
DS
是检测输入的最大源极 - 漏极
电压限制。后输入高电平的跳变2微秒
销2 ，一个内部定时器使在V
DS （ MAX）
检测电路。一
灾难性的过电流条件下，过量的导通电阻，
或不充分的栅极驱动电压可以通过限制被检测
穿过功率MOSFET的最大电压降。一
外部电阻（ R3 ）是需要保护的PIN码1
MOSFET的“关闭”状态时的过电压。超额
V
DS （ MAX）
锁存Si9910 “关”。关于驱动器被重新启用
接下来的正型引脚2.将输入引脚。如果1没有被使用，就必须
连接到引脚6 （V
SS
).
PIN 2 ：输入
非反相施密特触发输入控制的状态
MOSFET栅极驱动器输出和使能保护逻辑。
当输入为低（ⅴ V
IL
), V
DD
被监测的
欠压状态（充电不足的引导
电容） 。如果欠压（ V V
DD （ MIN ）
）条件存在，
该驱动程序将忽略导通的输入信号。欠压
(v V
DD （ MIN ）
在一个“开”的状态将不被检测到）的条件。
“浮动”
应用
（半桥，高侧）
和
接地参考的应用程序（半桥，低侧） 。
引脚7 ：下拉
引脚8 ：上拉
上拉和下拉输出，共同提供动力
MOSFET栅极充电和放电电流。转
“开”或“关”的di / dt ，可以通过增加电阻的限制（注册商标
2
）在
系列具有适当的输出。
应用
“浮”高边驱动器的应用
这表现在图1中， Si9910旨在用于
同时作为参考接地的栅极驱动器和作为“高边”
在半桥应用或源参考的栅极驱动器。
该Si9910的几个特点使得它在半桥使用
高侧驱动器应用。
隔离浮动电源的简单，廉价的方法
在高边驱动器的应用程序的Si9910电源必须是
提供的。因此， Si9910被设计成
用两种最常用的浮动兼容
供应技术：引导和电荷泵。两
这些技术具有局限性单独使用时。一
正确设计的自举电路可以提供
最大限度地减少了转换损耗，低阻抗驱动器
该电荷泵电路提供静态操作。
该Si9910配置成采取任何漂浮的优点
如果该应用程序是不敏感的供应技术的
特别的限制，或者这两种技术，如果开关损耗
必须最小化和静态操作是必要的。该
上面的示意图显示了两个电荷泵和
配合使用的Si9910在一个自举电路
高侧驱动器的应用程序。
输入信号的电平移位是通过一被动
拉（R 4）和n沟道MOSFET （ Q2），用于在下拉
低于500 V.总节点电容定义的应用程序
R4的值需要保证输入转换速率
安全地超过输出的最大dv / dt的速率
半桥。使用电平转换器件具有更高的电流
能力，可能需要加入限流
组分如R 5 。
自举欠压锁定
当使用一个自举电容器作为高侧浮
供给，必须小心，以确保时间可用来
充值开启的前自举电容
高边MOSFET 。作为一个灾难性的保护
正常情况下，如启动时，功率损耗等，一
内部电压监控器已被列入该监控
自举电压时Si9910是处于低状态。该
Si9910不会为高的输入信号作出响应，直至电压
对自举电容足以全面提升
功率MOSFET的栅极。详情请参阅
应用笔记AN705 。
文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
引脚3 ： V
DD
V
DD
提供电源用于驱动的内部电路和
充电电流功率MOSFET的栅极电容。
该Si9910减少内部I
DD
在“开”状态
（栅极驱动器输出高电平） ，允许一个“浮动”电源
由电荷泵或自举技术来提供的。
引脚4 ：漏极
漏极是一个模拟输入到内部的dv / dt抑制电路。
一个外部电容器（C1）必须被用于保护输入
从暴露于高电压（ “关”状态）漏极和设置
的dv / dt的功率MOSFET的最大速率。如果dv / dt的反馈
不使用时，引脚4必须悬空。
5脚：我
SENSE
I
SENSE
在与外部电阻器组合（R
1)
可以防止潜在的灾难性的功率MOSFET
峰值电流。我
SENSE
是模拟反馈，限制电流
在功率MOSFET的过渡到“导通”状态。这是
用于保护功率MOSFET （在半桥
安排）从“直通”目前，从产生
多余的di / dt和T
rr
的反激式二极管或逻辑时序
重叠。跨（ R1 ）的0.8 - V的压降应说明当前
电平即最大允许大约4倍
负载电流。当我
SENSE
输入没有使用时，它应该是
连接到引脚6 （V
SS
).
引脚6 ： V
SS
V
SS
是司机的接地返回引脚。该应用图
说明V的连接
SS
对于源参考
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Si9910
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应用电路
V
DD
（12至15V）
D1
V
DD
V
DS
R3
漏
R4
引体向上
C2
输入
下拉
I
SENSE
C3
C1
R2
Q1
R1
V
DD
V
DS
Q2
漏
C4
R5
下拉
输入
I
SENSE
R1’
Q1’
引体向上
C1’
R2’
R3’
汽车
CMOS
逻辑
OSC
V
SS
C2 =自举帽
C3 =电荷泵帽
图1 。
高压半桥与Si9910驱动程序
文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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Si9910
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自适应功率MOSFET驱动器
1
特点
D
dv / dt和di / dt的控制
D
欠压保护
D
短路保护
D
t
rr
直通电流限制
D
低静态电流
D
CMOS兼容输入
D
兼容MOSFET器件的宽范围
D
引导和电荷泵兼容
（高边驱动器）
描述
该Si9910功率MOSFET驱动器提供优化的栅极
驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。很
低静态电流由一个CMOS缓冲器，和一个设置
大电流发射极跟随器输出级。这种效率
允许在高电压应用的桥梁与操作
“引导”或“电荷泵”
浮动电源
技术。
非反相输出配置最小电流
漏为n沟道“ on”状态。逻辑输入是内部
二极管钳位，以允许在高边驱动器的简单的下拉。
故障保护电路检测到欠电压或输出
短路状态和关断功率MOSFET 。
增加一个外部电阻范围最大的di / dt的
外部功率MOSFET 。快速反馈电路，可用于
吨时，通过拍摄电流限制
rr
（二极管的反向恢复
时间），在桥配置。
该Si9910可在标准和铅（Pb ） - 免费
被指定为8引脚塑料DIP和SOIC封装
工作在工业温度范围
40
_C
to
85
_C.
功能框图
V
DS
V
DD
漏
欠压/
过电流
保护
R3
* 100千瓦
C1
* 2 5 pF的
引体向上
R2
*250
W
2-ms
延迟
下拉
I
SENSE
输入
R1
*0.1
W
V
SS
*典型值
1.专利号484116 。
文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
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1
Si9910
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V
SS
针
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到18 V
销1 ，4，5 ，7，8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
DD
+ 0.3 V
引脚2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.7
V到V
DD
+ 0.3 V
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流（i
pk
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.6毫瓦/ _C以上25_C 。
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）
a
8引脚SOIC （Y后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
8引脚塑料DIP （J后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输入
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压滞后
高电平输入电流
低电平输入电流
V
IH
V
IL
V
h
I
IH
I
IL
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
0.90
0.70× V
DD
7.4
6.0
2.0
0.35 x垂直
DD
3.0
"1
"1
mA
V
范围
民
c
典型值
b
最大
c
单位
符号
V
DD
10.8 V至16.5 V
T
A
= OperatingTemperature范围
产量
高电平输出电压
低电平输出电压
欠压锁定
I
SENSE
引脚门限
电压漏 - 源最大
输入电流V
DS
输入
峰值输出电流源
峰值输出灌电流
V
OH
V
OL
V
UVLO
V
TH
V
DS
I
VDS
I
OS +
I
OS-
我最大
S
= 2毫安，输入高
100 mV的变化对漏
输入高
I
OH
=
200
mA
I
OL
= 200毫安
8.3
0.5
8.3
V
DD
3
10.7
1.3
9.2
0.66
9.1
12
1
1
3
10.6
0.8
10.2
20.0
mA
A
V
供应
供应范围
电源电流
V
DD
I
DD1
I
DD2
输出高，空载
输出低，空载
10.8
0.1
100
16.5
1
500
V
mA
动态
传播延迟时间从低到高的水平
传播延迟时间高到低级别
上升时间
下降时间
过电流检测延迟（V
DS
)
输入电容
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
t
DS
C
in
C
L
= 2000 pF的
120
135
50
35
1
5
mS
pF
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
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文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
2
Si9910
Vishay Siliconix公司
AC测试条件
IN
（ IN = L）的
50%
t
PLH
90%
t
PHL
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
t
r
t
f
OUT
10%
引脚配置和订购信息
PDIP-8
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
SOIC-8
8
7
6
5
顶视图
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
订购信息
产品型号
Si9910DY
Si9910DY-T1
Si9910DY-T1—E3
Si9910DJ
Si9910DJ—E3
40
至85℃
PDIP-8
PDIP 8
SOIC-8
温度范围
包
文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
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Si9910
Vishay Siliconix公司
引脚说明
引脚1 ： V
DS
引脚1或V
DS
是检测输入的最大源极 - 漏极
电压限制。后输入高电平的跳变2微秒
销2 ，一个内部定时器使在V
DS （ MAX）
检测电路。一
灾难性的过电流条件下，过量的导通电阻，
或不充分的栅极驱动电压可以通过限制被检测
穿过功率MOSFET的最大电压降。一
外部电阻（ R3 ）是需要保护的PIN码1
MOSFET的“关闭”状态时的过电压。超额
V
DS （ MAX）
锁存Si9910 “关”。关于驱动器被重新启用
接下来的正型引脚2.将输入引脚。如果1没有被使用，就必须
连接到引脚6 （V
SS
).
PIN 2 ：输入
非反相施密特触发输入控制的状态
MOSFET栅极驱动器输出和使能保护逻辑。
当输入为低（ⅴ V
IL
), V
DD
被监测的
欠压状态（充电不足的引导
电容） 。如果欠压（ V V
DD （ MIN ）
）条件存在，
该驱动程序将忽略导通的输入信号。欠压
(v V
DD （ MIN ）
在一个“开”的状态将不被检测到）的条件。
“浮动”
应用
（半桥，高侧）
和
接地参考的应用程序（半桥，低侧） 。
引脚7 ：下拉
引脚8 ：上拉
上拉和下拉输出，共同提供动力
MOSFET栅极充电和放电电流。转
“开”或“关”的di / dt ，可以通过增加电阻的限制（注册商标
2
）在
系列具有适当的输出。
应用
“浮”高边驱动器的应用
这表现在图1中， Si9910旨在用于
同时作为参考接地的栅极驱动器和作为“高边”
在半桥应用或源参考的栅极驱动器。
该Si9910的几个特点使得它在半桥使用
高侧驱动器应用。
隔离浮动电源的简单，廉价的方法
在高边驱动器的应用程序的Si9910电源必须是
提供的。因此， Si9910被设计成
用两种最常用的浮动兼容
供应技术：引导和电荷泵。两
这些技术具有局限性单独使用时。一
正确设计的自举电路可以提供
最大限度地减少了转换损耗，低阻抗驱动器
该电荷泵电路提供静态操作。
该Si9910配置成采取任何漂浮的优点
如果该应用程序是不敏感的供应技术的
特别的限制，或者这两种技术，如果开关损耗
必须最小化和静态操作是必要的。该
上面的示意图显示了两个电荷泵和
配合使用的Si9910在一个自举电路
高侧驱动器的应用程序。
输入信号的电平移位是通过一被动
拉（R 4）和n沟道MOSFET （ Q2），用于在下拉
低于500 V.总节点电容定义的应用程序
R4的值需要保证输入转换速率
安全地超过输出的最大dv / dt的速率
半桥。使用电平转换器件具有更高的电流
能力，可能需要加入限流
组分如R 5 。
自举欠压锁定
当使用一个自举电容器作为高侧浮
供给，必须小心，以确保时间可用来
充值开启的前自举电容
高边MOSFET 。作为一个灾难性的保护
正常情况下，如启动时，功率损耗等，一
内部电压监控器已被列入该监控
自举电压时Si9910是处于低状态。该
Si9910不会为高的输入信号作出响应，直至电压
对自举电容足以全面提升
功率MOSFET的栅极。详情请参阅
应用笔记AN705 。
文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
引脚3 ： V
DD
V
DD
提供电源用于驱动的内部电路和
充电电流功率MOSFET的栅极电容。
该Si9910减少内部I
DD
在“开”状态
（栅极驱动器输出高电平） ，允许一个“浮动”电源
由电荷泵或自举技术来提供的。
引脚4 ：漏极
漏极是一个模拟输入到内部的dv / dt抑制电路。
一个外部电容器（C1）必须被用于保护输入
从暴露于高电压（ “关”状态）漏极和设置
的dv / dt的功率MOSFET的最大速率。如果dv / dt的反馈
不使用时，引脚4必须悬空。
5脚：我
SENSE
I
SENSE
在与外部电阻器组合（R
1)
可以防止潜在的灾难性的功率MOSFET
峰值电流。我
SENSE
是模拟反馈，限制电流
在功率MOSFET的过渡到“导通”状态。这是
用于保护功率MOSFET （在半桥
安排）从“直通”目前，从产生
多余的di / dt和T
rr
的反激式二极管或逻辑时序
重叠。跨（ R1 ）的0.8 - V的压降应说明当前
电平即最大允许大约4倍
负载电流。当我
SENSE
输入没有使用时，它应该是
连接到引脚6 （V
SS
).
引脚6 ： V
SS
V
SS
是司机的接地返回引脚。该应用图
说明V的连接
SS
对于源参考
www.vishay.com
4
Si9910
Vishay Siliconix公司
应用电路
V
DD
（12至15V）
D1
V
DD
V
DS
R3
漏
R4
引体向上
C2
输入
下拉
I
SENSE
C3
C1
R2
Q1
R1
V
DD
V
DS
Q2
漏
C4
R5
下拉
输入
I
SENSE
R1’
Q1’
引体向上
C1’
R2’
R3’
汽车
CMOS
逻辑
OSC
V
SS
C2 =自举帽
C3 =电荷泵帽
图1 。
高压半桥与Si9910驱动程序
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70009 。
文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
www.vishay.com
5
Si9910
Vishay Siliconix公司
自适应功率MOSFET驱动器
1
特点
D
dv / dt和di / dt的控制
D
欠压保护
D
短路保护
D
t
rr
直通电流限制
D
低静态电流
D
CMOS兼容输入
D
兼容MOSFET器件的宽范围
D
引导和电荷泵兼容
（高边驱动器）
描述
该Si9910功率MOSFET驱动器提供优化的栅极
驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。很
低静态电流由一个CMOS缓冲器，和一个设置
大电流发射极跟随器输出级。这种效率
允许在高电压应用的桥梁与操作
“引导”或“电荷泵”
浮动电源
技术。
非反相输出配置最小电流
漏为n沟道“ on”状态。逻辑输入是内部
二极管钳位，以允许在高边驱动器的简单的下拉。
故障保护电路检测到欠电压或输出
短路状态和关断功率MOSFET 。
增加一个外部电阻范围最大的di / dt的
外部功率MOSFET 。快速反馈电路，可用于
吨时，通过拍摄电流限制
rr
（二极管的反向恢复
时间），在桥配置。
该Si9910可在标准和铅（Pb ） - 免费
被指定为8引脚塑料DIP和SOIC封装
工作在工业温度范围
40
_C
to
85
_C.
功能框图
V
DS
V
DD
漏
欠压/
过电流
保护
R3
* 100千瓦
C1
* 2 5 pF的
引体向上
R2
*250
W
2-ms
延迟
下拉
I
SENSE
输入
R1
*0.1
W
V
SS
*典型值
1.专利号484116 。
文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
www.vishay.com
1
Si9910
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V
SS
针
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到18 V
销1 ，4，5 ，7，8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
DD
+ 0.3 V
引脚2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.7
V到V
DD
+ 0.3 V
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流（i
pk
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.6毫瓦/ _C以上25_C 。
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）
a
8引脚SOIC （Y后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
8引脚塑料DIP （J后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输入
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压滞后
高电平输入电流
低电平输入电流
V
IH
V
IL
V
h
I
IH
I
IL
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
0.90
0.70× V
DD
7.4
6.0
2.0
0.35 x垂直
DD
3.0
"1
"1
mA
V
范围
民
c
典型值
b
最大
c
单位
符号
V
DD
10.8 V至16.5 V
T
A
= OperatingTemperature范围
产量
高电平输出电压
低电平输出电压
欠压锁定
I
SENSE
引脚门限
电压漏 - 源最大
输入电流V
DS
输入
峰值输出电流源
峰值输出灌电流
V
OH
V
OL
V
UVLO
V
TH
V
DS
I
VDS
I
OS +
I
OS-
我最大
S
= 2毫安，输入高
100 mV的变化对漏
输入高
I
OH
=
200
mA
I
OL
= 200毫安
8.3
0.5
8.3
V
DD
3
10.7
1.3
9.2
0.66
9.1
12
1
1
3
10.6
0.8
10.2
20.0
mA
A
V
供应
供应范围
电源电流
V
DD
I
DD1
I
DD2
输出高，空载
输出低，空载
10.8
0.1
100
16.5
1
500
V
mA
动态
传播延迟时间从低到高的水平
传播延迟时间高到低级别
上升时间
下降时间
过电流检测延迟（V
DS
)
输入电容
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
t
DS
C
in
C
L
= 2000 pF的
120
135
50
35
1
5
mS
pF
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
www.vishay.com
文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
2
Si9910
Vishay Siliconix公司
AC测试条件
IN
（ IN = L）的
50%
t
PLH
90%
t
PHL
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
t
r
t
f
OUT
10%
引脚配置和订购信息
PDIP-8
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
SOIC-8
8
7
6
5
顶视图
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
订购信息
产品型号
Si9910DY
Si9910DY-T1
Si9910DY-T1—E3
Si9910DJ
Si9910DJ—E3
40
至85℃
PDIP-8
PDIP 8
SOIC-8
温度范围
包
文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
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3
Si9910
Vishay Siliconix公司
引脚说明
引脚1 ： V
DS
引脚1或V
DS
是检测输入的最大源极 - 漏极
电压限制。后输入高电平的跳变2微秒
销2 ，一个内部定时器使在V
DS （ MAX）
检测电路。一
灾难性的过电流条件下，过量的导通电阻，
或不充分的栅极驱动电压可以通过限制被检测
穿过功率MOSFET的最大电压降。一
外部电阻（ R3 ）是需要保护的PIN码1
MOSFET的“关闭”状态时的过电压。超额
V
DS （ MAX）
锁存Si9910 “关”。关于驱动器被重新启用
接下来的正型引脚2.将输入引脚。如果1没有被使用，就必须
连接到引脚6 （V
SS
).
PIN 2 ：输入
非反相施密特触发输入控制的状态
MOSFET栅极驱动器输出和使能保护逻辑。
当输入为低（ⅴ V
IL
), V
DD
被监测的
欠压状态（充电不足的引导
电容） 。如果欠压（ V V
DD （ MIN ）
）条件存在，
该驱动程序将忽略导通的输入信号。欠压
(v V
DD （ MIN ）
在一个“开”的状态将不被检测到）的条件。
“浮动”
应用
（半桥，高侧）
和
接地参考的应用程序（半桥，低侧） 。
引脚7 ：下拉
引脚8 ：上拉
上拉和下拉输出，共同提供动力
MOSFET栅极充电和放电电流。转
“开”或“关”的di / dt ，可以通过增加电阻的限制（注册商标
2
）在
系列具有适当的输出。
应用
“浮”高边驱动器的应用
这表现在图1中， Si9910旨在用于
同时作为参考接地的栅极驱动器和作为“高边”
在半桥应用或源参考的栅极驱动器。
该Si9910的几个特点使得它在半桥使用
高侧驱动器应用。
隔离浮动电源的简单，廉价的方法
在高边驱动器的应用程序的Si9910电源必须是
提供的。因此， Si9910被设计成
用两种最常用的浮动兼容
供应技术：引导和电荷泵。两
这些技术具有局限性单独使用时。一
正确设计的自举电路可以提供
最大限度地减少了转换损耗，低阻抗驱动器
该电荷泵电路提供静态操作。
该Si9910配置成采取任何漂浮的优点
如果该应用程序是不敏感的供应技术的
特别的限制，或者这两种技术，如果开关损耗
必须最小化和静态操作是必要的。该
上面的示意图显示了两个电荷泵和
配合使用的Si9910在一个自举电路
高侧驱动器的应用程序。
输入信号的电平移位是通过一被动
拉（R 4）和n沟道MOSFET （ Q2），用于在下拉
低于500 V.总节点电容定义的应用程序
R4的值需要保证输入转换速率
安全地超过输出的最大dv / dt的速率
半桥。使用电平转换器件具有更高的电流
能力，可能需要加入限流
组分如R 5 。
自举欠压锁定
当使用一个自举电容器作为高侧浮
供给，必须小心，以确保时间可用来
充值开启的前自举电容
高边MOSFET 。作为一个灾难性的保护
正常情况下，如启动时，功率损耗等，一
内部电压监控器已被列入该监控
自举电压时Si9910是处于低状态。该
Si9910不会为高的输入信号作出响应，直至电压
对自举电容足以全面提升
功率MOSFET的栅极。详情请参阅
应用笔记AN705 。
文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
引脚3 ： V
DD
V
DD
提供电源用于驱动的内部电路和
充电电流功率MOSFET的栅极电容。
该Si9910减少内部I
DD
在“开”状态
（栅极驱动器输出高电平） ，允许一个“浮动”电源
由电荷泵或自举技术来提供的。
引脚4 ：漏极
漏极是一个模拟输入到内部的dv / dt抑制电路。
一个外部电容器（C1）必须被用于保护输入
从暴露于高电压（ “关”状态）漏极和设置
的dv / dt的功率MOSFET的最大速率。如果dv / dt的反馈
不使用时，引脚4必须悬空。
5脚：我
SENSE
I
SENSE
在与外部电阻器组合（R
1)
可以防止潜在的灾难性的功率MOSFET
峰值电流。我
SENSE
是模拟反馈，限制电流
在功率MOSFET的过渡到“导通”状态。这是
用于保护功率MOSFET （在半桥
安排）从“直通”目前，从产生
多余的di / dt和T
rr
的反激式二极管或逻辑时序
重叠。跨（ R1 ）的0.8 - V的压降应说明当前
电平即最大允许大约4倍
负载电流。当我
SENSE
输入没有使用时，它应该是
连接到引脚6 （V
SS
).
引脚6 ： V
SS
V
SS
是司机的接地返回引脚。该应用图
说明V的连接
SS
对于源参考
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4
Si9910
Vishay Siliconix公司
应用电路
V
DD
（12至15V）
D1
V
DD
V
DS
R3
漏
R4
引体向上
C2
输入
下拉
I
SENSE
C3
C1
R2
Q1
R1
V
DD
V
DS
Q2
漏
C4
R5
下拉
输入
I
SENSE
R1’
Q1’
引体向上
C1’
R2’
R3’
汽车
CMOS
逻辑
OSC
V
SS
C2 =自举帽
C3 =电荷泵帽
图1 。
高压半桥与Si9910驱动程序
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70009 。
文档编号： 70009
S- 42043 -REV 。 H， 15月， 04
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Si9910
Vishay Siliconix公司
自适应功率MOSFET驱动器
1
特点
D
dv / dt和di / dt的控制
D
欠压保护
D
短路保护
D
t
rr
直通电流限制
D
低静态电流
D
CMOS兼容输入
D
兼容MOSFET器件的宽范围
D
引导和电荷泵兼容
（高边驱动器）
描述
该Si9910功率MOSFET驱动器提供优化的栅极
驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。很
低静态电流由一个CMOS缓冲器，和一个设置
大电流发射极跟随器输出级。这种效率
允许在高电压应用的桥梁与操作
“引导”或“电荷泵”
浮动电源
技术。
非反相输出配置最小电流
漏为n沟道“ on”状态。逻辑输入是内部
二极管钳位，以允许在高边驱动器的简单的下拉。
故障保护电路检测到欠电压或输出
短路状态和关断功率MOSFET 。
增加一个外部电阻范围最大的di / dt的
外部功率MOSFET 。快速反馈电路，可用于
吨时，通过拍摄电流限制
rr
（二极管的反向恢复
时间），在桥配置。
该Si9910采用8引脚塑料DIP和SOIC封装
封装，规定工作在工业，D后缀（ -40
至+85 C ）温度范围。采用SOIC - 8两种封装
标准和铅（Pb ） - 免费选项。
功能框图
V
DS
V
DD
漏
欠压/
过电流
保护
R3
* 100千瓦
C1
* 2 5 pF的
引体向上
R2
*250
W
2-ms
延迟
下拉
I
SENSE
输入
R1
*0.1
W
V
SS
*典型值
1.专利号484116 。
文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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1
Si9910
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V
SS
针
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到18 V
销1 ，4，5 ，7，8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
DD
+ 0.3 V
引脚2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.7
V到V
DD
+ 0.3 V
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流（i
pk
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）
a
8引脚SOIC （Y后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
8引脚塑料DIP （J后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.6毫瓦/ _C以上25_C 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输入
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压滞后
高电平输入电流
低电平输入电流
V
IH
V
IL
V
h
I
IH
I
IL
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
0.90
0.70× V
DD
7.4
6.0
2.0
0.35 x垂直
DD
3.0
"1
"1
mA
V
范围
民
c
典型值
b
最大
c
单位
符号
V
DD
10.8 V至16.5 V
T
A
= OperatingTemperature范围
产量
高电平输出电压
低电平输出电压
欠压锁定
I
SENSE
引脚门限
电压漏 - 源最大
输入电流V
DS
输入
峰值输出电流源
峰值输出灌电流
V
OH
V
OL
V
UVLO
V
TH
V
DS
I
VDS
I
OS +
I
OS-
我最大
S
= 2毫安，输入高
100 mV的变化对漏
输入高
I
OH
=
200
mA
I
OL
= 200毫安
8.3
0.5
8.3
V
DD
3
10.7
1.3
9.2
0.66
9.1
12
1
1
3
10.6
0.8
10.2
20.0
mA
A
V
供应
供应范围
电源电流
V
DD
I
DD1
I
DD2
输出高，空载
输出低，空载
10.8
0.1
100
16.5
1
500
V
mA
动态
传播延迟时间从低到高的水平
传播延迟时间高到低级别
上升时间
下降时间
过电流检测延迟（V
DS
)
输入电容
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
t
DS
C
in
C
L
= 2000 pF的
120
135
50
35
1
5
mS
pF
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
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文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
Si9910
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AC测试条件
IN
（ IN = L）的
50%
t
PLH
90%
t
PHL
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
t
r
t
f
OUT
10%
引脚配置和订购信息
PDIP-8
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
SOIC-8
8
7
6
5
顶视图
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
订购信息
产品型号
Si9910DY
Si9910DY-T1
Si9910DY-T1—E3
Si9910DJ
Si9910DJ-T1
40
至85℃
PDIP-8
PDIP 8
SOIC-8
温度范围
包
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S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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Si9910
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引脚说明
引脚1 ： V
DS
引脚1或V
DS
是检测输入的最大源极 - 漏极
电压限制。后输入高电平的跳变2微秒
销2 ，一个内部定时器使在V
DS （ MAX）
检测电路。一
灾难性的过电流条件下，过量的导通电阻，
或不充分的栅极驱动电压可以通过限制被检测
穿过功率MOSFET的最大电压降。一
外部电阻（ R3 ）是需要保护的PIN码1
MOSFET的“关闭”状态时的过电压。超额
V
DS （ MAX）
锁存Si9910 “关”。关于驱动器被重新启用
接下来的正型引脚2.将输入引脚。如果1没有被使用，就必须
连接到引脚6 （V
SS
).
PIN 2 ：输入
非反相施密特触发输入控制的状态
MOSFET栅极驱动器输出和使能保护逻辑。
当输入为低（ⅴ V
IL
), V
DD
被监测的
欠压状态（充电不足的引导
电容） 。如果欠压（ V V
DD （ MIN ）
）条件存在，
该驱动程序将忽略导通的输入信号。欠压
(v V
DD （ MIN ）
在一个“开”的状态将不被检测到）的条件。
“浮动”
应用
（半桥，高侧）
和
接地参考的应用程序（半桥，低侧） 。
引脚7 ：下拉
引脚8 ：上拉
上拉和下拉输出，共同提供动力
MOSFET栅极充电和放电电流。转
“开”或“关”的di / dt ，可以通过增加电阻的限制（注册商标
2
）在
系列具有适当的输出。
应用
“浮”高边驱动器的应用
这表现在图1中， Si9910旨在用于
同时作为参考接地的栅极驱动器和作为“高边”
在半桥应用或源参考的栅极驱动器。
该Si9910的几个特点使得它在半桥使用
高侧驱动器应用。
隔离浮动电源的简单，廉价的方法
在高边驱动器的应用程序的Si9910电源必须是
提供的。因此， Si9910被设计成
用两种最常用的浮动兼容
供应技术：引导和电荷泵。两
这些技术具有局限性单独使用时。一
正确设计的自举电路可以提供
最大限度地减少了转换损耗，低阻抗驱动器
该电荷泵电路提供静态操作。
该Si9910配置成采取任何漂浮的优点
如果该应用程序是不敏感的供应技术的
特别的限制，或者这两种技术，如果开关损耗
必须最小化和静态操作是必要的。该
上面的示意图显示了两个电荷泵和
配合使用的Si9910在一个自举电路
高侧驱动器的应用程序。
输入信号的电平移位是通过一被动
拉（R 4）和n沟道MOSFET （ Q2），用于在下拉
低于500 V.总节点电容定义的应用程序
R4的值需要保证输入转换速率
安全地超过输出的最大dv / dt的速率
半桥。使用电平转换器件具有更高的电流
能力，可能需要加入限流
组分如R 5 。
自举欠压锁定
当使用一个自举电容器作为高侧浮
供给，必须小心，以确保时间可用来
充值开启的前自举电容
高边MOSFET 。作为一个灾难性的保护
正常情况下，如启动时，功率损耗等，一
内部电压监控器已被列入该监控
自举电压时Si9910是处于低状态。该
Si9910不会为高的输入信号作出响应，直至电压
对自举电容足以全面提升
功率MOSFET的栅极。详情请参阅
应用笔记AN705 。
文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
引脚3 ： V
DD
V
DD
提供电源用于驱动的内部电路和
充电电流功率MOSFET的栅极电容。
该Si9910减少内部I
DD
在“开”状态
（栅极驱动器输出高电平） ，允许一个“浮动”电源
由电荷泵或自举技术来提供的。
引脚4 ：漏极
漏极是一个模拟输入到内部的dv / dt抑制电路。
一个外部电容器（C1）必须被用于保护输入
从暴露于高电压（ “关”状态）漏极和设置
的dv / dt的功率MOSFET的最大速率。如果dv / dt的反馈
不使用时，引脚4必须悬空。
5脚：我
SENSE
I
SENSE
在与外部电阻器组合（R
1)
可以防止潜在的灾难性的功率MOSFET
峰值电流。我
SENSE
是模拟反馈，限制电流
在功率MOSFET的过渡到“导通”状态。这是
用于保护功率MOSFET （在半桥
安排）从“直通”目前，从产生
多余的di / dt和T
rr
的反激式二极管或逻辑时序
重叠。跨（ R1 ）的0.8 - V的压降应说明当前
电平即最大允许大约4倍
负载电流。当我
SENSE
输入没有使用时，它应该是
连接到引脚6 （V
SS
).
引脚6 ： V
SS
V
SS
是司机的接地返回引脚。该应用图
说明V的连接
SS
对于源参考
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4
Si9910
Vishay Siliconix公司
应用电路
V
DD
（12至15V）
D1
V
DD
V
DS
R3
漏
R4
引体向上
C2
输入
下拉
I
SENSE
C3
C1
R2
Q1
R1
V
DD
V
DS
Q2
漏
C4
R5
下拉
输入
I
SENSE
R1’
Q1’
引体向上
C1’
R2’
R3’
汽车
CMOS
逻辑
OSC
V
SS
C2 =自举帽
C3 =电荷泵帽
图1 。
高压半桥与Si9910驱动程序
文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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5
Si9910
Vishay Siliconix公司
自适应功率MOSFET驱动器
1
特点
D
dv / dt和di / dt的控制
D
欠压保护
D
短路保护
D
t
rr
直通电流限制
D
低静态电流
D
CMOS兼容输入
D
兼容MOSFET器件的宽范围
D
引导和电荷泵兼容
（高边驱动器）
描述
该Si9910功率MOSFET驱动器提供优化的栅极
驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。很
低静态电流由一个CMOS缓冲器，和一个设置
大电流发射极跟随器输出级。这种效率
允许在高电压应用的桥梁与操作
“引导”或“电荷泵”
浮动电源
技术。
非反相输出配置最小电流
漏为n沟道“ on”状态。逻辑输入是内部
二极管钳位，以允许在高边驱动器的简单的下拉。
故障保护电路检测到欠电压或输出
短路状态和关断功率MOSFET 。
增加一个外部电阻范围最大的di / dt的
外部功率MOSFET 。快速反馈电路，可用于
吨时，通过拍摄电流限制
rr
（二极管的反向恢复
时间），在桥配置。
该Si9910采用8引脚塑料DIP和SOIC封装
封装，规定工作在工业，D后缀（ -40
至+85 C ）温度范围。采用SOIC - 8两种封装
标准和铅（Pb ） - 免费选项。
功能框图
V
DS
V
DD
漏
欠压/
过电流
保护
R3
* 100千瓦
C1
* 2 5 pF的
引体向上
R2
*250
W
2-ms
延迟
下拉
I
SENSE
输入
R1
*0.1
W
V
SS
*典型值
1.专利号484116 。
文档编号： 70009
S- 40707 -REV 。 G， 19 -APR- 04
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1
Si9910
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绝对最大额定值
电压参考V
SS
针
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到18 V
销1 ，4，5 ，7，8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
DD
+ 0.3 V
引脚2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.7
V到V
DD
+ 0.3 V
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"20
mA
峰值电流（i
pk
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）
a
8引脚SOIC （Y后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
8引脚塑料DIP （J后缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫瓦
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.6毫瓦/ _C以上25_C 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输入
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压滞后
高电平输入电流
低电平输入电流
V
IH
V
IL
V
h
I
IH
I
IL
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
0.90
0.70× V
DD
7.4
6.0
2.0
0.35 x垂直
DD
3.0
"1
"1
mA
V
范围
民
c
典型值
b
最大
c
单位
符号
V
DD
10.8 V至16.5 V
T
A
= OperatingTemperature范围
产量
高电平输出电压
低电平输出电压
欠压锁定
I
SENSE
引脚门限
电压漏 - 源最大
输入电流V
DS
输入
峰值输出电流源
峰值输出灌电流
V
OH
V
OL
V
UVLO
V
TH
V
DS
I
VDS
I
OS +
I
OS-
我最大
S
= 2毫安，输入高
100 mV的变化对漏
输入高
I
OH
=
200
mA
I
OL
= 200毫安
8.3
0.5
8.3
V
DD
3
10.7
1.3
9.2
0.66
9.1
12
1
1
3
10.6
0.8
10.2
20.0
mA
A
V
供应
供应范围
电源电流
V
DD
I
DD1
I
DD2
输出高，空载
输出低，空载
10.8
0.1
100
16.5
1
500
V
mA
动态
传播延迟时间从低到高的水平
传播延迟时间高到低级别
上升时间
下降时间
过电流检测延迟（V
DS
)
输入电容
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
t
DS
C
in
C
L
= 2000 pF的
120
135
50
35
1
5
mS
pF
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
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2
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Si9910
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AC测试条件
IN
（ IN = L）的
50%
t
PLH
90%
t
PHL
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
t
r
t
f
OUT
10%
引脚配置和订购信息
PDIP-8
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
V
DS
输入
V
DD
漏
1
2
3
4
SOIC-8
8
7
6
5
顶视图
引体向上
下拉
V
SS
I
SENSE
订购信息
产品型号
Si9910DY
Si9910DY-T1
Si9910DY-T1—E3
Si9910DJ
Si9910DJ-T1
40
至85℃
PDIP-8
PDIP 8
SOIC-8
温度范围
包
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3
Si9910
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引脚说明
引脚1 ： V
DS
引脚1或V
DS
是检测输入的最大源极 - 漏极
电压限制。后输入高电平的跳变2微秒
销2 ，一个内部定时器使在V
DS （ MAX）
检测电路。一
灾难性的过电流条件下，过量的导通电阻，
或不充分的栅极驱动电压可以通过限制被检测
穿过功率MOSFET的最大电压降。一
外部电阻（ R3 ）是需要保护的PIN码1
MOSFET的“关闭”状态时的过电压。超额
V
DS （ MAX）
锁存Si9910 “关”。关于驱动器被重新启用
接下来的正型引脚2.将输入引脚。如果1没有被使用，就必须
连接到引脚6 （V
SS
).
PIN 2 ：输入
非反相施密特触发输入控制的状态
MOSFET栅极驱动器输出和使能保护逻辑。
当输入为低（ⅴ V
IL
), V
DD
被监测的
欠压状态（充电不足的引导
电容） 。如果欠压（ V V
DD （ MIN ）
）条件存在，
该驱动程序将忽略导通的输入信号。欠压
(v V
DD （ MIN ）
在一个“开”的状态将不被检测到）的条件。
“浮动”
应用
（半桥，高侧）
和
接地参考的应用程序（半桥，低侧） 。
引脚7 ：下拉
引脚8 ：上拉
上拉和下拉输出，共同提供动力
MOSFET栅极充电和放电电流。转
“开”或“关”的di / dt ，可以通过增加电阻的限制（注册商标
2
）在
系列具有适当的输出。
应用
“浮”高边驱动器的应用
这表现在图1中， Si9910旨在用于
同时作为参考接地的栅极驱动器和作为“高边”
在半桥应用或源参考的栅极驱动器。
该Si9910的几个特点使得它在半桥使用
高侧驱动器应用。
隔离浮动电源的简单，廉价的方法
在高边驱动器的应用程序的Si9910电源必须是
提供的。因此， Si9910被设计成
用两种最常用的浮动兼容
供应技术：引导和电荷泵。两
这些技术具有局限性单独使用时。一
正确设计的自举电路可以提供
最大限度地减少了转换损耗，低阻抗驱动器
该电荷泵电路提供静态操作。
该Si9910配置成采取任何漂浮的优点
如果该应用程序是不敏感的供应技术的
特别的限制，或者这两种技术，如果开关损耗
必须最小化和静态操作是必要的。该
上面的示意图显示了两个电荷泵和
配合使用的Si9910在一个自举电路
高侧驱动器的应用程序。
输入信号的电平移位是通过一被动
拉（R 4）和n沟道MOSFET （ Q2），用于在下拉
低于500 V.总节点电容定义的应用程序
R4的值需要保证输入转换速率
安全地超过输出的最大dv / dt的速率
半桥。使用电平转换器件具有更高的电流
能力，可能需要加入限流
组分如R 5 。
自举欠压锁定
当使用一个自举电容器作为高侧浮
供给，必须小心，以确保时间可用来
充值开启的前自举电容
高边MOSFET 。作为一个灾难性的保护
正常情况下，如启动时，功率损耗等，一
内部电压监控器已被列入该监控
自举电压时Si9910是处于低状态。该
Si9910不会为高的输入信号作出响应，直至电压
对自举电容足以全面提升
功率MOSFET的栅极。详情请参阅
应用笔记AN705 。
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引脚3 ： V
DD
V
DD
提供电源用于驱动的内部电路和
充电电流功率MOSFET的栅极电容。
该Si9910减少内部I
DD
在“开”状态
（栅极驱动器输出高电平） ，允许一个“浮动”电源
由电荷泵或自举技术来提供的。
引脚4 ：漏极
漏极是一个模拟输入到内部的dv / dt抑制电路。
一个外部电容器（C1）必须被用于保护输入
从暴露于高电压（ “关”状态）漏极和设置
的dv / dt的功率MOSFET的最大速率。如果dv / dt的反馈
不使用时，引脚4必须悬空。
5脚：我
SENSE
I
SENSE
在与外部电阻器组合（R
1)
可以防止潜在的灾难性的功率MOSFET
峰值电流。我
SENSE
是模拟反馈，限制电流
在功率MOSFET的过渡到“导通”状态。这是
用于保护功率MOSFET （在半桥
安排）从“直通”目前，从产生
多余的di / dt和T
rr
的反激式二极管或逻辑时序
重叠。跨（ R1 ）的0.8 - V的压降应说明当前
电平即最大允许大约4倍
负载电流。当我
SENSE
输入没有使用时，它应该是
连接到引脚6 （V
SS
).
引脚6 ： V
SS
V
SS
是司机的接地返回引脚。该应用图
说明V的连接
SS
对于源参考
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Si9910
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应用电路
V
DD
（12至15V）
D1
V
DD
V
DS
R3
漏
R4
引体向上
C2
输入
下拉
I
SENSE
C3
C1
R2
Q1
R1
V
DD
V
DS
Q2
漏
C4
R5
下拉
输入
I
SENSE
R1’
Q1’
引体向上
C1’
R2’
R3’
汽车
CMOS
逻辑
OSC
V
SS
C2 =自举帽
C3 =电荷泵帽
图1 。
高压半桥与Si9910驱动程序
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