Si9410DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
= 10 V
30
0.040 @ V
GS
= 5 V
0.050 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.0
6.0
5.4
D D D D
SO-8
N / C
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
订购信息： Si9410DY
Si9410DY -T1 （带编带和卷轴）
S
8
7
6
5
D
D
D
D
G
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
7.0
5.8
30
2.8
2.5
1.6
- 55 150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70122
S- 31060 -REV 。男， 26日， 03
www.vishay.com
符号
R
thJA
极限
50
单位
° C / W
1
Si9410DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
=7.0 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 5 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.5 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.0 A
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
30
0.024
0.030
0.032
15
0.72
1.1
0.030
0.040
0.050
S
V
W
1.0
"100
2
25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7 A
24
2.8
4.6
14
10
46
17
60
30
60
150
140
ns
50
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
2
文档编号： 70122
S- 31060 -REV 。男， 26日， 03
Si9410DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
25
4V
I
D
- 漏电流（ A）
25
30
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
20
20
15
15
10
3V
10
T
C
= 125_C
5
2V
0
0
2
4
6
8
10
5
25_C
- 55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.06
2400
电容
0.05
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
2000
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
1600
C
国际空间站
1200
0.02
10 V
800
C
OSS
C
RSS
0.01
400
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 7 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.6
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
5
10
15
20
25
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 70122
S- 31060 -REV 。男， 26日， 03
www.vishay.com
3
Si9410DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
30
源极 - 漏极二极管正向电压
0.30
导通电阻与栅极至源极电压
0.25
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
D
= 3.2 A
0.20
0.15
25_C
0.10
0.05
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.00
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
70
60
50
单脉冲功率
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
- 0.4
20
10
- 0.8
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
2
1
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
40
30
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W的
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
4
文档编号： 70122
S- 31060 -REV 。男， 26日， 03
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
Si9410DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
= 10 V
30
0.040 @ V
GS
= 5 V
0.050 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.0
6.0
5.4
D D D D
SO-8
N / C
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
S
订购信息： Si9410DY
Si9410DY -T1 （带编带和卷轴）
S
8
7
6
5
D
D
D
D
G
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
7.0
5.8
30
2.8
2.5
1.6
- 55 150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70122
S- 31060 -REV 。男， 26日， 03
www.vishay.com
符号
R
thJA
极限
50
单位
° C / W
1
Si9410DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
=7.0 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 5 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.5 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 7.0 A
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
30
0.024
0.030
0.032
15
0.72
1.1
0.030
0.040
0.050
S
V
W
1.0
"100
2
25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7 A
24
2.8
4.6
14
10
46
17
60
30
60
150
140
ns
50
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
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2
文档编号： 70122
S- 31060 -REV 。男， 26日， 03
Si9410DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
25
4V
I
D
- 漏电流（ A）
25
30
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
20
20
15
15
10
3V
10
T
C
= 125_C
5
2V
0
0
2
4
6
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10
5
25_C
- 55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.06
2400
电容
0.05
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
2000
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
1600
C
国际空间站
1200
0.02
10 V
800
C
OSS
C
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0.01
400
0.00
0
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20
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30
0
0
5
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15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 7 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.6
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 7 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
1.2
4
0.8
2
0.4
0
0
5
10
15
20
25
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
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Si9410DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
30
源极 - 漏极二极管正向电压
0.30
导通电阻与栅极至源极电压
0.25
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
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I
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= 3.2 A
0.20
0.15
25_C
0.10
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1
0
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0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.00
0
2
4
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V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
70
60
50
单脉冲功率
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
- 0.4
20
10
- 0.8
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
2
1
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
40
30
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W的
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
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4
文档编号： 70122
S- 31060 -REV 。男， 26日， 03
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
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禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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1
Si9410DY
1999年9月
Si9410DY*
单N沟道增强型MOSFET
概述
这种N沟道增强型MOSFET是
利用飞兆半导体提前生产
已特别针对减少流程
通态电阻，但保持出色的开关
性能。
这个装置是非常适用于低电压和电池
供电应用的低线的功率损耗和
快速切换是必需的。
特点
7.0 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.030
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.050
@ V
GS
= 4.5 V
低栅极电荷。
快速开关速度。
高功率和电流处理能力。
应用
电池开关
负荷开关
电机控制
SO-8
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1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si9410DY版本C
Si9410DY
（ OHFWULFDO和放大器; KDUDFWHULVWLFV
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7W
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A
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R
t
R
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W
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8
8
8
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D
T
W
T9
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W
BT
2WD
T
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6
W
注意事项：
1:
R
θJA
是的总和结点到外壳和外壳至环境性，其中热的情况下引用定义为焊接安装面
漏针。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
装在一个1在
2
垫的2盎司铜。
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
垫的2盎司铜。
C） 125°C /上最小W
安装垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
Si9410DY版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
启摹
Si9410DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
M3D315
牧师02 - 2001年7月5日
产品数据
1.描述
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
Si9410DY在SOT96-1 （ SO8 ） 。
2.特点
s
低通态电阻
s
快速开关
s
的TrenchMOS 技术。
3.应用
s
s
s
s
s
直流到直流转换器
直流电机控制
锂离子电池应用
笔记本电脑
便携式设备的应用程序。
c
c
4.管脚信息
表1：
针
1
2,3
4
5,6,7,8
穿针 - SOT96-1 ，简化的外形和符号
描述
N / C
8
5
d
简化的轮廓
符号
源极（S ）
栅极（G ）
漏极（四）
1
顶视图
4
MBK187
g
s
MBB076
SOT96-1 （ SO8 ）
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
Si9410DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 150
°C
T
AMB
= 25
°C;
脉冲：T已
p
≤
10 s
T
AMB
= 25
°C;
脉冲： TP
≤
10 s
V
GS
= 10 V ;我
D
= 7 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 4 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.5 A
典型值
24
30
32
最大
30
7
2.5
150
30
40
50
单位
V
A
W
°C
m
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
AMB
= 25
°C;
脉冲： TP
≤
10 s
T
AMB
= 25
°C;
脉冲： TP
≤
10 s;
图2
和
3
T
AMB
= 70
°C;
脉冲： TP
≤
10 s;
图2
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
AMB
= 25
°C;
脉冲： TP
≤
10 s;
图1
T
AMB
= 70
°C;
脉冲： TP
≤
10 s;
图1
条件
T
j
= 25 150
°C
民
55
55
最大
30
±20
7
5.8
30
2.5
1.6
+150
+150
2.3
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 08238
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2001年7月5日
2 13
飞利浦半导体
Si9410DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
03aa11
03aa19
120
PDER
(%)
100
120
伊德尔
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
o
TAMB （ C）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
o
TAMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
I
D
I
D
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能环境温度。
图2.归连续漏极电流为
功能环境温度。
102
ID
(A)
10
TP = 10微秒
100 s
1毫秒
1
10毫秒
03ae46
导通电阻= VDS / ID
P
δ
=
tp
T
10-1
特区
100毫秒
tp
T
t
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 08238
飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2001年7月5日
3 13
SMD型
SMD型
IC
IC
MOSFET
产品speci fi cation
SI9410DY
■
电气特性TA = 25 ℃
参数
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55℃
导通状态漏极Currentb *
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7 A
漏源导通电阻*
r
DS （ ON）
V
GS
= 5 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.5 A
转发Transconductanceb *
二极管正向Voltageb *
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25 Ω
I
D
= 1 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 6 Ω
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 7 A
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
30
0.024
0.030
0.032
15
0.72
24
2.8
4.6
14
10
46
17
60
30
60
150
140
ns
1.1
50
nC
0.030
0.040
0.050
民
1.0
±100
2
25
A
Ω
Ω
Ω
S
V
典型值
最大
单位
V
nA
μA
*脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2%.
■
记号
记号
9410
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
QQ：2880707522 复制
