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Si91842/4
新产品
Vishay Siliconix公司
150 mA的低噪声LDO稳压器
有了错误标志和排放方案
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
超低压差- 130毫伏,在150 mA负载
低噪声-75
mV
( RMS)
( 10赫兹至100千赫兹带宽)
外的调节错误标志(电源良好)
关断控制
110 - mA的接地电流为150 mA的负载
快速启动( 50
女士)
1.5 %,保证输出电压精度( 1.2 V, 2 % )
300 mA峰值输出电流能力
使用低ESR陶瓷电容器
快速电压和负载瞬态响应(V 30
女士)
1 mA最大关断电流
输出电流限制
反向电池保护
内置短路保护和热保护
D
Si91842 :输出,自动放电关断模式
D
Si91844 :输出,无放电关断模式
D
固定的1.2 , 1.8 , 2.0 ,2.2, 2.5 ,2.6 ,2.7 ,2.8 ,2.85 ,2.9 ,3.0 ,
3.3 , 3.5 , 3.6 , 5.0 V输出电压选项
D
SOT23-5封装
应用
D
移动电话,无线手机
D
对噪声敏感的电子系统,笔记本电脑和
掌上电脑
D
掌上电脑
D
寻呼机
D
数码相机
D
MP3播放器
D
无线上网卡
描述
该Si91842 / 4是150毫安的CMOS LDO (低压差)稳压
调节器。它是低电压,低功耗的完美选择
应用程序。超低接地电流和超快速的开启
使电池供电的系统这部分的吸引力。
该Si91842 / 4还提供超低压降电压,以延长
电池寿命的便携式电子产品。需要一个安静的系统
电压源将从Si91842 / 4的低输出中获益
噪声。该Si91842 / 4的目的是保持监管的同时
提供300 mA峰值电流,从而使其非常适用于系统
具有当打开一个高的浪涌电流。
为了更好的瞬态响应和调控,积极
下拉电路内置于Si91842 / 4以钳位输出
电压,当它上升超过正常调节。该Si91842
通过将自动放电的输出电压
输出到地通过一个100 -W n沟道MOSFET时
该设备被置于关断模式。
该Si91842 / 4功能反向电池保护,以限制
反向电流流动,以大约1毫安的事件
反向电池被施加在输入端,从而防止
损坏IC 。
典型应用电路
Si91842/4
V
IN
1
mF
2
GND
5
51千瓦
1
V
IN
V
OUT
5
V
OUT
1
mF
SD
3
SD
错误
4
错误
SOT - 23 , 5引脚
文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
www.vishay.com
1
Si91842/4
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
绝对最大额定值
输入电压V
IN
到GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-6.0至6.5 V
V
错误
, V
SD
(见详细说明)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3 V到V
IN
输出电流,I
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
短路保护功能
输出电压V
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3 V到V
IN
+ 0.3 V
封装功耗(P
d
)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 440毫瓦
封装热阻(Q
JA
)
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 180_C / W
最高结温,T
J(下最大)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
贮藏温度,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65_C到150_C
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.5毫瓦/ _C牛逼以上
A
= 70_C
新产品
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 V至6 V
输入电压V
SD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
IN
C
IN
= C
OUT
= 1
mF
(陶瓷)
的C最大ESR
OUT
: 0.4
W
工作环境温度,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40_C到85_C
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
输入电压范围
范围
-40到85°C
符号
V
IN
T
A
= 25 ° C,V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V,I
OUT
= 1毫安,
_
C
IN
= 1
MF,
C
OUT
= 1.0
MF,
V
SD
= 1.5 V
温度
a
b
2
–1.5
–2.5
–2.0
–3.0
–0.06
0
0
典型值
c
最大
b
6
单位
V
V
OUT
w
1.8 V
输出电压精度
1毫安
v
I
OUT
v
150毫安
V
OUT
= 1.2 V
线路调整率(V
OUT
v
3 V)
线路调整
( 3.0 V < V
OUT
v3.6
V)
线路调整( 5 V版)
DV
OUT
DV
IN
100
从V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V到V
OUT ( NOM )
+ 2 V
房间
房间
1
1
1
1
1.5
2.5
2.0
3.0
0.18
0.3
0.4
%/V
%
V
OUT ( NOM )
从V
IN
= 5.5 V至6 V
I
OUT
= 1毫安
房间
房间
房间
房间
1
45
50
130
65
190
100
110
110
120
300
75
80
90
180
220
100
120
250
300
150
180
200
230
170
200
200
230
mA
MV( RMS)
mA
m
mV
输入输出电压差
D,G
(V
OUT ( NOM )
w
2.6 V)
V
IN
– V
OUT
输入输出电压差
D,G
(V
OUT ( NOM )
t
2.6 V, V
IN
w
2 V)
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
GND
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
房间
房间
房间
房间
房间
房间
接地引脚电流
E,G
(V
OUT ( NOM )
v
3 V)
接地引脚电流
E,G
(V
OUT ( NOM )
u
3 V)
峰值输出电流
输出噪声电压
I
O(峰)
e
N
V
OUT
w
0.95 x垂直
OUT ( NOM )
. t
PW
= 2毫秒
V
OUT
= 2.6 V ,BW = 10赫兹至100千赫兹,
0毫安
t
I
OUT
t
150毫安
www.vishay.com
2
文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
Si91842/4
新产品
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
符号
T
A
= 25 ° C,V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V,I
OUT
= 1毫安,
C
IN
= 1
MF,
C
OUT
= 1.0
MF,
V
SD
= 1.5 V
Vishay Siliconix公司
范围
-40到85°C
温度
a
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
b
典型值
c
60
40
30
20
最大
b
单位
F = 1千赫
纹波抑制
DV
OUT
/ DV
IN
I
OUT
= 150毫安
F = 10千赫
F = 100千赫
动态线路调整
动态负载调节
热关断结
温度
热滞
反向电流
短路电流
DV
O( LINE )
DV
O( LOAD )
T
J(下S / D )
T
HYST
I
R
I
SC
V
IN
= –6.0 V
V
OUT
= 0 V
V
IN
: V
OUT ( NOM )
+ 1 V到V
OUT ( NOM )
+ 2 V
t
r
/t
f
= 2
女士,
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
1 mA至150毫安,T
r
/t
f
= 2
ms
dB
mV
25
150
20
1
700
mA
mA
_C
C
房间
房间
关闭
关断电源电流
SD引脚输入电压
自动放电电阻
SD引脚输入
当前
f
SD迟滞
V
OUT
开启时间
I
CC (OFF)的
V
SD
R_DIS
I
中(SD)的
V
HYST ( SD )
t
ON
V
SD
(参见图1)中,我
负载
= 100毫安
V
SD
= 0 V
高=稳压器ON (瑞星)
低=稳压器关闭(下降沿)
Si91842只有
V
SD
= 1.5 V, V
IN
= 6 V
房间
房间
房间
房间
100
0.7
150
50
1.5
0.1
1
V
IN
0.4
mA
V
W
mA
mV
mS
错误输出
ERROR高漏
ERROR低电压
误差电压阈值
误差电压阈值
迟滞
I
关闭
V
OL
V
错误
V
HYST ( ERROR )
错误
v
V
IN
. V
OUT
在监管
I
SINK
- 0.5毫安
V
OUT
低于V
OUT ( NOM )
V
IN
w
2 V
V
OUT
落,我
OUT
= 1毫安, V
OUT ( NOM )
w
2 V
g
,
房间
–2
–4
–4
1.5
1
0.4
–6
mA
V
V
OUT ( NOM )G
t
2 V, V
IN
u
2 V
%
笔记
一。房间= 25_C ,全部= -40至+85 C 。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。电压差定义为输入,输出差分电压,当输出电压降到2%以下, 1 -V测得的输出电压
差,其前提是V
IN
不不低于2.0 V.
。接地电流被指定为正常运行以及“辍学”的操作。
f.
该器件的关断引脚具有典型的2兆瓦内部下拉电阻接地。
克。 V
OUT ( NOM )
为V
OUT
当用1 - V差分到V测量
IN
.
时序波形
V
IN
V
SD
t
r
v
1
mS
0V
t
ON
V
0.95 V
V
OUT
图1 。
时序图进行加电
文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
www.vishay.com
3
Si91842/4
Vishay Siliconix公司
引脚配置
新产品
SOT - 23 , 5引脚
V
IN
1
5
V
OUT
GND
2
SD
3
4
错误
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
名字
V
IN
GND
SD
错误
V
OUT
功能
输入电源引脚。绕过这个引脚1 μF的陶瓷电容或钽电容到地
接地引脚。为了获得更好的散热效果,直接连接到大接地平面
通过施加小于0.4 V至该引脚,该装置将被关断。将此引脚连接到V
IN
如果未使用
开漏输出错误标志输出变低时, V
OUT
降低其额定电压低于4 % 。
输出电压。连接
OUT
与此引脚与地之间。
订购信息
Si91842
产品型号
Si91842DT-12-T1
b
Si91842DT-18-T1
Si91842DT-20-T1
Si91842DT-22-T1
Si91842DT-25-T1
Si91842DT-26-T1
Si91842DT-27-T1
Si91842DT-28-T1
Si91842DT-285-T1
Si91842DT-29-T1
Si91842DT-30-T1
Si91842DT-33-T1
Si91842DT-35-T1
Si91842DT-36-T1
Si91842DT-50-T1
Si91844
温度。
范围
PKG 。
产品型号
Si91844DT-18-T1
Si91844DT-20-T1
Si91844DT-22-T1
Si91844DT-25-T1
Si91844DT-26-T1
Si91844DT-27-T1
Si91844DT-28-T1
-40到85°C
SOT23-5
Si91844DT-285-T1
Si91844DT-29-T1
Si91844DT-30-T1
Si91844DT-33-T1
Si91844DT-35-T1
Si91844DT-36-T1
Si91844DT-50-T1
记号
J8LLL
C8LLL
C9LLL
C0LLL
D1LLL
D2LLL
D3LLL
D4LLL
D5LLL
D6LLL
D7LLL
D8LLL
D9LLL
D0LLL
E1LLL
电压
1.2
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
记号
F6LLL
F7LLL
F8LLL
F9LLL
F0LLL
G1LLL
G2LLL
G3LLL
G4LLL
G5LLL
G6LLL
G7LLL
G8LLL
G9LLL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度。
范围
PKG 。
-40到85°C
_
SOT23-5
注意事项:
一。 LLL =批次编号
B 。先进的信息,可2002年3月。
www.vishay.com
文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
4
Si91842/4
新产品
Vishay Siliconix公司
典型特征(内部调节, 25_C除非另有说明)
归一化输出电压与负载电流
0.30
V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V
0.15
0.00
–0.15
–0.30
–0.45
–0.60
–0.75
0
25
50
75
100
125
150
负载电流(mA )
V
OUT
(%)
0.2
I
OUT
= 0毫安
输出电压(%)
–0.0
I
OUT
= 75毫安
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–40
I
OUT
= 150毫安
0.4
V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V
归V
OUT
与温度的关系
–15
10
35
60
85
环境温度( ℃)
接地电流与负载电流
150
V
OUT
= 3.0 V
V
IN
= 4.0 V
125
25_C
I
GND
(
毫安)
I
GND
(
毫安)
200
85_C
300
无负载GND引脚电流与输入电压
250
100
–40_C
150
85_C
25_C
100
–40_C
75
50
50
0
25
50
75
100
125
150
负载电流(mA )
0
2
3
4
5
6
7
输入电压( V)
电源抑制
0
C
IN
= 1
mF
C
OUT
= 1
mF
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 3.0 V
I
SC
(MA )
750
输出短路电流与温度的关系
V
OUT
= 2.6 V
725
–20
700
增益(dB )
–40
675
650
–60
625
–80
10
100
1000
10000
100000
1000000
频率(Hz)
600
–40
–15
10
35
60
85
AmbientTemperature ( _C )
文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
www.vishay.com
5
Si91842/4
新产品
Vishay Siliconix公司
150 mA的低噪声LDO稳压器
有了错误标志和排放方案
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
超低压差- 130毫伏,在150 mA负载
低噪声-75
mV
( RMS)
( 10赫兹至100千赫兹带宽)
外的调节错误标志(电源良好)
关断控制
110 - mA的接地电流为150 mA的负载
快速启动( 50
女士)
1.5 %,保证输出电压精度( 1.2 V, 2 % )
300 mA峰值输出电流能力
使用低ESR陶瓷电容器
快速电压和负载瞬态响应(V 30
女士)
1 mA最大关断电流
输出电流限制
反向电池保护
内置短路保护和热保护
D
Si91842 :输出,自动放电关断模式
D
Si91844 :输出,无放电关断模式
D
固定的1.2 , 1.8 , 2.0 ,2.2, 2.5 ,2.6 ,2.7 ,2.8 ,2.85 ,2.9 ,3.0 ,
3.3 , 3.5 , 3.6 , 5.0 V输出电压选项
D
SOT23-5封装
应用
D
移动电话,无线手机
D
对噪声敏感的电子系统,笔记本电脑和
掌上电脑
D
掌上电脑
D
寻呼机
D
数码相机
D
MP3播放器
D
无线上网卡
描述
该Si91842 / 4是150毫安的CMOS LDO (低压差)稳压
调节器。它是低电压,低功耗的完美选择
应用程序。超低接地电流和超快速的开启
使电池供电的系统这部分的吸引力。
该Si91842 / 4还提供超低压降电压,以延长
电池寿命的便携式电子产品。需要一个安静的系统
电压源将从Si91842 / 4的低输出中获益
噪声。该Si91842 / 4的目的是保持监管的同时
提供300 mA峰值电流,从而使其非常适用于系统
具有当打开一个高的浪涌电流。
为了更好的瞬态响应和调控,积极
下拉电路内置于Si91842 / 4以钳位输出
电压,当它上升超过正常调节。该Si91842
通过将自动放电的输出电压
输出到地通过一个100 -W n沟道MOSFET时
该设备被置于关断模式。
该Si91842 / 4功能反向电池保护,以限制
反向电流流动,以大约1毫安的事件
反向电池被施加在输入端,从而防止
损坏IC 。
典型应用电路
Si91842/4
V
IN
1
mF
2
GND
5
51千瓦
1
V
IN
V
OUT
5
V
OUT
1
mF
SD
3
SD
错误
4
错误
SOT - 23 , 5引脚
文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
www.vishay.com
1
Si91842/4
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
绝对最大额定值
输入电压V
IN
到GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-6.0至6.5 V
V
错误
, V
SD
(见详细说明)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3 V到V
IN
输出电流,I
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
短路保护功能
输出电压V
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3 V到V
IN
+ 0.3 V
封装功耗(P
d
)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 440毫瓦
封装热阻(Q
JA
)
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 180_C / W
最高结温,T
J(下最大)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
贮藏温度,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65_C到150_C
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.5毫瓦/ _C牛逼以上
A
= 70_C
新产品
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 V至6 V
输入电压V
SD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
IN
C
IN
= C
OUT
= 1
mF
(陶瓷)
的C最大ESR
OUT
: 0.4
W
工作环境温度,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40_C到85_C
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
输入电压范围
范围
-40到85°C
符号
V
IN
T
A
= 25 ° C,V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V,I
OUT
= 1毫安,
_
C
IN
= 1
MF,
C
OUT
= 1.0
MF,
V
SD
= 1.5 V
温度
a
b
2
–1.5
–2.5
–2.0
–3.0
–0.06
0
0
典型值
c
最大
b
6
单位
V
V
OUT
w
1.8 V
输出电压精度
1毫安
v
I
OUT
v
150毫安
V
OUT
= 1.2 V
线路调整率(V
OUT
v
3 V)
线路调整
( 3.0 V < V
OUT
v3.6
V)
线路调整( 5 V版)
DV
OUT
DV
IN
100
从V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V到V
OUT ( NOM )
+ 2 V
房间
房间
1
1
1
1
1.5
2.5
2.0
3.0
0.18
0.3
0.4
%/V
%
V
OUT ( NOM )
从V
IN
= 5.5 V至6 V
I
OUT
= 1毫安
房间
房间
房间
房间
1
45
50
130
65
190
100
110
110
120
300
75
80
90
180
220
100
120
250
300
150
180
200
230
170
200
200
230
mA
MV( RMS)
mA
m
mV
输入输出电压差
D,G
(V
OUT ( NOM )
w
2.6 V)
V
IN
– V
OUT
输入输出电压差
D,G
(V
OUT ( NOM )
t
2.6 V, V
IN
w
2 V)
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
GND
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
房间
房间
房间
房间
房间
房间
接地引脚电流
E,G
(V
OUT ( NOM )
v
3 V)
接地引脚电流
E,G
(V
OUT ( NOM )
u
3 V)
峰值输出电流
输出噪声电压
I
O(峰)
e
N
V
OUT
w
0.95 x垂直
OUT ( NOM )
. t
PW
= 2毫秒
V
OUT
= 2.6 V ,BW = 10赫兹至100千赫兹,
0毫安
t
I
OUT
t
150毫安
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文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
Si91842/4
新产品
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
符号
T
A
= 25 ° C,V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V,I
OUT
= 1毫安,
C
IN
= 1
MF,
C
OUT
= 1.0
MF,
V
SD
= 1.5 V
Vishay Siliconix公司
范围
-40到85°C
温度
a
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
b
典型值
c
60
40
30
20
最大
b
单位
F = 1千赫
纹波抑制
DV
OUT
/ DV
IN
I
OUT
= 150毫安
F = 10千赫
F = 100千赫
动态线路调整
动态负载调节
热关断结
温度
热滞
反向电流
短路电流
DV
O( LINE )
DV
O( LOAD )
T
J(下S / D )
T
HYST
I
R
I
SC
V
IN
= –6.0 V
V
OUT
= 0 V
V
IN
: V
OUT ( NOM )
+ 1 V到V
OUT ( NOM )
+ 2 V
t
r
/t
f
= 2
女士,
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
1 mA至150毫安,T
r
/t
f
= 2
ms
dB
mV
25
150
20
1
700
mA
mA
_C
C
房间
房间
关闭
关断电源电流
SD引脚输入电压
自动放电电阻
SD引脚输入
当前
f
SD迟滞
V
OUT
开启时间
I
CC (OFF)的
V
SD
R_DIS
I
中(SD)的
V
HYST ( SD )
t
ON
V
SD
(参见图1)中,我
负载
= 100毫安
V
SD
= 0 V
高=稳压器ON (瑞星)
低=稳压器关闭(下降沿)
Si91842只有
V
SD
= 1.5 V, V
IN
= 6 V
房间
房间
房间
房间
100
0.7
150
50
1.5
0.1
1
V
IN
0.4
mA
V
W
mA
mV
mS
错误输出
ERROR高漏
ERROR低电压
误差电压阈值
误差电压阈值
迟滞
I
关闭
V
OL
V
错误
V
HYST ( ERROR )
错误
v
V
IN
. V
OUT
在监管
I
SINK
- 0.5毫安
V
OUT
低于V
OUT ( NOM )
V
IN
w
2 V
V
OUT
落,我
OUT
= 1毫安, V
OUT ( NOM )
w
2 V
g
,
房间
–2
–4
–4
1.5
1
0.4
–6
mA
V
V
OUT ( NOM )G
t
2 V, V
IN
u
2 V
%
笔记
一。房间= 25_C ,全部= -40至+85 C 。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。电压差定义为输入,输出差分电压,当输出电压降到2%以下, 1 -V测得的输出电压
差,其前提是V
IN
不不低于2.0 V.
。接地电流被指定为正常运行以及“辍学”的操作。
f.
该器件的关断引脚具有典型的2兆瓦内部下拉电阻接地。
克。 V
OUT ( NOM )
为V
OUT
当用1 - V差分到V测量
IN
.
时序波形
V
IN
V
SD
t
r
v
1
mS
0V
t
ON
V
0.95 V
V
OUT
图1 。
时序图进行加电
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S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
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Si91842/4
Vishay Siliconix公司
引脚配置
新产品
SOT - 23 , 5引脚
V
IN
1
5
V
OUT
GND
2
SD
3
4
错误
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
名字
V
IN
GND
SD
错误
V
OUT
功能
输入电源引脚。绕过这个引脚1 μF的陶瓷电容或钽电容到地
接地引脚。为了获得更好的散热效果,直接连接到大接地平面
通过施加小于0.4 V至该引脚,该装置将被关断。将此引脚连接到V
IN
如果未使用
开漏输出错误标志输出变低时, V
OUT
降低其额定电压低于4 % 。
输出电压。连接
OUT
与此引脚与地之间。
订购信息
Si91842
产品型号
Si91842DT-12-T1
b
Si91842DT-18-T1
Si91842DT-20-T1
Si91842DT-22-T1
Si91842DT-25-T1
Si91842DT-26-T1
Si91842DT-27-T1
Si91842DT-28-T1
Si91842DT-285-T1
Si91842DT-29-T1
Si91842DT-30-T1
Si91842DT-33-T1
Si91842DT-35-T1
Si91842DT-36-T1
Si91842DT-50-T1
Si91844
温度。
范围
PKG 。
产品型号
Si91844DT-18-T1
Si91844DT-20-T1
Si91844DT-22-T1
Si91844DT-25-T1
Si91844DT-26-T1
Si91844DT-27-T1
Si91844DT-28-T1
-40到85°C
SOT23-5
Si91844DT-285-T1
Si91844DT-29-T1
Si91844DT-30-T1
Si91844DT-33-T1
Si91844DT-35-T1
Si91844DT-36-T1
Si91844DT-50-T1
记号
J8LLL
C8LLL
C9LLL
C0LLL
D1LLL
D2LLL
D3LLL
D4LLL
D5LLL
D6LLL
D7LLL
D8LLL
D9LLL
D0LLL
E1LLL
电压
1.2
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
记号
F6LLL
F7LLL
F8LLL
F9LLL
F0LLL
G1LLL
G2LLL
G3LLL
G4LLL
G5LLL
G6LLL
G7LLL
G8LLL
G9LLL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度。
范围
PKG 。
-40到85°C
_
SOT23-5
注意事项:
一。 LLL =批次编号
B 。先进的信息,可2002年3月。
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Si91842/4
新产品
Vishay Siliconix公司
典型特征(内部调节, 25_C除非另有说明)
归一化输出电压与负载电流
0.30
V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V
0.15
0.00
–0.15
–0.30
–0.45
–0.60
–0.75
0
25
50
75
100
125
150
负载电流(mA )
V
OUT
(%)
0.2
I
OUT
= 0毫安
输出电压(%)
–0.0
I
OUT
= 75毫安
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–40
I
OUT
= 150毫安
0.4
V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V
归V
OUT
与温度的关系
–15
10
35
60
85
环境温度( ℃)
接地电流与负载电流
150
V
OUT
= 3.0 V
V
IN
= 4.0 V
125
25_C
I
GND
(
毫安)
I
GND
(
毫安)
200
85_C
300
无负载GND引脚电流与输入电压
250
100
–40_C
150
85_C
25_C
100
–40_C
75
50
50
0
25
50
75
100
125
150
负载电流(mA )
0
2
3
4
5
6
7
输入电压( V)
电源抑制
0
C
IN
= 1
mF
C
OUT
= 1
mF
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 3.0 V
I
SC
(MA )
750
输出短路电流与温度的关系
V
OUT
= 2.6 V
725
–20
700
增益(dB )
–40
675
650
–60
625
–80
10
100
1000
10000
100000
1000000
频率(Hz)
600
–40
–15
10
35
60
85
AmbientTemperature ( _C )
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Si91842/4
新产品
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150 mA的低噪声LDO稳压器
有了错误标志和排放方案
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
超低压差- 130毫伏,在150 mA负载
低噪声-75
mV
( RMS)
( 10赫兹至100千赫兹带宽)
外的调节错误标志(电源良好)
关断控制
110 - mA的接地电流为150 mA的负载
快速启动( 50
女士)
1.5 %,保证输出电压精度( 1.2 V, 2 % )
300 mA峰值输出电流能力
使用低ESR陶瓷电容器
快速电压和负载瞬态响应(V 30
女士)
1 mA最大关断电流
输出电流限制
反向电池保护
内置短路保护和热保护
D
Si91842 :输出,自动放电关断模式
D
Si91844 :输出,无放电关断模式
D
固定的1.2 , 1.8 , 2.0 ,2.2, 2.5 ,2.6 ,2.7 ,2.8 ,2.85 ,2.9 ,3.0 ,
3.3 , 3.5 , 3.6 , 5.0 V输出电压选项
D
SOT23-5封装
应用
D
移动电话,无线手机
D
对噪声敏感的电子系统,笔记本电脑和
掌上电脑
D
掌上电脑
D
寻呼机
D
数码相机
D
MP3播放器
D
无线上网卡
描述
该Si91842 / 4是150毫安的CMOS LDO (低压差)稳压
调节器。它是低电压,低功耗的完美选择
应用程序。超低接地电流和超快速的开启
使电池供电的系统这部分的吸引力。
该Si91842 / 4还提供超低压降电压,以延长
电池寿命的便携式电子产品。需要一个安静的系统
电压源将从Si91842 / 4的低输出中获益
噪声。该Si91842 / 4的目的是保持监管的同时
提供300 mA峰值电流,从而使其非常适用于系统
具有当打开一个高的浪涌电流。
为了更好的瞬态响应和调控,积极
下拉电路内置于Si91842 / 4以钳位输出
电压,当它上升超过正常调节。该Si91842
通过将自动放电的输出电压
输出到地通过一个100 -W n沟道MOSFET时
该设备被置于关断模式。
该Si91842 / 4功能反向电池保护,以限制
反向电流流动,以大约1毫安的事件
反向电池被施加在输入端,从而防止
损坏IC 。
典型应用电路
Si91842/4
V
IN
1
mF
2
GND
5
51千瓦
1
V
IN
V
OUT
5
V
OUT
1
mF
SD
3
SD
错误
4
错误
SOT - 23 , 5引脚
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Si91842/4
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绝对最大额定值
绝对最大额定值
输入电压V
IN
到GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-6.0至6.5 V
V
错误
, V
SD
(见详细说明)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3 V到V
IN
输出电流,I
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
短路保护功能
输出电压V
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3 V到V
IN
+ 0.3 V
封装功耗(P
d
)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 440毫瓦
封装热阻(Q
JA
)
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 180_C / W
最高结温,T
J(下最大)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
贮藏温度,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65_C到150_C
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.5毫瓦/ _C牛逼以上
A
= 70_C
新产品
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 V至6 V
输入电压V
SD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
IN
C
IN
= C
OUT
= 1
mF
(陶瓷)
的C最大ESR
OUT
: 0.4
W
工作环境温度,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40_C到85_C
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
输入电压范围
范围
-40到85°C
符号
V
IN
T
A
= 25 ° C,V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V,I
OUT
= 1毫安,
_
C
IN
= 1
MF,
C
OUT
= 1.0
MF,
V
SD
= 1.5 V
温度
a
b
2
–1.5
–2.5
–2.0
–3.0
–0.06
0
0
典型值
c
最大
b
6
单位
V
V
OUT
w
1.8 V
输出电压精度
1毫安
v
I
OUT
v
150毫安
V
OUT
= 1.2 V
线路调整率(V
OUT
v
3 V)
线路调整
( 3.0 V < V
OUT
v3.6
V)
线路调整( 5 V版)
DV
OUT
DV
IN
100
从V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V到V
OUT ( NOM )
+ 2 V
房间
房间
1
1
1
1
1.5
2.5
2.0
3.0
0.18
0.3
0.4
%/V
%
V
OUT ( NOM )
从V
IN
= 5.5 V至6 V
I
OUT
= 1毫安
房间
房间
房间
房间
1
45
50
130
65
190
100
110
110
120
300
75
80
90
180
220
100
120
250
300
150
180
200
230
170
200
200
230
mA
MV( RMS)
mA
m
mV
输入输出电压差
D,G
(V
OUT ( NOM )
w
2.6 V)
V
IN
– V
OUT
输入输出电压差
D,G
(V
OUT ( NOM )
t
2.6 V, V
IN
w
2 V)
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
GND
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
房间
房间
房间
房间
房间
房间
接地引脚电流
E,G
(V
OUT ( NOM )
v
3 V)
接地引脚电流
E,G
(V
OUT ( NOM )
u
3 V)
峰值输出电流
输出噪声电压
I
O(峰)
e
N
V
OUT
w
0.95 x垂直
OUT ( NOM )
. t
PW
= 2毫秒
V
OUT
= 2.6 V ,BW = 10赫兹至100千赫兹,
0毫安
t
I
OUT
t
150毫安
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S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
Si91842/4
新产品
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
符号
T
A
= 25 ° C,V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V,I
OUT
= 1毫安,
C
IN
= 1
MF,
C
OUT
= 1.0
MF,
V
SD
= 1.5 V
Vishay Siliconix公司
范围
-40到85°C
温度
a
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
b
典型值
c
60
40
30
20
最大
b
单位
F = 1千赫
纹波抑制
DV
OUT
/ DV
IN
I
OUT
= 150毫安
F = 10千赫
F = 100千赫
动态线路调整
动态负载调节
热关断结
温度
热滞
反向电流
短路电流
DV
O( LINE )
DV
O( LOAD )
T
J(下S / D )
T
HYST
I
R
I
SC
V
IN
= –6.0 V
V
OUT
= 0 V
V
IN
: V
OUT ( NOM )
+ 1 V到V
OUT ( NOM )
+ 2 V
t
r
/t
f
= 2
女士,
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
1 mA至150毫安,T
r
/t
f
= 2
ms
dB
mV
25
150
20
1
700
mA
mA
_C
C
房间
房间
关闭
关断电源电流
SD引脚输入电压
自动放电电阻
SD引脚输入
当前
f
SD迟滞
V
OUT
开启时间
I
CC (OFF)的
V
SD
R_DIS
I
中(SD)的
V
HYST ( SD )
t
ON
V
SD
(参见图1)中,我
负载
= 100毫安
V
SD
= 0 V
高=稳压器ON (瑞星)
低=稳压器关闭(下降沿)
Si91842只有
V
SD
= 1.5 V, V
IN
= 6 V
房间
房间
房间
房间
100
0.7
150
50
1.5
0.1
1
V
IN
0.4
mA
V
W
mA
mV
mS
错误输出
ERROR高漏
ERROR低电压
误差电压阈值
误差电压阈值
迟滞
I
关闭
V
OL
V
错误
V
HYST ( ERROR )
错误
v
V
IN
. V
OUT
在监管
I
SINK
- 0.5毫安
V
OUT
低于V
OUT ( NOM )
V
IN
w
2 V
V
OUT
落,我
OUT
= 1毫安, V
OUT ( NOM )
w
2 V
g
,
房间
–2
–4
–4
1.5
1
0.4
–6
mA
V
V
OUT ( NOM )G
t
2 V, V
IN
u
2 V
%
笔记
一。房间= 25_C ,全部= -40至+85 C 。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。电压差定义为输入,输出差分电压,当输出电压降到2%以下, 1 -V测得的输出电压
差,其前提是V
IN
不不低于2.0 V.
。接地电流被指定为正常运行以及“辍学”的操作。
f.
该器件的关断引脚具有典型的2兆瓦内部下拉电阻接地。
克。 V
OUT ( NOM )
为V
OUT
当用1 - V差分到V测量
IN
.
时序波形
V
IN
V
SD
t
r
v
1
mS
0V
t
ON
V
0.95 V
V
OUT
图1 。
时序图进行加电
文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
www.vishay.com
3
Si91842/4
Vishay Siliconix公司
引脚配置
新产品
SOT - 23 , 5引脚
V
IN
1
5
V
OUT
GND
2
SD
3
4
错误
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
名字
V
IN
GND
SD
错误
V
OUT
功能
输入电源引脚。绕过这个引脚1 μF的陶瓷电容或钽电容到地
接地引脚。为了获得更好的散热效果,直接连接到大接地平面
通过施加小于0.4 V至该引脚,该装置将被关断。将此引脚连接到V
IN
如果未使用
开漏输出错误标志输出变低时, V
OUT
降低其额定电压低于4 % 。
输出电压。连接
OUT
与此引脚与地之间。
订购信息
Si91842
产品型号
Si91842DT-12-T1
b
Si91842DT-18-T1
Si91842DT-20-T1
Si91842DT-22-T1
Si91842DT-25-T1
Si91842DT-26-T1
Si91842DT-27-T1
Si91842DT-28-T1
Si91842DT-285-T1
Si91842DT-29-T1
Si91842DT-30-T1
Si91842DT-33-T1
Si91842DT-35-T1
Si91842DT-36-T1
Si91842DT-50-T1
Si91844
温度。
范围
PKG 。
产品型号
Si91844DT-18-T1
Si91844DT-20-T1
Si91844DT-22-T1
Si91844DT-25-T1
Si91844DT-26-T1
Si91844DT-27-T1
Si91844DT-28-T1
-40到85°C
SOT23-5
Si91844DT-285-T1
Si91844DT-29-T1
Si91844DT-30-T1
Si91844DT-33-T1
Si91844DT-35-T1
Si91844DT-36-T1
Si91844DT-50-T1
记号
J8LLL
C8LLL
C9LLL
C0LLL
D1LLL
D2LLL
D3LLL
D4LLL
D5LLL
D6LLL
D7LLL
D8LLL
D9LLL
D0LLL
E1LLL
电压
1.2
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
记号
F6LLL
F7LLL
F8LLL
F9LLL
F0LLL
G1LLL
G2LLL
G3LLL
G4LLL
G5LLL
G6LLL
G7LLL
G8LLL
G9LLL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度。
范围
PKG 。
-40到85°C
_
SOT23-5
注意事项:
一。 LLL =批次编号
B 。先进的信息,可2002年3月。
www.vishay.com
文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
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Si91842/4
新产品
Vishay Siliconix公司
典型特征(内部调节, 25_C除非另有说明)
归一化输出电压与负载电流
0.30
V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V
0.15
0.00
–0.15
–0.30
–0.45
–0.60
–0.75
0
25
50
75
100
125
150
负载电流(mA )
V
OUT
(%)
0.2
I
OUT
= 0毫安
输出电压(%)
–0.0
I
OUT
= 75毫安
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–40
I
OUT
= 150毫安
0.4
V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1 V
归V
OUT
与温度的关系
–15
10
35
60
85
环境温度( ℃)
接地电流与负载电流
150
V
OUT
= 3.0 V
V
IN
= 4.0 V
125
25_C
I
GND
(
毫安)
I
GND
(
毫安)
200
85_C
300
无负载GND引脚电流与输入电压
250
100
–40_C
150
85_C
25_C
100
–40_C
75
50
50
0
25
50
75
100
125
150
负载电流(mA )
0
2
3
4
5
6
7
输入电压( V)
电源抑制
0
C
IN
= 1
mF
C
OUT
= 1
mF
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 3.0 V
I
SC
(MA )
750
输出短路电流与温度的关系
V
OUT
= 2.6 V
725
–20
700
增益(dB )
–40
675
650
–60
625
–80
10
100
1000
10000
100000
1000000
频率(Hz)
600
–40
–15
10
35
60
85
AmbientTemperature ( _C )
文档编号: 71732
S- 20478 -REV 。 C, 01 -APR- 02
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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