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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第294页 > SI9428DY-T1
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.03 @ V
GS
= 4.5 V
0.04 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
6
5.2
D
1
D
1
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
1
订购信息： Si9428DY
Si9428DY -T1 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
20
"8
6
4.8
20
1.7
2.5
1.6
- 55 150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
t
v10
美国证券交易委员会
稳定状态
R
thJA
70
符号
典型
最大
50
单位
° C / W
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v10
美国证券交易委员会。
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
1
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
Static-0.6
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.2 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
20
0.023
0.028
24
0.75
1.2
0.03
0.04
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
1
30
70
70
30
70
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
21
2.9
6.5
3.4
60
140
140
60
100
ns
W
40
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 4.5, 4, 3.5, 3, 2.5 V
2V
16
15
I D - 漏电流（ A）
12
I D - 漏电流（ A）
20
传输特性
10
8
5
T
C
= 125_C
25_C
- 55_C
4
1.5 V
1, 0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.05
3000
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.04
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5 V
0.03
V
GS
= 4.5 V
0.02
2500
2000
1500
C
国际空间站
1000
C
OSS
500
C
RSS
0.01
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 6 A
1.8
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
4
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
5
10
15
20
25
0.6
- 50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
3
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
10
I S - 源电流（ A）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
0.06
0.04
I
D
= 6 A
0.02
T
J
= 25_C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
48
60
单脉冲功率
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
- 0.0
功率（W）的
36
- 0.2
24
- 0.4
- 0.6
12
- 0.8
- 50
0
0
50
T
J
- 温度（℃ ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
=
70
° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
4
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.03 @ V
GS
= 4.5 V
0.04 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
6
5.2
D
1
D
1
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
1
订购信息： Si9428DY
Si9428DY -T1 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
20
"8
6
4.8
20
1.7
2.5
1.6
- 55 150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
t
v10
美国证券交易委员会
稳定状态
R
thJA
70
符号
典型
最大
50
单位
° C / W
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v10
美国证券交易委员会。
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
1
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
Static-0.6
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.2 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
20
0.023
0.028
24
0.75
1.2
0.03
0.04
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
1
30
70
70
30
70
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
21
2.9
6.5
3.4
60
140
140
60
100
ns
W
40
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 4.5, 4, 3.5, 3, 2.5 V
2V
16
15
I D - 漏电流（ A）
12
I D - 漏电流（ A）
20
传输特性
10
8
5
T
C
= 125_C
25_C
- 55_C
4
1.5 V
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0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.05
3000
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.04
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5 V
0.03
V
GS
= 4.5 V
0.02
2500
2000
1500
C
国际空间站
1000
C
OSS
500
C
RSS
0.01
0.00
0
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I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 6 A
1.8
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
4
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
5
10
15
20
25
0.6
- 50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
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3
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
10
I S - 源电流（ A）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
0.06
0.04
I
D
= 6 A
0.02
T
J
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1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
48
60
单脉冲功率
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
- 0.0
功率（W）的
36
- 0.2
24
- 0.4
- 0.6
12
- 0.8
- 50
0
0
50
T
J
- 温度（℃ ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
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0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
=
70
° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
4
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.03 @ V
GS
= 4.5 V
0.04 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
6
5.2
D
1
D
1
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
1
订购信息： Si9428DY
Si9428DY -T1 （带编带和卷轴）
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
20
"8
6
4.8
20
1.7
2.5
1.6
- 55 150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
t
v10
美国证券交易委员会
稳定状态
R
thJA
70
符号
典型
最大
50
单位
° C / W
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v10
美国证券交易委员会。
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
www.vishay.com
1
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
Static-0.6
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.2 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
20
0.023
0.028
24
0.75
1.2
0.03
0.04
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
1
30
70
70
30
70
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
21
2.9
6.5
3.4
60
140
140
60
100
ns
W
40
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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2
文档编号： 70810
S- 03950 -REV 。 C， 26日， 03
Si9428DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 4.5, 4, 3.5, 3, 2.5 V
2V
16
15
I D - 漏电流（ A）
12
I D - 漏电流（ A）
20
传输特性
10
8
5
T
C
= 125_C
25_C
- 55_C
4
1.5 V
1, 0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.05
3000
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.04
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5 V
0.03
V
GS
= 4.5 V
0.02
2500
2000
1500
C
国际空间站
1000
C
OSS
500
C
RSS
0.01
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 6 A
1.8
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
4
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
5
10
15
20
25
0.6
- 50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
10
I S - 源电流（ A）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
0.08
0.06
0.04
I
D
= 6 A
0.02
T
J
= 25_C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
48
60
单脉冲功率
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
- 0.0
功率（W）的
36
- 0.2
24
- 0.4
- 0.6
12
- 0.8
- 50
0
0
50
T
J
- 温度（℃ ）
100
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
=
70
° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
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