Si9424DY
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250
A
I
D
= -250
A，参考25
°
C
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
民
典型值最大值单位
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
-20
-24
-1
100
-100
V
毫伏/
°
C
A
nA
nA
门体漏电流，反向V
GS
= -10 V, V
DS
= 0 V
（注2 ）
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
I
D
= -250
A，参考25
°
C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -8 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -8 A ，T
J
=125
°
C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -7 A
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5.0 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -8 A
-0.4
-0.8
5
-1.5
V
毫伏/
°
C
0.019 0.024
0.026 0.039
0.027 0.032
-50
28
I
D（上）
g
FS
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
2260
500
205
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -10 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
8
15
98
35
16
27
135
55
33
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -10 V，I
D
= -8 A,
V
GS
= -5 V,
23
5.5
4
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -2.1 A
（注2 ）
-2.1
-0.75
-1.2
A
V
注意事项：
1:
R
θJA
是的总和结点到外壳和外壳至环境性，其中热的情况下引用定义为焊接安装面
漏针。
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
安装在一个0.5
2
垫的2盎司铜。
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
垫的2盎司铜。
C） 125 ° C / W时，
安装在一个0.003
2
垫的2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
Si9424DY Rev.A的
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
启摹
Si9424DY
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250
A
I
D
= -250
A，参考25
°
C
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
民
典型值最大值单位
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
-20
-24
-1
100
-100
V
毫伏/
°
C
A
nA
nA
门体漏电流，反向V
GS
= -10 V, V
DS
= 0 V
（注2 ）
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
I
D
= -250
A，参考25
°
C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -8 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -8 A ，T
J
=125
°
C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -7 A
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5.0 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -8 A
-0.4
-0.8
5
-1.5
V
毫伏/
°
C
0.019 0.024
0.026 0.039
0.027 0.032
-50
28
I
D（上）
g
FS
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
2260
500
205
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -10 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
8
15
98
35
16
27
135
55
33
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -10 V，I
D
= -8 A,
V
GS
= -5 V,
23
5.5
4
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -2.1 A
（注2 ）
-2.1
-0.75
-1.2
A
V
注意事项：
1:
R
θJA
是的总和结点到外壳和外壳至环境性，其中热的情况下引用定义为焊接安装面
漏针。
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
安装在一个0.5
2
垫的2盎司铜。
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
垫的2盎司铜。
C） 125 ° C / W时，
安装在一个0.003
2
垫的2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
Si9424DY Rev.A的
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
启摹
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