Si91841/3
Vishay Siliconix公司
150 - mA的超低噪声LDO稳压器
随着放电选项
特点
D
超低压差- 130毫伏，在150 mA负载
D
超低噪声-30
mV
（ RMS）
（ 10赫兹至100千赫兹
带宽）
D
关断控制
D
110 - mA的接地电流为150 mA的负载
D
1.5 ％，保证输出电压精度
D
300 mA峰值输出电流能力
D
使用低ESR陶瓷电容器
D
快速启动（ 50
女士）
D
快速电压和负载瞬态响应（V 30
女士）
D
1 mA最大关断电流
D
输出电流限制
D
反向电池保护
D
内置短路保护和热保护
D
Si91841 ：输出，自动放电关断模式
D
Si91843 ：输出，无放电关断模式
D
固定的1.8 ， 2.0 ，2.2， 2.5 ，2.6 ，2.7 ，2.8 ，2.85 ，2.9 ，3.0 ，3.3 ，
3.5 ， 3.6 ， 5.0 V输出电压选项
D
薄SOT23-5封装
应用
D
移动电话，无线手机
D
对噪声敏感的电子系统，笔记本电脑和
掌上电脑
D
掌上电脑
D
寻呼机
D
数码相机
D
MP3播放器
D
无线上网卡
描述
该Si91841 / 3是150毫安的CMOS LDO （低压差）稳压
调节器。它是低电压，低功耗的完美选择
应用程序。超低接地电流，使这部分
电池有吸引力的操作电源系统。该Si91841 / 3
还提供超低压降电压延长电池寿命
便携式电子产品。需要一个安静的电压系统
源，诸如射频应用中，将从中获益
Si91841 / 3的超低输出噪声。外部噪声旁路
电容器，连接到设备的BP引脚，可以进一步降低
的噪声电平。该Si91841 / 3是为了维护
法规同时提供300 mA峰值电流，从而使其
理想的为具有当打开一个高的浪涌电流的系统。
为了更好的瞬态响应和调控，积极
下拉电路内置于Si91841 / 3夹住输出
电压，当它上升超过正常调节。该Si91841
通过将自动放电的输出电压
输出到地通过一个100 -W n沟道MOSFET时
该设备被置于关断模式。
该Si91841 / 3的功能反向电池保护，以限制
反向电流流动，以大约1毫安的事件
反向电池被施加在输入端，从而防止
损坏IC 。
该Si91841 / 3可在标准和铅（Pb ） - 免费
包。
典型应用电路
Si91841/3
V
IN
1
mF
2
GND
1
V
IN
V
OUT
5
V
OUT
1
mF
SD
3
SD
BP
4
10 nF的
超薄SOT - 23 ， 5引脚
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
绝对最大额定值
输入电压V
IN
到GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.0
以6.5 V
V
SD
（见详细说明）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
IN
输出电流，I
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
短路保护功能
输出电压V
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3 V到V
IN
+ 0.3 V
封装功耗（P
d
)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 440毫瓦
封装热阻（Q
JA
)
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 180_C / W
最高结温，T
J（下最大）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
贮藏温度，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
65_C
至150℃
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.5毫瓦/ _C牛逼以上
A
= 70_C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 V至6 V
输入电压V
SD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
IN
C
IN
= C
OUT
= 1
mF
（陶瓷） ，C
BP
= 0.01
mF
（陶瓷）
的C最大ESR
OUT
: 0.4
W
工作环境温度，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40_C
至85℃
特定网络阳离子
测试条件除非指定
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
(
)
I
OUT
= 1毫安，C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
mF
V
SD
= 1.5 V
范围
40
至85℃
参数
初创BP电流
输入电压范围
输出电压精度
线路调整率（V
OUT
v
3 V)
线路调整
（ 3.0 V < V
OUT
v3.6
V)
线路调整（ 5 V版）
符号
I
OUT
V
IN
V
OUT
温度
a
房间
满
民
b
典型值
c
1
最大
b
单位
mA
ON / OFF =高
2
1.5
2.5
0.06
0
0
1
45
50
130
65
190
100
110
110
120
300
1
1
6
1.5
2.5
0.18
0.3
0.4
V
%
1毫安
v
I
OUT
v
150毫安
房间
满
满
DV
OUT
DV
IN
100
从V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
V
OUT （ NOM ）
从V
IN
= 5.5 V至6 V
I
OUT
= 1毫安
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
%/V
d,
降V LT
D
吨电压
摹
(V
OUT （ NOM ）
w
2.6 V)
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
GND
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
O（峰）
V
OUT
w
0.95 x垂直
OUT （ NOM ）
. t
PW
= 2毫秒
80
90
180
220
100
120
250
300
150
180
200
230
170
200
200
230
mA
mA
mV
V
IN
V
OUT
降
(V
OUT （
2.6 V
OUT （ NOM ）
t
2 6 V, V
IN
w
)
2 V)
电压
D，G
接地引脚电流
E，G
(V
OUT （ NOM ）
v
3 V)
接地引脚电流
e
(V
OUT （ NOM ）
u
3 V)
峰值输出电流
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2
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件除非指定
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
I
OUT
= 1毫安，C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
mF
V
SD
= 1.5 V
范围
40
至85℃
参数
符号
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
输出噪声电压
e
N
V
喃
= 2.6 V ，BW = 10赫兹至100千赫兹，
0毫安
t
I
OUT
t
150毫安，C
噪音
= 0.01
mF
F = 1千赫
I
OUT
= 150毫安
F = 10千赫
F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
30
60
40
30
20
20
150
20
1
700
MV（ RMS）
纹波抑制
pp
j
DV
OUT
/ DV
IN
dB
动态线路调整
动态负载调节
热关断结
温度
热滞
反向电流
短路电流
DV
O（ LINE ）
DV
O（ LOAD ）
T
J（下S / D ）
T
HYST
I
R
I
SC
V
IN
: V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
t
r
/t
f
= 2
女士，
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
1 mA至150毫安，T
r
/t
f
= 2
ms
mV
_C
C
mA
mA
V
IN
=
6.0
V
V
OUT
= 0 V
房间
房间
关闭
关断电源电流
SD引脚输入电压
自动放电电阻
SD引脚输入
当前
f
SD迟滞
V
OUT
开启时间
I
CC （OFF）的
V
SD
R_DIS
I
中（SD）的
V
HYST （ SD ）
t
ON
V
SD
（参见图1）中，我
负载
= 100 nA的
V
SD
= 0 V
高=稳压器ON （瑞星）
低=稳压器关闭（下降沿）
Si91841只有
V
SD
= 1.5 V, V
IN
= 6 V
房间
满
满
房间
房间
满
100
0.7
150
50
1.5
0.1
1
V
IN
0.4
mA
V
W
mA
mV
mS
笔记
一。房间= 25_C ，全部=
40
至85℃ 。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。对于压差电压在V典型值
OUT
w
2 V的测量
V
OUT
= 3.3 V ，而对于压差电压在V典型值
OUT
< 2 V在V测量
OUT
= 1.8 V.
。电压差定义为输入，输出差分电压，当输出电压降到2％以下， 1 -V测得的输出电压
差，其前提是V
IN
不不低于2.0 V.
。接地电流被指定为正常运行以及“辍学”的操作。
f.
该器件的关断引脚具有典型的2兆瓦内部下拉电阻接地。
克。 V
OUT （ NOM ）
为V
OUT
当用1 - V差分到V测量
IN 。
时序波形
V
IN
V
SD
t
r
v
1
ms
0V
t
ON
V
喃
0.95 V
喃
V
OUT
图1 。
时序图进行加电
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
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3
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
引脚配置
引脚说明
V
OUT
超薄SOT - 23 ， 5引脚
V
IN
1
5
PIN号
1
2
名字
V
IN
GND
SD
BP
V
OUT
功能
输入电源引脚。绕过这个引脚1 μF的陶瓷电容或钽电容到地
接地引脚。为了获得更好的散热效果，直接连接到大接地平面
通过施加小于0.4 V至该引脚，该装置将被关断。将此引脚连接到
V
IN
如果未使用
噪声旁路引脚。对于低噪声应用，一个0.01
mF
陶瓷电容应
从这个引脚连接到地面。
输出电压。连接
OUT
与此引脚与地之间。
GND
SD
2
BP
3
4
4
5
3
订购信息Si91841
产品型号
Si91841DT-18-T1
Si91841DT-20-T1
Si91841DT-22-T1
Si91841DT-25-T1
Si91841DT-26-T1
Si91841DT-27-T1
Si91841DT-28-T1
Si91841DT-285-T1
Si91841DT-29-T1
Si91841DT-30-T1
Si91841DT-33-T1
Si91841DT-35-T1
Si91841DT-36-T1
Si91841DT-50-T1
注： LL =批次编号
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91841DT-18-T1—E3
Si91841DT-20-T1—E3
Si91841DT-22-T1—E3
Si91841DT-25-T1—E3
Si91841DT-26-T1—E3
Si91841DT-27-T1—E3
Si91841DT-28-T1—E3
Si91841DT-285—E3
Si91841DT-29-T1—E3
Si91841DT-30-T1—E3
Si91841DT-33-T1—E3
Si91841DT-35-T1—E3
Si91841DT-36-T1—E3
Si91841DT-50-T1—E3
记号
B4LL
B5LL
B6LL
B7LL
B8LL
B9LL
B0LL
C1LL
C2LL
C3LL
C4LL
C5LL
C6LL
C7LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄型SOT23-5封装
订购信息Si91843
产品型号
Si91843DT-18-T1
Si91843DT-20-T1
Si91843DT-22-T1
Si91843DT-25-T1
Si91843DT-26-T1
Si91843DT-27-T1
Si91843DT-28-T1
Si91843DT-285-T1
Si91843DT-29-T1
Si91843DT-30-T1
Si91843DT-33-T1
Si91843DT-35-T1
Si91843DT-36-T1
Si91843DT-50-T1
注： LL =批次编号
www.vishay.com
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91843DT-18-T1—E3
Si91843DT-20-T1—E3
Si91843DT-22-T1—E3
Si91843DT-25-T1—E3
Si91843DT-26-T1—E3
Si91843DT-27-T1—E3
Si91843DT-28-T1—E3
Si91843DT-285—E3
Si91843DT-29-T1—E3
Si91843DT-30-T1—E3
Si91843DT-33-T1—E3
Si91843DT-35-T1—E3
Si91843DT-36-T1—E3
Si91843DT-50-T1—E3
记号
E2LL
E3LL
E4LL
E5LL
E6LL
E7LL
E8LL
E9LL
E0LL
F1LL
F2LL
F3LL
F4LL
F5LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄型SOT23-5封装
4
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
0.30
0.15
0.00
0.15
0.30
0.45
0.60
0.75
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
V
OUT
(%)
归一化输出电压与负载电流
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
0.4
0.2
归V
OUT
与温度的关系
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
I
OUT
= 0毫安
输出电压（％）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
40
I
OUT
= 75毫安
I
OUT
= 150毫安
15
10
35
60
85
环境温度（ ℃）
150
接地电流与负载电流
V
OUT
= 3.0 V
V
IN
= 4.0 V
300
250
200
I
GND
(
毫安）
150
100
无负载GND引脚电流与输入电压
85_C
125
25_C
I
GND
(
毫安）
100
40_C
75
50
50
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
0
2
3
4
5
6
7
输入电压（ V）
85_C
25_C
40_C
0
电源抑制
C
IN
= 1
mF
C
OUT
= 1
mF
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 3.0 V
I
SC
（MA ）
750
725
700
输出短路电流与温度的关系
V
OUT
= 2.6 V
20
增益（dB ）
40
675
650
60
625
80
10
600
40
100
1000
10000
100000
1000000
15
10
35
60
85
频率（Hz）
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
AmbientTemperature （ _C ）
www.vishay.com
5
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
150 - mA的超低噪声LDO稳压器
随着放电选项
特点
D
超低压差- 130毫伏，在150 mA负载
D
超低噪声-30
mV
（ RMS）
（ 10赫兹至100千赫兹
带宽）
D
关断控制
D
110 - mA的接地电流为150 mA的负载
D
1.5 ％，保证输出电压精度
D
300 mA峰值输出电流能力
D
使用低ESR陶瓷电容器
D
快速启动（ 50
女士）
D
快速电压和负载瞬态响应（V 30
女士）
D
1 mA最大关断电流
D
输出电流限制
D
反向电池保护
D
内置短路保护和热保护
D
Si91841 ：输出，自动放电关断模式
D
Si91843 ：输出，无放电关断模式
D
固定的1.8 ， 2.0 ，2.2， 2.5 ，2.6 ，2.7 ，2.8 ，2.85 ，2.9 ，3.0 ，3.3 ，
3.5 ， 3.6 ， 5.0 V输出电压选项
D
薄SOT23-5封装
应用
D
移动电话，无线手机
D
对噪声敏感的电子系统，笔记本电脑和
掌上电脑
D
掌上电脑
D
寻呼机
D
数码相机
D
MP3播放器
D
无线上网卡
描述
该Si91841 / 3是150毫安的CMOS LDO （低压差）稳压
调节器。它是低电压，低功耗的完美选择
应用程序。超低接地电流，使这部分
电池有吸引力的操作电源系统。该Si91841 / 3
还提供超低压降电压延长电池寿命
便携式电子产品。需要一个安静的电压系统
源，诸如射频应用中，将从中获益
Si91841 / 3的超低输出噪声。外部噪声旁路
电容器，连接到设备的BP引脚，可以进一步降低
的噪声电平。该Si91841 / 3是为了维护
法规同时提供300 mA峰值电流，从而使其
理想的为具有当打开一个高的浪涌电流的系统。
为了更好的瞬态响应和调控，积极
下拉电路内置于Si91841 / 3夹住输出
电压，当它上升超过正常调节。该Si91841
通过将自动放电的输出电压
输出到地通过一个100 -W n沟道MOSFET时
该设备被置于关断模式。
该Si91841 / 3的功能反向电池保护，以限制
反向电流流动，以大约1毫安的事件
反向电池被施加在输入端，从而防止
损坏IC 。
该Si91841 / 3可在标准和铅（Pb ） - 免费
包。
典型应用电路
Si91841/3
V
IN
1
mF
2
GND
1
V
IN
V
OUT
5
V
OUT
1
mF
SD
3
SD
BP
4
10 nF的
超薄SOT - 23 ， 5引脚
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
绝对最大额定值
输入电压V
IN
到GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.0
以6.5 V
V
SD
（见详细说明）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
IN
输出电流，I
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
短路保护功能
输出电压V
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3 V到V
IN
+ 0.3 V
封装功耗（P
d
)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 440毫瓦
封装热阻（Q
JA
)
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 180_C / W
最高结温，T
J（下最大）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
贮藏温度，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
65_C
至150℃
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.5毫瓦/ _C牛逼以上
A
= 70_C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 V至6 V
输入电压V
SD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
IN
C
IN
= C
OUT
= 1
mF
（陶瓷） ，C
BP
= 0.01
mF
（陶瓷）
的C最大ESR
OUT
: 0.4
W
工作环境温度，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40_C
至85℃
特定网络阳离子
测试条件除非指定
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
(
)
I
OUT
= 1毫安，C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
mF
V
SD
= 1.5 V
范围
40
至85℃
参数
初创BP电流
输入电压范围
输出电压精度
线路调整率（V
OUT
v
3 V)
线路调整
（ 3.0 V < V
OUT
v3.6
V)
线路调整（ 5 V版）
符号
I
OUT
V
IN
V
OUT
温度
a
房间
满
民
b
典型值
c
1
最大
b
单位
mA
ON / OFF =高
2
1.5
2.5
0.06
0
0
1
45
50
130
65
190
100
110
110
120
300
1
1
6
1.5
2.5
0.18
0.3
0.4
V
%
1毫安
v
I
OUT
v
150毫安
房间
满
满
DV
OUT
DV
IN
100
从V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
V
OUT （ NOM ）
从V
IN
= 5.5 V至6 V
I
OUT
= 1毫安
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
%/V
d,
降V LT
D
吨电压
摹
(V
OUT （ NOM ）
w
2.6 V)
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
GND
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
O（峰）
V
OUT
w
0.95 x垂直
OUT （ NOM ）
. t
PW
= 2毫秒
80
90
180
220
100
120
250
300
150
180
200
230
170
200
200
230
mA
mA
mV
V
IN
V
OUT
降
(V
OUT （
2.6 V
OUT （ NOM ）
t
2 6 V, V
IN
w
)
2 V)
电压
D，G
接地引脚电流
E，G
(V
OUT （ NOM ）
v
3 V)
接地引脚电流
e
(V
OUT （ NOM ）
u
3 V)
峰值输出电流
www.vishay.com
2
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件除非指定
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
I
OUT
= 1毫安，C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
mF
V
SD
= 1.5 V
范围
40
至85℃
参数
符号
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
输出噪声电压
e
N
V
喃
= 2.6 V ，BW = 10赫兹至100千赫兹，
0毫安
t
I
OUT
t
150毫安，C
噪音
= 0.01
mF
F = 1千赫
I
OUT
= 150毫安
F = 10千赫
F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
30
60
40
30
20
20
150
20
1
700
MV（ RMS）
纹波抑制
pp
j
DV
OUT
/ DV
IN
dB
动态线路调整
动态负载调节
热关断结
温度
热滞
反向电流
短路电流
DV
O（ LINE ）
DV
O（ LOAD ）
T
J（下S / D ）
T
HYST
I
R
I
SC
V
IN
: V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
t
r
/t
f
= 2
女士，
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
1 mA至150毫安，T
r
/t
f
= 2
ms
mV
_C
C
mA
mA
V
IN
=
6.0
V
V
OUT
= 0 V
房间
房间
关闭
关断电源电流
SD引脚输入电压
自动放电电阻
SD引脚输入
当前
f
SD迟滞
V
OUT
开启时间
I
CC （OFF）的
V
SD
R_DIS
I
中（SD）的
V
HYST （ SD ）
t
ON
V
SD
（参见图1）中，我
负载
= 100 nA的
V
SD
= 0 V
高=稳压器ON （瑞星）
低=稳压器关闭（下降沿）
Si91841只有
V
SD
= 1.5 V, V
IN
= 6 V
房间
满
满
房间
房间
满
100
0.7
150
50
1.5
0.1
1
V
IN
0.4
mA
V
W
mA
mV
mS
笔记
一。房间= 25_C ，全部=
40
至85℃ 。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。对于压差电压在V典型值
OUT
w
2 V的测量
V
OUT
= 3.3 V ，而对于压差电压在V典型值
OUT
< 2 V在V测量
OUT
= 1.8 V.
。电压差定义为输入，输出差分电压，当输出电压降到2％以下， 1 -V测得的输出电压
差，其前提是V
IN
不不低于2.0 V.
。接地电流被指定为正常运行以及“辍学”的操作。
f.
该器件的关断引脚具有典型的2兆瓦内部下拉电阻接地。
克。 V
OUT （ NOM ）
为V
OUT
当用1 - V差分到V测量
IN 。
时序波形
V
IN
V
SD
t
r
v
1
ms
0V
t
ON
V
喃
0.95 V
喃
V
OUT
图1 。
时序图进行加电
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
引脚配置
引脚说明
V
OUT
超薄SOT - 23 ， 5引脚
V
IN
1
5
PIN号
1
2
名字
V
IN
GND
SD
BP
V
OUT
功能
输入电源引脚。绕过这个引脚1 μF的陶瓷电容或钽电容到地
接地引脚。为了获得更好的散热效果，直接连接到大接地平面
通过施加小于0.4 V至该引脚，该装置将被关断。将此引脚连接到
V
IN
如果未使用
噪声旁路引脚。对于低噪声应用，一个0.01
mF
陶瓷电容应
从这个引脚连接到地面。
输出电压。连接
OUT
与此引脚与地之间。
GND
SD
2
BP
3
4
4
5
3
订购信息Si91841
产品型号
Si91841DT-18-T1
Si91841DT-20-T1
Si91841DT-22-T1
Si91841DT-25-T1
Si91841DT-26-T1
Si91841DT-27-T1
Si91841DT-28-T1
Si91841DT-285-T1
Si91841DT-29-T1
Si91841DT-30-T1
Si91841DT-33-T1
Si91841DT-35-T1
Si91841DT-36-T1
Si91841DT-50-T1
注： LL =批次编号
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91841DT-18-T1—E3
Si91841DT-20-T1—E3
Si91841DT-22-T1—E3
Si91841DT-25-T1—E3
Si91841DT-26-T1—E3
Si91841DT-27-T1—E3
Si91841DT-28-T1—E3
Si91841DT-285—E3
Si91841DT-29-T1—E3
Si91841DT-30-T1—E3
Si91841DT-33-T1—E3
Si91841DT-35-T1—E3
Si91841DT-36-T1—E3
Si91841DT-50-T1—E3
记号
B4LL
B5LL
B6LL
B7LL
B8LL
B9LL
B0LL
C1LL
C2LL
C3LL
C4LL
C5LL
C6LL
C7LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄型SOT23-5封装
订购信息Si91843
产品型号
Si91843DT-18-T1
Si91843DT-20-T1
Si91843DT-22-T1
Si91843DT-25-T1
Si91843DT-26-T1
Si91843DT-27-T1
Si91843DT-28-T1
Si91843DT-285-T1
Si91843DT-29-T1
Si91843DT-30-T1
Si91843DT-33-T1
Si91843DT-35-T1
Si91843DT-36-T1
Si91843DT-50-T1
注： LL =批次编号
www.vishay.com
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91843DT-18-T1—E3
Si91843DT-20-T1—E3
Si91843DT-22-T1—E3
Si91843DT-25-T1—E3
Si91843DT-26-T1—E3
Si91843DT-27-T1—E3
Si91843DT-28-T1—E3
Si91843DT-285—E3
Si91843DT-29-T1—E3
Si91843DT-30-T1—E3
Si91843DT-33-T1—E3
Si91843DT-35-T1—E3
Si91843DT-36-T1—E3
Si91843DT-50-T1—E3
记号
E2LL
E3LL
E4LL
E5LL
E6LL
E7LL
E8LL
E9LL
E0LL
F1LL
F2LL
F3LL
F4LL
F5LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄型SOT23-5封装
4
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
0.30
0.15
0.00
0.15
0.30
0.45
0.60
0.75
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
V
OUT
(%)
归一化输出电压与负载电流
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
0.4
0.2
归V
OUT
与温度的关系
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
I
OUT
= 0毫安
输出电压（％）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
40
I
OUT
= 75毫安
I
OUT
= 150毫安
15
10
35
60
85
环境温度（ ℃）
150
接地电流与负载电流
V
OUT
= 3.0 V
V
IN
= 4.0 V
300
250
200
I
GND
(
毫安）
150
100
无负载GND引脚电流与输入电压
85_C
125
25_C
I
GND
(
毫安）
100
40_C
75
50
50
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
0
2
3
4
5
6
7
输入电压（ V）
85_C
25_C
40_C
0
电源抑制
C
IN
= 1
mF
C
OUT
= 1
mF
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 3.0 V
I
SC
（MA ）
750
725
700
输出短路电流与温度的关系
V
OUT
= 2.6 V
20
增益（dB ）
40
675
650
60
625
80
10
600
40
100
1000
10000
100000
1000000
15
10
35
60
85
频率（Hz）
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
AmbientTemperature （ _C ）
www.vishay.com
5
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
150 - mA的超低噪声LDO稳压器
随着放电选项
特点
D
超低压差- 130毫伏，在150 mA负载
D
超低噪声-30
mV
（ RMS）
（ 10赫兹至100千赫兹
带宽）
D
关断控制
D
110 - mA的接地电流为150 mA的负载
D
1.5 ％，保证输出电压精度
D
300 mA峰值输出电流能力
D
使用低ESR陶瓷电容器
D
快速启动（ 50
女士）
D
快速电压和负载瞬态响应（V 30
女士）
D
1 mA最大关断电流
D
输出电流限制
D
反向电池保护
D
内置短路保护和热保护
D
Si91841 ：输出，自动放电关断模式
D
Si91843 ：输出，无放电关断模式
D
固定的1.8 ， 2.0 ，2.2， 2.5 ，2.6 ，2.7 ，2.8 ，2.85 ，2.9 ，3.0 ，3.3 ，
3.5 ， 3.6 ， 5.0 V输出电压选项
D
薄SOT23-5封装
应用
D
移动电话，无线手机
D
对噪声敏感的电子系统，笔记本电脑和
掌上电脑
D
掌上电脑
D
寻呼机
D
数码相机
D
MP3播放器
D
无线上网卡
描述
该Si91841 / 3是150毫安的CMOS LDO （低压差）稳压
调节器。它是低电压，低功耗的完美选择
应用程序。超低接地电流，使这部分
电池有吸引力的操作电源系统。该Si91841 / 3
还提供超低压降电压延长电池寿命
便携式电子产品。需要一个安静的电压系统
源，诸如射频应用中，将从中获益
Si91841 / 3的超低输出噪声。外部噪声旁路
电容器，连接到设备的BP引脚，可以进一步降低
的噪声电平。该Si91841 / 3是为了维护
法规同时提供300 mA峰值电流，从而使其
理想的为具有当打开一个高的浪涌电流的系统。
为了更好的瞬态响应和调控，积极
下拉电路内置于Si91841 / 3夹住输出
电压，当它上升超过正常调节。该Si91841
通过将自动放电的输出电压
输出到地通过一个100 -W n沟道MOSFET时
该设备被置于关断模式。
该Si91841 / 3的功能反向电池保护，以限制
反向电流流动，以大约1毫安的事件
反向电池被施加在输入端，从而防止
损坏IC 。
该Si91841 / 3可在标准和铅（Pb ） - 免费
包。
典型应用电路
Si91841/3
V
IN
1
mF
2
GND
1
V
IN
V
OUT
5
V
OUT
1
mF
SD
3
SD
BP
4
10 nF的
超薄SOT - 23 ， 5引脚
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
绝对最大额定值
输入电压V
IN
到GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.0
以6.5 V
V
SD
（见详细说明）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
IN
输出电流，I
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
短路保护功能
输出电压V
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3 V到V
IN
+ 0.3 V
封装功耗（P
d
)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 440毫瓦
封装热阻（Q
JA
)
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 180_C / W
最高结温，T
J（下最大）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
贮藏温度，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
65_C
至150℃
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.5毫瓦/ _C牛逼以上
A
= 70_C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 V至6 V
输入电压V
SD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
IN
C
IN
= C
OUT
= 1
mF
（陶瓷） ，C
BP
= 0.01
mF
（陶瓷）
的C最大ESR
OUT
: 0.4
W
工作环境温度，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40_C
至85℃
特定网络阳离子
测试条件除非指定
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
(
)
I
OUT
= 1毫安，C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
mF
V
SD
= 1.5 V
范围
40
至85℃
参数
初创BP电流
输入电压范围
输出电压精度
线路调整率（V
OUT
v
3 V)
线路调整
（ 3.0 V < V
OUT
v3.6
V)
线路调整（ 5 V版）
符号
I
OUT
V
IN
V
OUT
温度
a
房间
满
民
b
典型值
c
1
最大
b
单位
mA
ON / OFF =高
2
1.5
2.5
0.06
0
0
1
45
50
130
65
190
100
110
110
120
300
1
1
6
1.5
2.5
0.18
0.3
0.4
V
%
1毫安
v
I
OUT
v
150毫安
房间
满
满
DV
OUT
DV
IN
100
从V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
V
OUT （ NOM ）
从V
IN
= 5.5 V至6 V
I
OUT
= 1毫安
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
%/V
d,
降V LT
D
吨电压
摹
(V
OUT （ NOM ）
w
2.6 V)
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
GND
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
O（峰）
V
OUT
w
0.95 x垂直
OUT （ NOM ）
. t
PW
= 2毫秒
80
90
180
220
100
120
250
300
150
180
200
230
170
200
200
230
mA
mA
mV
V
IN
V
OUT
降
(V
OUT （
2.6 V
OUT （ NOM ）
t
2 6 V, V
IN
w
)
2 V)
电压
D，G
接地引脚电流
E，G
(V
OUT （ NOM ）
v
3 V)
接地引脚电流
e
(V
OUT （ NOM ）
u
3 V)
峰值输出电流
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2
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件除非指定
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
I
OUT
= 1毫安，C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
mF
V
SD
= 1.5 V
范围
40
至85℃
参数
符号
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
输出噪声电压
e
N
V
喃
= 2.6 V ，BW = 10赫兹至100千赫兹，
0毫安
t
I
OUT
t
150毫安，C
噪音
= 0.01
mF
F = 1千赫
I
OUT
= 150毫安
F = 10千赫
F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
30
60
40
30
20
20
150
20
1
700
MV（ RMS）
纹波抑制
pp
j
DV
OUT
/ DV
IN
dB
动态线路调整
动态负载调节
热关断结
温度
热滞
反向电流
短路电流
DV
O（ LINE ）
DV
O（ LOAD ）
T
J（下S / D ）
T
HYST
I
R
I
SC
V
IN
: V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
t
r
/t
f
= 2
女士，
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
1 mA至150毫安，T
r
/t
f
= 2
ms
mV
_C
C
mA
mA
V
IN
=
6.0
V
V
OUT
= 0 V
房间
房间
关闭
关断电源电流
SD引脚输入电压
自动放电电阻
SD引脚输入
当前
f
SD迟滞
V
OUT
开启时间
I
CC （OFF）的
V
SD
R_DIS
I
中（SD）的
V
HYST （ SD ）
t
ON
V
SD
（参见图1）中，我
负载
= 100 nA的
V
SD
= 0 V
高=稳压器ON （瑞星）
低=稳压器关闭（下降沿）
Si91841只有
V
SD
= 1.5 V, V
IN
= 6 V
房间
满
满
房间
房间
满
100
0.7
150
50
1.5
0.1
1
V
IN
0.4
mA
V
W
mA
mV
mS
笔记
一。房间= 25_C ，全部=
40
至85℃ 。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。对于压差电压在V典型值
OUT
w
2 V的测量
V
OUT
= 3.3 V ，而对于压差电压在V典型值
OUT
< 2 V在V测量
OUT
= 1.8 V.
。电压差定义为输入，输出差分电压，当输出电压降到2％以下， 1 -V测得的输出电压
差，其前提是V
IN
不不低于2.0 V.
。接地电流被指定为正常运行以及“辍学”的操作。
f.
该器件的关断引脚具有典型的2兆瓦内部下拉电阻接地。
克。 V
OUT （ NOM ）
为V
OUT
当用1 - V差分到V测量
IN 。
时序波形
V
IN
V
SD
t
r
v
1
ms
0V
t
ON
V
喃
0.95 V
喃
V
OUT
图1 。
时序图进行加电
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
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3
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
引脚配置
引脚说明
V
OUT
超薄SOT - 23 ， 5引脚
V
IN
1
5
PIN号
1
2
名字
V
IN
GND
SD
BP
V
OUT
功能
输入电源引脚。绕过这个引脚1 μF的陶瓷电容或钽电容到地
接地引脚。为了获得更好的散热效果，直接连接到大接地平面
通过施加小于0.4 V至该引脚，该装置将被关断。将此引脚连接到
V
IN
如果未使用
噪声旁路引脚。对于低噪声应用，一个0.01
mF
陶瓷电容应
从这个引脚连接到地面。
输出电压。连接
OUT
与此引脚与地之间。
GND
SD
2
BP
3
4
4
5
3
订购信息Si91841
产品型号
Si91841DT-18-T1
Si91841DT-20-T1
Si91841DT-22-T1
Si91841DT-25-T1
Si91841DT-26-T1
Si91841DT-27-T1
Si91841DT-28-T1
Si91841DT-285-T1
Si91841DT-29-T1
Si91841DT-30-T1
Si91841DT-33-T1
Si91841DT-35-T1
Si91841DT-36-T1
Si91841DT-50-T1
注： LL =批次编号
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91841DT-18-T1—E3
Si91841DT-20-T1—E3
Si91841DT-22-T1—E3
Si91841DT-25-T1—E3
Si91841DT-26-T1—E3
Si91841DT-27-T1—E3
Si91841DT-28-T1—E3
Si91841DT-285—E3
Si91841DT-29-T1—E3
Si91841DT-30-T1—E3
Si91841DT-33-T1—E3
Si91841DT-35-T1—E3
Si91841DT-36-T1—E3
Si91841DT-50-T1—E3
记号
B4LL
B5LL
B6LL
B7LL
B8LL
B9LL
B0LL
C1LL
C2LL
C3LL
C4LL
C5LL
C6LL
C7LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄型SOT23-5封装
订购信息Si91843
产品型号
Si91843DT-18-T1
Si91843DT-20-T1
Si91843DT-22-T1
Si91843DT-25-T1
Si91843DT-26-T1
Si91843DT-27-T1
Si91843DT-28-T1
Si91843DT-285-T1
Si91843DT-29-T1
Si91843DT-30-T1
Si91843DT-33-T1
Si91843DT-35-T1
Si91843DT-36-T1
Si91843DT-50-T1
注： LL =批次编号
www.vishay.com
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91843DT-18-T1—E3
Si91843DT-20-T1—E3
Si91843DT-22-T1—E3
Si91843DT-25-T1—E3
Si91843DT-26-T1—E3
Si91843DT-27-T1—E3
Si91843DT-28-T1—E3
Si91843DT-285—E3
Si91843DT-29-T1—E3
Si91843DT-30-T1—E3
Si91843DT-33-T1—E3
Si91843DT-35-T1—E3
Si91843DT-36-T1—E3
Si91843DT-50-T1—E3
记号
E2LL
E3LL
E4LL
E5LL
E6LL
E7LL
E8LL
E9LL
E0LL
F1LL
F2LL
F3LL
F4LL
F5LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄型SOT23-5封装
4
Si91841/3
Vishay Siliconix公司
典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
0.30
0.15
0.00
0.15
0.30
0.45
0.60
0.75
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
V
OUT
(%)
归一化输出电压与负载电流
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
0.4
0.2
归V
OUT
与温度的关系
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
I
OUT
= 0毫安
输出电压（％）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
40
I
OUT
= 75毫安
I
OUT
= 150毫安
15
10
35
60
85
环境温度（ ℃）
150
接地电流与负载电流
V
OUT
= 3.0 V
V
IN
= 4.0 V
300
250
200
I
GND
(
毫安）
150
100
无负载GND引脚电流与输入电压
85_C
125
25_C
I
GND
(
毫安）
100
40_C
75
50
50
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
0
2
3
4
5
6
7
输入电压（ V）
85_C
25_C
40_C
0
电源抑制
C
IN
= 1
mF
C
OUT
= 1
mF
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 3.0 V
I
SC
（MA ）
750
725
700
输出短路电流与温度的关系
V
OUT
= 2.6 V
20
增益（dB ）
40
675
650
60
625
80
10
600
40
100
1000
10000
100000
1000000
15
10
35
60
85
频率（Hz）
文档编号： 71447
S- 40592 -REV 。 C， 29 -MAR -04
AmbientTemperature （ _C ）
www.vishay.com
5
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