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Si9529DY
双N沟道和P沟道2.5 -V （G -S ）额定MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
20
r
DS （ ON）
(W)
0.03 @ V
GS
= 4.5 V
0.04
@ V
GS
= 2.5 V
0.05 @ V
GS
= –4.5 V
0.074 @ V
GS
= –2.5 V
I
D
(A)
"6
"5.2
"5
"4.1
D
1
D
1
S
2
P沟道
P沟道
–12
12
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
P沟道MOSFET
G
2
G
1
绝对最大额定值（
T
A
= 25 ° C除非另有说明
)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"8
"6
"4.8
"20
1.7
2.0
1.3
P沟道
–12
"8
"5
"4.0
"20
–1.7
单位
V
A
W
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70161 。
符号
R
thJA
N或P沟道
62.5
单位
° C / W
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
1
Si9529DY
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V V
GS
=
"8
V
V,
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
在国家漏极电流
b
导通状态
I
D( )
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.2 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –4.1 A
正向跨导
b
g
f
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
DS
= -9 V，I
D
= –5 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
–20
0.023
0.039
0.028
0.051
24
16
0.75
–0.75
1.2
–1.2
V
S
0.03
0.05
0.04
0.074
W
A
0.6
–0.6
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体
门体漏
I
GSS
nA
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
门源电荷
栅极 - 源
Q
gs
P沟道
V
DS
= –6 V V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5A
6 V,
45V
5A
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
Q
gd
d
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
CH
l
V
DD
= 10 V ，R
L
=
10 W
,
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
1
4.5
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
21
21
2.9
3
6.5
6
30
20
70
40
70
100
30
60
70
67
60
40
140
80
140
200
60
120
100
100
ns
nC
40
40
开启
打开延迟时间
t
d( )
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF
关闭延迟时间
t
D（ FF）
D（关闭）
下降时间
t
f
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
t
rr
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
2
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
Si9529DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
20
N沟道
输出特性
V
GS
= 4.5, 4, 3.5, 3, 2.5 V
2V
20
传输特性
16
15
I
D
- 漏极电流（ A）
12
I
D
- 漏极电流（ A）
10
8
5
T
C
= 125_C
25_C
4
1.5 V
1.0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
–55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.05
导通电阻与漏电流
3000
2500
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.02
0.03
C
国际空间站
C
OSS
500
0
C
RSS
0.01
0
0
5
10
I
D
- 漏极电流（ A）
15
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6 A
栅极电荷
1.8
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
–50
导通电阻与结温
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0
50
100
150
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
3
Si9529DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.10
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
0.06
0.04
I
D
=
6
A
0.02
T
J
= 25_C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
阈值电压
30
I
D
= 250
mA
单脉冲功率
24
功率（W）的
18
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–50
12
6
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
Si9529DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
20
P沟道
输出特性
V
GS
= 5, 4.5, 4, 3.5, 3 V
2.5 V
20
传输特性
16
15
I
D
- 漏极电流（ A）
12
I
D
- 漏极电流（ A）
10
8
2V
5
4
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
1V
1.5 V
0
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0.5
1.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.10
导通电阻与漏电流
3000
2500
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
0
C
RSS
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.04
0.06
C
国际空间站
C
OSS
0.02
0
0
5
10
I
D
- 漏极电流（ A）
15
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5 A
栅极电荷
1.8
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
–50
导通电阻与结温
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0
50
100
150
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
5
Si9529DY
双N沟道和P沟道2.5 -V （G -S ）额定MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
20
r
DS （ ON）
(W)
0.03 @ V
GS
= 4.5 V
0.04
@ V
GS
= 2.5 V
0.05 @ V
GS
= –4.5 V
0.074 @ V
GS
= –2.5 V
I
D
(A)
"6
"5.2
"5
"4.1
D
1
D
1
S
2
P沟道
P沟道
–12
12
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
P沟道MOSFET
G
2
G
1
绝对最大额定值（
T
A
= 25 ° C除非另有说明
)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"8
"6
"4.8
"20
1.7
2.0
1.3
P沟道
–12
"8
"5
"4.0
"20
–1.7
单位
V
A
W
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70161 。
符号
R
thJA
N或P沟道
62.5
单位
° C / W
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
1
Si9529DY
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V V
GS
=
"8
V
V,
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
在国家漏极电流
b
导通状态
I
D( )
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.2 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –4.1 A
正向跨导
b
g
f
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
DS
= -9 V，I
D
= –5 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
–20
0.023
0.039
0.028
0.051
24
16
0.75
–0.75
1.2
–1.2
V
S
0.03
0.05
0.04
0.074
W
A
0.6
–0.6
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体
门体漏
I
GSS
nA
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
门源电荷
栅极 - 源
Q
gs
P沟道
V
DS
= –6 V V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5A
6 V,
45V
5A
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
Q
gd
d
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
CH
l
V
DD
= 10 V ，R
L
=
10 W
,
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
1
4.5
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
21
21
2.9
3
6.5
6
30
20
70
40
70
100
30
60
70
67
60
40
140
80
140
200
60
120
100
100
ns
nC
40
40
开启
打开延迟时间
t
d( )
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF
关闭延迟时间
t
D（ FF）
D（关闭）
下降时间
t
f
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
t
rr
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
2
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
Si9529DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
20
N沟道
输出特性
V
GS
= 4.5, 4, 3.5, 3, 2.5 V
2V
20
传输特性
16
15
I
D
- 漏极电流（ A）
12
I
D
- 漏极电流（ A）
10
8
5
T
C
= 125_C
25_C
4
1.5 V
1.0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
–55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.05
导通电阻与漏电流
3000
2500
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.02
0.03
C
国际空间站
C
OSS
500
0
C
RSS
0.01
0
0
5
10
I
D
- 漏极电流（ A）
15
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6 A
栅极电荷
1.8
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
–50
导通电阻与结温
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0
50
100
150
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
3
Si9529DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.10
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
0.06
0.04
I
D
=
6
A
0.02
T
J
= 25_C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
阈值电压
30
I
D
= 250
mA
单脉冲功率
24
功率（W）的
18
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–50
12
6
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
Si9529DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
20
P沟道
输出特性
V
GS
= 5, 4.5, 4, 3.5, 3 V
2.5 V
20
传输特性
16
15
I
D
- 漏极电流（ A）
12
I
D
- 漏极电流（ A）
10
8
2V
5
4
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
1V
1.5 V
0
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0.5
1.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.10
导通电阻与漏电流
3000
2500
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
0
C
RSS
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.04
0.06
C
国际空间站
C
OSS
0.02
0
0
5
10
I
D
- 漏极电流（ A）
15
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5 A
栅极电荷
1.8
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
–50
导通电阻与结温
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0
50
100
150
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
5
Si9529DY
双N沟道和P沟道2.5 -V （G -S ）额定MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
20
r
DS （ ON）
(W)
0.03 @ V
GS
= 4.5 V
0.04
@ V
GS
= 2.5 V
0.05 @ V
GS
= –4.5 V
0.074 @ V
GS
= –2.5 V
I
D
(A)
"6
"5.2
"5
"4.1
D
1
D
1
S
2
P沟道
P沟道
–12
12
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
S
1
N沟道MOSFET
D
2
D
2
P沟道MOSFET
G
2
G
1
绝对最大额定值（
T
A
= 25 ° C除非另有说明
)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
20
"8
"6
"4.8
"20
1.7
2.0
1.3
P沟道
–12
"8
"5
"4.0
"20
–1.7
单位
V
A
W
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70161 。
符号
R
thJA
N或P沟道
62.5
单位
° C / W
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
1
Si9529DY
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V V
GS
=
"8
V
V,
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
在国家漏极电流
b
导通状态
I
D( )
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.2 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –4.1 A
正向跨导
b
g
f
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
DS
= -9 V，I
D
= –5 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
–20
0.023
0.039
0.028
0.051
24
16
0.75
–0.75
1.2
–1.2
V
S
0.03
0.05
0.04
0.074
W
A
0.6
–0.6
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体
门体漏
I
GSS
nA
二极管的正向电压
b
V
SD
动态
a
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
门源电荷
栅极 - 源
Q
gs
P沟道
V
DS
= –6 V V
GS
= -4.5 V，I
D
= –5A
6 V,
45V
5A
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
Q
gd
d
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
CH
l
V
DD
= 10 V ，R
L
=
10 W
,
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
1
4.5
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
21
21
2.9
3
6.5
6
30
20
70
40
70
100
30
60
70
67
60
40
140
80
140
200
60
120
100
100
ns
nC
40
40
开启
打开延迟时间
t
d( )
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF
关闭延迟时间
t
D（ FF）
D（关闭）
下降时间
t
f
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
t
rr
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
2
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 D， 18日-12月96
Si9529DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
20
N沟道
输出特性
V
GS
= 4.5, 4, 3.5, 3, 2.5 V
2V
20
传输特性
16
15
I
D
- 漏极电流（ A）
12
I
D
- 漏极电流（ A）
10
8
5
T
C
= 125_C
25_C
4
1.5 V
1.0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
–55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.05
导通电阻与漏电流
3000
2500
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.02
0.03
C
国际空间站
C
OSS
500
0
C
RSS
0.01
0
0
5
10
I
D
- 漏极电流（ A）
15
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6 A
栅极电荷
1.8
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
–50
导通电阻与结温
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0
50
100
150
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
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3
Si9529DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.10
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
0.06
0.04
I
D
=
6
A
0.02
T
J
= 25_C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
阈值电压
30
I
D
= 250
mA
单脉冲功率
24
功率（W）的
18
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–50
12
6
0
50
T
J
- 温度（ _C ）
100
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
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Si9529DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
20
P沟道
输出特性
V
GS
= 5, 4.5, 4, 3.5, 3 V
2.5 V
20
传输特性
16
15
I
D
- 漏极电流（ A）
12
I
D
- 漏极电流（ A）
10
8
2V
5
4
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
1V
1.5 V
0
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0.5
1.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.10
导通电阻与漏电流
3000
2500
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
0
C
RSS
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.04
0.06
C
国际空间站
C
OSS
0.02
0
0
5
10
I
D
- 漏极电流（ A）
15
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 5 A
栅极电荷
1.8
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
–50
导通电阻与结温
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5 A
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0
50
100
150
T
J
=结温（ ° C）
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SD253R14S20MV
ST92T195B7B1
SN74ACT241DBLE
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SEMIX251GD126HDS_07
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VISHAY/威世
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23000
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